Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактIxys (5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Операционный режим | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение - рейтинг DC | Текущий рейтинг | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Масса | Достичь SVHC | Сопротивление | Количество булавок | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | HTS -код | Оценка комплекта | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Подсчет штифтов | Конфигурация элемента | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Количество элементов | Подкатегория | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Вперед | Впередное напряжение | Включить время задержки | Максимальный ток Surge | Время подъема | Время падения (тип) | Отключить время задержки | Непрерывный ток дренажа (ID) | Веревка к источническому напряжению (VGS) | Макс обратный ток утечки | Материал транзистора | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение транзистора | Слейте до источника напряжения (VDS) | Функция | Приложение | DS Breakdown Trastage-Min | Пороговое напряжение | Диодный элемент материал | Power Dissipation-Max | Максимальный переадресный ток (IFSM) | Пик обратный ток | Максимальное повторяющее обратное напряжение (VRRM) | Пик без повторного тока всплеска | Обратное напряжение | Jedec-95 код | Время восстановления обратного восстановления | Время восстановления | Диод тип | Максимальное обратное напряжение (DC) | Средний выпрямленный ток | Количество этапов | Используется IC / часть | Дренажный ток-ток (ABS) (ID) | Импульсный ток сливного тока (IDM) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Рейтинг Evalanche Energy (EAS) | Слив до источника напряжения разбивки | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Поставляемое содержимое | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFT40N30Q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh40n30q-datasheets-8102.pdf | 300 В. | 40a | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | Свободно привести | 2 | 80 мом | да | Ear99 | Лавина оценена | Нет | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | 4 | Одинокий | 300 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | R-PSSO-G2 | 35NS | 12 нс | 40 нс | 40a | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 Вт TC | 300 В. | N-канал | 3100PF @ 25V | 80 м ω @ 500 мА, 10 В | 4V @ 4MA | 40a tc | 140NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFC26N50 | Ixys | $ 18,82 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfc26n50-datasheets-8452.pdf | Isoplus220 ™ | Свободно привести | 3 | 200 мох | 3 | да | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 230 Вт | 1 | Не квалифицирован | 33NS | 30 нс | 65 нс | 23а | 20 В | Кремний | Изолирован | Переключение | 230W TC | 92а | 500 В. | N-канал | 4200PF @ 25V | 200 метров ω @ 13a, 10 В | 4V @ 4MA | 23a tc | 135NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFE36N100 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Шасси | Шасси | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe34n100-datasheets-1100.pdf | SOT-227-4, Minibloc | 4 | 4 | да | Лавина оценена | Верхний | Неуказано | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 580 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 82ns | 40 нс | 150 нс | 33а | 20 В | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Изолирован | Переключение | 1000 В. | 580W TC | 1 кВ | N-канал | 15000PF @ 25V | 240 м ω @ 18a, 10 В | 5,5 В @ 8ma | 33A TC | 455NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK25N90 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx26n90-datasheets-7456.pdf | До 264-3, до 264AA | 3 | 3 | да | Лавина оценена | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 560 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 35NS | 24 нс | 130 нс | 25а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 560 Вт TC | 100А | 900 В. | N-канал | 10800PF @ 25V | 330 мм ω @ 500 мА, 10 В | 5 В @ 8ma | 25а TC | 240NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR180N085 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr180n085-datasheets-8656.pdf | Isoplus247 ™ | 3 | 3 | да | Ear99 | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 90ns | 55 нс | 140 нс | 180a | 20 В | Кремний | Изолирован | Переключение | 400 Вт TC | 720а | 0,007 Ом | 85 В | N-канал | 9100PF @ 25V | 7 м ω @ 500 мА, 10 В | 4 В @ 8ma | 180A TC | 320NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixft6n100q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh6n100q-datasheets-1418.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 2 | 8 недель | да | Лавина оценена | Нет | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | 4 | Одинокий | 180 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | R-PSSO-G2 | 15NS | 12 нс | 22 нс | 6A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 180W TC | 6A | 24а | 2 Ом | 700 МДж | 1 кВ | N-канал | 2200PF @ 25V | 1,9 Ом @ 3A, 10 В | 4,5 В при 2,5 мА | 6A TC | 48NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTC130N15T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | Isoplus220 ™ | 150 В. | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH30N50Q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft32n50q-datasheets-5314.pdf | До 247-3 | 3 | 3 | да | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | 42NS | 20 нс | 75 нс | 30A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 360 Вт TC | 120a | 0,16 дюйма | 1500 МДж | 500 В. | N-канал | 5700PF @ 25V | 160 м ω @ 15a, 10 В | 4V @ 4MA | 30A TC | 300NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV15N100PS | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarp2 ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh15n100p-datasheets-4049.pdf | Плюс-220smd | 2 | 3 | да | Лавина оценена | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 543W | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 44ns | 58 нс | 44 нс | 15A | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 543W TC | 40a | 0,76 Ом | 500 МДж | 1 кВ | N-канал | 5140pf @ 25V | 760 м ω @ 500 мА, 10 В | 6,5 В @ 1MA | 15a tc | 97NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfc16n80p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarht ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfc16n80p-datasheets-4300.pdf | Isoplus220 ™ | 3 | 3 | да | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | Не квалифицирован | 32NS | 29 нс | 75 нс | 9а | 30 В | Кремний | Изолирован | Переключение | 150 Вт TC | 9а | 48а | 0,65 д | 1500 МДж | 800 В. | N-канал | 4600PF @ 25V | 650 м ω @ 8a, 10 В | 5V @ 4MA | 9A TC | 71NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH24N50Q | Ixys | $ 6,96 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft24n50q-datasheets-4238.pdf | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 230mohm | 3 | да | Лавина оценена | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | 30ns | 16 нс | 55 нс | 24а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 Вт TC | До-247AD | 96а | 500 В. | N-канал | 3900PF @ 25V | 230 мм ω @ 12a, 10 В | 4,5 В @ 4MA | 24a tc | 95NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTV02N250S | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth02n250-datasheets-2386.pdf | Плюс-220smd | Свободно привести | 2 | 220 | да | Ear99 | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 57 МВт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 200 мА | 20 В | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | 2500 В. | 83W TC | 0,2а | 0,5а | 2,5 кВ | N-канал | 116pf @ 25V | 450 Ом @ 50 мА, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 200 мА TC | 7,4NC @ 10 В. | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixty8n65x2 | Ixys | $ 2,84 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta8n65x2-datasheets-2725.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 15 недель | Ear99 | not_compliant | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8а | 650 В. | 150 Вт TC | N-канал | 800pf @ 25V | 500 м ω @ 4a, 10v | 5 В @ 250 мкА | 8A TC | 12NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFD28N50Q-72 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX52N30Q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | До 247-3 | 3 | да | Ear99 | соответствие | E1 | Жестяная серебряная медь | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | R-PSIP-T3 | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 В. | 300 В. | 360 Вт TC | 52а | 0,06 Ом | N-канал | 52A TC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfk72n20 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk72n20-datasheets-3324.pdf | До 264-3, до 264AA | 3 | да | Ear99 | Лавина оценена | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 200 В | 200 В | 360 Вт TC | 72а | 288а | 0,035ohm | N-канал | 5900pf @ 25V | 35 м ω @ 36a, 10v | 4V @ 4MA | 72A TC | 280NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixty1r4n60p trl | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polar ™ | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty1r4n60ptrl-datasheets-4675.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 600 В. | 50 Вт TC | N-канал | 140pf @ 25V | 9 Ом @ 700 мА, 10 В | 5,5 В @ 25 мкА | 1.4a tc | 5.2NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixtm5n100 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth5n100a-datasheets-4210.pdf | TO-204AA, TO-3 | 2 | 3 | НИЖНИЙ | PIN/PEG | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | O-MBFM-P2 | 5A | 20 В | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 1000 В. | 180W TC | 5A | 20А | N-канал | 2600PF @ 25V | 2,4 Ом @ 2,5A, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 5A TC | 130NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixtm5n100a | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth5n100a-datasheets-4210.pdf | TO-204AA, TO-3 | 2 | 35 недель | 3 | да | Нет | НИЖНИЙ | PIN/PEG | 2 | 180 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | O-MBFM-P2 | 5A | 20 В | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 180W TC | 5A | 20А | 2 Ом | N-канал | 2600PF @ 25V | 2 Ом @ 2,5A, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 5A TC | 130NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EVDN430MCI | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Управление энергетикой | Коробка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-evdd430ci-datasheets-5891.pdf | Да | Драйвер FET (внешний FET) | IXDN430MCI | Доска (ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EVDD408 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Управление энергетикой | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-evdn409-datasheets-5903.pdf | Свободно привести | Да | Драйвер FET (внешний FET) | IX DD408 DVR | Доска (ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixth16p60p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarp ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth16p60p-datasheets-8613.pdf | До 247-3 | 2 | 28 недель | да | Лавина оценена | Нет | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | 4 | 460 Вт | 1 | Другие транзисторы | R-PSSO-G2 | 16A | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 600 В. | 600 В. | 460 Вт TC | До-268AA | 48а | 0,72 Ом | 2500 MJ | P-канал | 5120pf @ 25V | 720 мм ω @ 500 мА, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 16a tc | 92NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixtx40p50p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarp ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk40p50p-datasheets-2169.pdf | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 28 недель | да | Лавина оценена | неизвестный | E1 | Жестяная серебряная медь | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | R-PSIP-T3 | 40a | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 500 В. | 500 В. | 890 Вт TC | 120a | 0,23 др | 3500 МДж | P-канал | 11500PF @ 25V | 230 мм ω @ 20a, 10 В | 4 В @ 1MA | 40a tc | 205NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ36P15P | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarp ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp36p15p-datasheets-7043.pdf | TO-3P-3, SC-65-3 | Свободно привести | 3 | 24 недели | 3 | да | Ear99 | Лавина оценена | неизвестный | E3 | Чистого олова | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 31ns | 15 нс | 36 нс | 36A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 150 В. | 300 Вт TC | 90A | 0,11om | 1500 МДж | -150 В. | P-канал | 3100PF @ 25V | 110 м ω @ 18a, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 36A TC | 55NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfh50n60p3 | Ixys | $ 9,73 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polar3 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2012 | /files/ixys-ixfq50n60p3-datasheets-1666.pdf | До 247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | Свободно привести | 3 | 30 недель | Нет SVHC | 3 | Ear99 | Лавина оценена | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,04 кВт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 31 нс | 20ns | 17 нс | 62 нс | 50а | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 5 В | 1040W TC | До-247AD | 125а | 0,145 д | 1000 МДж | 600 В. | N-канал | 6300PF @ 25V | 145m ω @ 500 мА, 10 В | 5V @ 4MA | 50A TC | 94NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX94N50P2 | Ixys | $ 20,47 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarhv ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk94n50p2-datasheets-7156.pdf | До 247-3 | 3 | 30 недель | 247 | да | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,3 кВт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSIP-T3 | 94а | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1300 Вт TC | 240a | 0,055 д | 3500 МДж | 500 В. | N-канал | 13700pf @ 25V | 55 мм ω @ 500 мА, 10 В | 5 В @ 8ma | 94A TC | 220NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfn210n30x3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Шасси | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn210n30x3-datasheets-7329.pdf | SOT-227-4, Minibloc | 19 недель | соответствие | 300 В. | 695W TC | N-канал | 24200PF @ 25V | 4,6 мм ω @ 105a, 10 В | 4,5 В @ 8ma | 210A TC | 375NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DPG30C200PC | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | Поверхностное крепление | 175 ° C. | -55 ° C. | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dpg30c200pc-datasheets-3039.pdf | До 263 | Свободно привести | 2 | 1.59999G | да | Ear99 | Бесплатный диод колеса, низкий ток утечки, диод Snubber | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 3 | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямители диоды | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 1,51 кВ | 240a | 1 млекс | Быстрое мягкое восстановление | Кремний | 1 млекс | 200 В | 35 нс | 35 нс | Выпрямитель диод | 200 В | 15A | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSEP29-06AS | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | Поверхностное крепление | 175 ° C. | -55 ° C. | ROHS COMPARINT | До 263 | 2 | да | Ear99 | Диод Snubber, свободный диод колеса | Нет | 8541.10.00.80 | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | 3 | Одинокий | 1 | R-PSSO-G2 | 1,61 В. | 250a | Катод | Мягкое восстановление | Кремний | 165 Вт | 250 мкА | 250a | 600 В. | 35 нс | 35 нс | Выпрямитель диод | 600 В. | 30A | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSEI19-06AS | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | Поверхностное крепление | 150 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | До 263-3 | 10,29 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Свободно привести | 2 | 1.59999G | да | Ear99 | Нет | 8541.10.00.80 | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямители диоды | R-PSSO-G2 | 20А | 1,7 В. | 110a | 50 мкА | Катод | Быстрое восстановление | Кремний | 62 Вт | 110a | 50 мкА | 600 В. | 110a | До-263AA | 50 нс | 50 нс | Выпрямитель диод | 600 В. | 20А | 1 |
