Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИКСТН90П20П | ИКСИС | $32,83 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtn90p20p-datasheets-1418.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 28 недель | 38.000013г | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПУФМ-X4 | 90А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 890 Вт Тс | 270А | 0,044Ом | 3500 мДж | P-канал | 12000пФ при 25В | 44 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В при 1 мА | 90А Тс | 205 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA50N20P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 200В | 360 Вт Тс | N-канал | 2720пФ при 25В | 60 мОм при 25 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 50А Тс | 70 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ28N15P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq28n15p-datasheets-1812.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА08N120P | ИКСИС | $3,37 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp08n120p-datasheets-2050.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 28 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 26нс | 24 нс | 55 нс | 800мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 50 Вт Тс | 0,8 А | 80 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 333пФ при 25 В | 25 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 800 мА Тс | 14 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА170N075T2 | ИКСИС | $19,60 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta170n075t2-datasheets-2178.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 28 недель | Одинокий | 360 Вт | ТО-263 (ИКСТА) | 6,86 нФ | 11нс | 19 нс | 25 нс | 170А | 20 В | 75В | 360 Вт Тс | 5,4 мОм | 75В | N-канал | 6860пФ при 25 В | 5,4 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 170А Тс | 109 нК при 10 В | 5,4 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA74N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 74А | 150 В | N-канал | 74А Тк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP26P10T | ИКСИС | 1,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty26p10t-datasheets-9365.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 15нс | 1 нс | 37 нс | 26А | 15 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 Вт Тс | ТО-220АБ | 80А | 0,09 Ом | 300 мДж | 100 В | P-канал | 3820пФ при 25В | 90 мОм при 13 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 26А Тк | 52 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA86N20T-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 200В | 550 Вт Тс | N-канал | 4500пФ при 25В | 33 мОм при 43 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 86А Тк | 90 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY26P10T-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24 недели | ТО-252 | 100 В | 150 Вт Тс | P-канал | 3820пФ при 25В | 90 мОм при 13 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 26А Тк | 52 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA4N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp4n60p3-datasheets-2815.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 24 недели | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 114 Вт Тс | 4А | 8А | 200 мДж | N-канал | 365пФ при 25В | 2,2 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 6,9 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA12N65X2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 650В | 180 Вт Тс | N-канал | 1134пФ при 25В | 310 мОм при 6 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 18,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА28P065T | ИКСИС | 4,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta28p065t-datasheets-4647.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 28 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 83 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 28А | 15 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 65В | 83 Вт Тс | 90А | 0,045 Ом | 200 мДж | -65В | P-канал | 2030пФ при 25В | 45 мОм при 14 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 28А ТЦ | 46 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTY2R4N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty2r4n50p-datasheets-5764.pdf | 500В | 2А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 55 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 29нс | 28 нс | 65 нс | 2,4А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55 Вт Тс | ТО-252АА | 4,5 А | 100 мДж | 500В | N-канал | 240пФ при 25В | 3,75 Ом при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 25 мкА | 2,4 А Тс | 6,1 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXTV30N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n50p-datasheets-3823.pdf | 500В | 30А | ТО-220-3, короткая вкладка | Без свинца | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 460 Вт | 1 | Не квалифицирован | 27нс | 21 нс | 75 нс | 30А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 460 Вт Тс | 75А | 0,2 Ом | 1200 мДж | 500В | N-канал | 4150пФ при 25В | 200 мОм при 15 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 70 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFC36N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr36n50p-datasheets-3707.pdf | 500В | 36А | ISOPLUS220™ | Без свинца | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 156 Вт | 1 | Не квалифицирован | 23нс | 23 нс | 82 нс | 19А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 156 Вт Тс | 500В | N-канал | 5500пФ при 25В | 190 мОм при 18 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 19А Тк | 93 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFC16N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfc16n50p-datasheets-5928.pdf | 500В | 16А | ISOPLUS220™ | Без свинца | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 25нс | 22 нс | 70 нс | 10А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 125 Вт Тс | 0,45 Ом | 750 мДж | 500В | N-канал | 2250пФ при 25В | 450 мОм при 8 А, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 10А Тс | 43 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR26N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr26n50q-datasheets-7365.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 30 нс | 16 нс | 55 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 Вт Тс | 104А | 0,2 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 3900пФ при 25В | 200 мОм при 13 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 24А Тк | 95 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT21N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft21n50q-datasheets-7416.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 280 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 28нс | 12 нс | 51 нс | 21А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 280 Вт Тс | 84А | 0,25 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 3000пФ при 25В | 250 мОм при 10,5 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 21А Тц | 84 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА160N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta160n085t-datasheets-7462.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 61нс | 36 нс | 65 нс | 160А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 350А | 0,006Ом | 1000 мДж | 85В | N-канал | 6400пФ при 25В | 6 м Ом при 50 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 160А Тс | 164 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКТС200Н10Т | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtc200n10t-datasheets-7509.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 160 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 45 нс | 101А | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 160 Вт Тс | 500А | 1500 мДж | 100 В | N-канал | 9400пФ при 25 В | 6,3 мОм при 50 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 101А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTC160N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ISOPLUS220™ | 6мОм | 110А | 85В | N-канал | 110А Тс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP2N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2n80p-datasheets-7550.pdf | ТО-220-3 | 3 | 8 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 70 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 35 нс | 28 нс | 53 нс | 2А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 70 Вт Тс | ТО-220АБ | 2А | 4А | 6Ом | 100 мДж | 800В | N-канал | 440пФ при 25В | 6 Ом при 1 А, 10 В | 5,5 В @ 50 мкА | 2А Тк | 10,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP152N085T | ИКСИС | 0,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta152n085t-datasheets-7446.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 50 нс | 45 нс | 50 нс | 152А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | ТО-220АБ | 410А | 0,007Ом | 750 мДж | 85В | N-канал | 5500пФ при 25В | 7 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 152А Тс | 114 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTC250N075T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtc250n075t-datasheets-7648.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 160 Вт | 1 | Не квалифицирован | 55 нс | 128А | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 160 Вт Тс | 600А | 0,0044Ом | 1000 мДж | 75В | N-канал | 9900пФ при 25 В | 4,4 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 128А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY2N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2n80p-datasheets-7550.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 70 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 35 нс | 28 нс | 53 нс | 2А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 70 Вт Тс | ТО-252АА | 2А | 4А | 6Ом | 100 мДж | 800В | N-канал | 440пФ при 25В | 6 Ом при 1 А, 10 В | 5,5 В @ 50 мкА | 2А Тк | 10,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTP182N055T | ИКСИС | 1,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta182n055t-datasheets-7499.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | 35 нс | 38 нс | 53 нс | 182А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | ТО-220АБ | 490А | 0,005 Ом | 1000 мДж | 55В | N-канал | 4850пФ при 25В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 182А Тс | 114 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR12N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1кВ | 12А | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 250 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 10А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 1000В | 48А | N-канал | 2900пФ при 25В | 1,1 Ом при 6 А, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 10А Тс | 90 нК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFE24N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe23n100-datasheets-1164.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 35 нс | 21 нс | 75 нс | 22А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 500 Вт Тс | 96А | 0,39 Ом | 3000 мДж | 1кВ | N-канал | 7000пФ при 25В | 390 мОм при 12 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 22А Тк | 250 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFE44N60 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe44n60-datasheets-8502.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 55нс | 45 нс | 110 нс | 41А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 176А | 0,13 Ом | 3000 мДж | 600В | N-канал | 8900пФ при 25 В | 130 мОм при 22 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 41А Тц | 330 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK33N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk33n50-datasheets-8544.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 150 мОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 416 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 42нс | 23 нс | 110 нс | 33А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 416 Вт Тс | 2500 мДж | 500В | N-канал | 5700пФ при 25В | 160 мОм при 16,5 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 33А Тц | 227 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
