Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Ixys

Ixys (5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Ряд Устанавливать Монтажный тип Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности влаги (MSL) Максимальная рабочая температура МИН рабочая температура Технология Операционный режим Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение - рейтинг DC Текущий рейтинг Диаметр Пакет / корпус Длина Высота Ширина Свободно привести Количество терминаций Время выполнения завода Масса Сопротивление Количество булавок PBFREE CODE Код ECCN Дополнительная функция Радиационное упрочнение Достичь кода соответствия HTS -код Код JESD-609 Терминальная отделка Справочный стандарт Поверхностное крепление Терминальная позиция Терминальная форма Пиковая температура отвоз (CEL) Подсчет штифтов Рабочая температура (макс) Конфигурация элемента Время@Пиковой температуру (я) Рассеяние власти Количество элементов Подкатегория Квалификационный статус Код JESD-30 Пакет устройства поставщика Вперед Впередное напряжение Максимальный ток Surge Время подъема Время падения (тип) Отключить время задержки Непрерывный ток дренажа (ID) Веревка к источническому напряжению (VGS) Макс обратный ток утечки Материал транзистора Конфигурация Случайный соединение Приложение транзистора Слейте до источника напряжения (VDS) Приложение DS Breakdown Trastage-Min Скорость Диодный элемент материал Power Dissipation-Max Rep PK обратное напряжение-макс Максимальный переадресный ток (IFSM) Пик обратный ток Максимальное повторяющее обратное напряжение (VRRM) Пик без повторного тока всплеска Обратное напряжение Обратный ток-макс Jedec-95 код Время восстановления обратного восстановления Время восстановления Диод тип Максимальное обратное напряжение (DC) Средний выпрямленный ток Незащитный PK-обратный ток-ток-макс Количество этапов Вывод тока-макс Обратное время восстановления Дренажный ток-ток (ABS) (ID) Импульсный ток сливного тока (IDM) Дренажный источник на сопротивлении-макс Рейтинг Evalanche Energy (EAS) Емкость @ vr, f Напряжение - DC Reverse (VR) (MAX) Слив до источника напряжения разбивки Тип FET Входная емкость (ciss) (max) @ vds Ток - обратная утечка @ vr Напряжение - вперед (vf) (max) @ if Ток - средний исправление (IO) Рабочая температура - соединение Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C Заряд затвора (qg) (max) @ vgs FET функция Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) VGS (макс)
DSEI12-06AS-TRL DSEI12-06AS-TRL Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Лента и катушка (TR) TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 20 недель Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) 50NS Стандартный 600 В. 50 мкА @ 600V 1,7 В @ 16a 14а -40 ° C ~ 150 ° C.
DMA10P1200UZ-TRL DMA10P1200UZ-TRL Ixys $ 2,31
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Лента и катушка (TR) TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2 20 недель Низкий ток утечки, PD-case IEC-60747 ДА ОДИНОКИЙ Крыло Печата 150 ° C. 2 R-PSSO-G2 Серия подключено, центральный крап, 2 элемента Анод и катод Общее назначение Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Кремний 75 Вт 1200 В. 5 мкА До 252AA Стандартный 92а 1 10а 1pf @ 400V 1 МГц 1200 В. 5 мкА @ 1200V 1,55 В @ 10a 10а -55 ° C ~ 175 ° C.
DSS10-0045A DSS10-0045A Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру Трубка 1 (неограниченный) 175 ° C. -55 ° C. ROHS3 соответствует 2006 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ds100045a-datasheets-4931.pdf До-220-2 2 2.299997G 2 да Ear99 Бесплатный диод колеса, высокая надежность, низкий шум 8541.10.00.80 НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Выпрямители диоды Не квалифицирован 10а 680 мВ Катод ВЛАСТЬ Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Кремний 90 Вт 140a 300 мкА 45 В. 140a Шоткий 45 В. 10а 1 300 мкА @ 45V 680MV @ 10a -55 ° C ~ 175 ° C.
DMA10P1800PZ-TRL DMA10P1800PZ-TRL Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Лента и катушка (TR) TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 2 20 недель Низкий ток утечки, PD-case IEC-60747 ДА ОДИНОКИЙ Крыло Печата 150 ° C. 2 R-PSSO-G2 Серия подключено, центральный крап, 2 элемента Анод и катод Общее назначение Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Кремний 100 Вт 1800v 10 мкА Стандартный 110a 1 10а 4pf @ 400v 1 МГц 1800v 10 мкА @ 1800V 1,26 В @ 10a 10а -55 ° C ~ 175 ° C.
DSS16-01AS-TUB DSS16-01AS-TUB Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление Трубка 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует 2000 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ds1601a-datasheets-1572.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB До-263ab Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Шоткий 100 В 16A 100 В 500 мкА при 100 В 790 мВ @ 15a 16A -55 ° C ~ 175 ° C.
DSEP60-06AT-TUB DSEP60-06AT-TUB Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfred ™ Поверхностное крепление Трубка 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dsep6006tub-datasheets-5809.pdf TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA 20 недель Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) 35NS Стандартный 600 В. 650 мкА при 600 В. 2.04V @ 60a 60A -55 ° C ~ 175 ° C.
DMA10P1600HR DMA10P1600HR Ixys $ 7,24
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Трубка До 247-3 3 28 недель Ear99 Низкий ток утечки, PD-case IEC-60747 НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 175 ° C. НЕ УКАЗАН 2 R-PSFM-T3 Серия подключено, центральный крап, 2 элемента Изолирован Общее назначение Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Кремний 75 Вт 1600v 10 мкА Стандартный 110a 1 4pf @ 400v 1 МГц 1600v 10 мкА @ 1600v 1.23V @ 10a 10а -55 ° C ~ 175 ° C.
DMA30P1600HR DMA30P1600HR Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Трубка До 247-3 3 28 недель Ear99 Низкий ток утечки, PD-Case, UL распознал 8541.10.00.80 IEC-60747 НЕТ ОДИНОКИЙ 175 ° C. 2 R-PSFM-T3 Серия подключено, центральный крап, 2 элемента Изолирован Общее назначение Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Кремний 115 Вт 1600v 40 мкА Стандартный 275а 1 30A 10pf @ 400V 1 МГц 1600v 40 мкА @ 1600V 1,28 В @ 30a 30A -55 ° C ~ 175 ° C.
W1185LC450 W1185LC450 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Шасси Масса 1 (неограниченный) 160 ° C. -55 ° C. ROHS3 соответствует 2004 Do-200ab, b-puk 58,5 мм 27 мм 58,5 мм 8 недель 2 Одинокий W4 1,2ka Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) 10,58ka 30 мА 4,5 кВ Стандартный 4500 В. 30 мА @ 4500V 2.4V @ 2420A 1185a -55 ° C ~ 160 ° C.
W3708MC350 W3708MC350 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Шасси Масса 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует DO-200AC, K-PUK 2 8 недель Ear99 8541.10.00.80 ДА КОНЕЦ Нет лидерства 160 ° C. 1 Выпрямители диоды O-CEDB-N2 ОДИНОКИЙ Общее назначение Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Кремний 3500 В. 100000 мкА 37 мкс Стандартный 33000а 1 3753a 3500 В. 100ma @ 3500v 1.27V @ 3000a 3753a -40 ° C ~ 160 ° C.
DS17-08A DS17-08A Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Шасси, Стад Шасси, Сталочное крепление Масса 1 (неограниченный) 180 ° C. -40 ° C. ROHS3 соответствует 2000 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ds1708a-datasheets-9185.pdf DO-203AA, DO-4, Стад 31,32 мм 11 мм 1 18 недель 2 да Ear99 8541.10.00.80 Верхний Припоя НЕ УКАЗАН 1 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Выпрямители диоды Не квалифицирован O-Mupm-D1 25а 1,36 В. 370a Анод Общее назначение Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Кремний 400а 4 мА 800 В. 400а 800 В. Лавина 800 В. 25а 1 4ma @ 800V 1,36 В @ 55A -40 ° C ~ 180 ° C.
M1583VF450 M1583VF450 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Шасси Масса 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует DO-200AD 8 недель W43 Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) 5 мкс Стандартный 4500 В. 150 мА @ 4500 В. 2.8V @ 2000a 1583а -40 ° C ~ 150 ° C.
W0944WC120 W0944WC120 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Шасси Масса 1 (неограниченный) 190 ° C. -40 ° C. ROHS3 соответствует 2004 42 мм Do-200ab, b-puk 14,4 мм 8 недель 2 Одинокий W1 945а Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) 9ka 15 мА 1,2 кВ Стандартный 1200 В. 15ma @ 1200V 1.45V @ 1930a 944a -40 ° C ~ 190 ° C.
W1730JK280 W1730JK280 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Шасси Масса 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует Do-200ab, b-puk 8 недель Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Стандартный 2800 В. 30 мА @ 2800V 1,2 В @ 1000а 1730а -40 ° C ~ 160 ° C.
DCG20C1200HR DCG20C1200HR Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Трубка До 247-3 20 недель Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Шоткий 755pf @ 0v 1 МГц 1200 В. 250 мкА @ 1200 В. 1,8 В @ 10a 12.5a -40 ° C ~ 150 ° C.
DGS13-025CS DGS13-025CS Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление Трубка 1 (неограниченный) 175 ° C. -55 ° C. ROHS COMPARINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dgsk28025cs-datasheets-7876.pdf TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2 Ear99 8541.10.00.80 E3 Олово (SN) Крыло Печата НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован R-PSSO-G2 80A 250 мкА Катод ЭФФЕКТИВНОСТЬ Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Арсенид галлия 34 Вт До 252AA 18 нс 18 нс Шоткий 250 В. 21а 1 250 мкА при 250 В 1,7 В @ 7,5а -55 ° C ~ 175 ° C.
DSS1-40BA DSS1-40BA Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 150 ° C. -55 ° C. ROHS COMPARINT 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ds140ba-datasheets-1759.pdf DO-214AC, SMA 2 2 да Ear99 Высокая надежность, низкий шум, бесплатный диод колеса 8541.10.00.80 Двойной C Bend НЕ УКАЗАН 2 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован 500 мВ Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Кремний 45а Шоткий 40 В 1A 1A 100 мкА при 40 В 420 мВ @ 1a -55 ° C ~ 150 ° C.
DGS10-025AS DGS10-025AS Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление Трубка 1 (неограниченный) 175 ° C. -55 ° C. ROHS COMPARINT 2004 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dgsk20025a-datasheets-7895.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 2 Ear99 8541.10.00.80 Крыло Печата НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Выпрямители диоды Не квалифицирован R-PSSO-G2 20А 1,3 мА Катод Общее назначение Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Арсенид галлия Шоткий 250 В. 12A 1 0,013 мкс 1,3 мА @ 250V 1,5 В @ 5a -55 ° C ~ 175 ° C.
DGS10-018AS-TUB DGS10-018AS-TUB Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Трубка 1 (неограниченный) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dgsk20018a-datasheets-6339.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Шоткий 180В 1,3 мА @ 180V 1.1V @ 5a 15A -55 ° C ~ 175 ° C.
IXFA80N25X3 Ixfa80n25x3 Ixys $ 8,72
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™ Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2017 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp80n25x3-datasheets-1727.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 19 недель да 250 В. 390 Вт TC N-канал 5430pf @ 25V 16m ω @ 40a, 10 В 4,5 В при 1,5 мА 80A TC 83NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTA52P10P IXTA52P10P Ixys $ 5,30
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Polarp ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta52p10p-datasheets-3128.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Свободно привести 2 17 недель да Ear99 Лавина оценена not_compliant E3 Матовая олова (SN) Крыло Печата НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Другие транзисторы Не квалифицирован R-PSSO-G2 29ns 22 нс 38 нс 52а 20 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 100 В 300 Вт TC 130a 0,05om 1500 МДж -100 В. P-канал 2845pf @ 25V 50 м ω @ 500 мА, 10 В 4,5 В при 250 мкА 52A TC 60NC @ 10 В. 10 В ± 20 В.
MCB30P1200LB-TUB MCB30P1200L-TUB Ixys $ 123,46
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать MCB30P1200LB Поверхностное крепление 9-Powersmd 28 недель 1200 В. 4 N-канал (половина моста) Стандартный
IXTA200N055T2 IXTA200N055T2 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Trencht2 ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta200n055t2-datasheets-3520.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Свободно привести 2 28 недель да Ear99 Лавина оценена not_compliant E3 Матовая олова (SN) Крыло Печата НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 360 Вт 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован R-PSSO-G2 22ns 27 нс 49 нс 200a 20 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 360 Вт TC 500а 0,0042om 600 МДж 55 В. N-канал 6800PF @ 25V 4,2 мм ω @ 50a, 10 В 4 В @ 250 мкА 200A TC 109NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFH140N20X3 Ixfh140n20x3 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™ Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh140n20x3-datasheets-4865.pdf До 247-3 19 недель 200 В 520W TC N-канал 7660PF @ 25V 9,6 мм ω @ 70a, 10v 4,5 В @ 4MA 140A TC 127NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTH02N450HV IXTH02N450HV Ixys $ 23,14
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2014 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth02n450hv-datasheets-1763.pdf До 247-3 вариант 3 24 недели ОДИНОКИЙ 1 R-PSFM-T3 200 мА Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 4500 В. 4500 В. 113W TC 0,2а 0,6а N-канал 246PF @ 25V 625 ω @ 10ma, 10 В 6,5 В при 250 мкА 200 мА TC 10,6NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTH10P60 IXTH10P60 Ixys $ 24,35
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка Непригодный МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth10p60-datasheets-2057.pdf -600 В. -10a До 247-3 Свободно привести 3 5 недель 1 Ом 3 нет Ear99 Лавина оценена E3 Матовая олова (SN) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Другие транзисторы Не квалифицирован 27ns 35 нс 85 нс 10а 20 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 600 В. 300 Вт TC 40a -600 В. P-канал 4700PF @ 25V 1 ω @ 5a, 10 В 5 В @ 250 мкА 10a tc 160NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFK240N25X3 Ixfk240n25x3 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™ Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx240n25x3-datasheets-2256.pdf До 264-3, до 264AA 19 недель 250 В. 1250W TC N-канал 23800PF @ 25V 5m ω @ 120a, 10 В 4,5 В @ 8ma 240A TC 345NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFP76N15T2 IXFP76N15T2 Ixys $ 1,14
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™, Trencht2 ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp76n15t2-datasheets-5436.pdf До 220-3 3 26 недель да Ear99 Лавина оценена ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован R-PSFM-T3 76а Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 150 В. 150 В. 350 Вт TC До-220AB 200a 0,02 Ом 500 МДж N-канал 5800pf @ 25V 20 м ω @ 38a, 10 В 4,5 В при 250 мкА 76A TC 97NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTH240N15X4 IXTH240N15x4 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру -55 ° C ~ 175 ° C TJ 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth240n15x4-datasheets-5560.pdf До 247-3 15 недель 150 В. 940W TC N-канал 8900PF @ 25V 4,4 мм ω @ 120a, 10 В 4,5 В при 250 мкА 240A TC 195NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTT12N150 IXTT12N150 Ixys $ 14,43
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt12n150-datasheets-5663.pdf TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Свободно привести 2 24 недели 3 Лавина оценена Нет E3 Матовая олова (SN) ОДИНОКИЙ Крыло Печата 890 Вт 1 FET Общее назначение власти R-PSSO-G2 12A Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 1500 В. 890 Вт TC 40a 2 Ом 750 МДж N-канал 3720pf @ 25V 2 ω @ 6a, 10v 4,5 В при 250 мкА 12A TC 106NC @ 10V 10 В ± 30 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.