Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АС4К4М32Д1А-5БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32d1a5bcn-datasheets-9087.pdf | 144-ЛФБГА | 8 недель | неизвестный | 2,3 В~2,7 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС7К164А-15ПИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c164a15jintr-datasheets-6691.pdf | 28-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 4,5 В~5,5 В | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C32098A-15ТИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32098a20tin-datasheets-0668.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 40 | Р-ПДСО-Г44 | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ16 | 16 | 15нс | 2097152 бит | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D1A-6TINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d1a6tin-datasheets-4260.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | неизвестный | 2,3 В~2,7 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS8C163631-QC166N | Альянс Память, Инк. | $14,76 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as8c161831qc166n-datasheets-9717.pdf | 100-LQFP | 2,5 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | 18 Мб | да | 2 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | ДА | 2,3 В~2,6 В | КВАД | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3,5 нс | 166 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 36 | 6нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К1608-55БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c160855tin-datasheets-4957.pdf | 48-ЛФБГА | 10 мм | 8 мм | 48 | 8 недель | 48 | да | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX8 | 8 | 55нс | 16777216 бит | 55 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U6264BS2C07LLG1TR | Альянс Память, Инк. | 0,87 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-u6264bs2c07llg1tr-datasheets-8713.pdf | 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) | 28 | 8 недель | 28 | да | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 8КХ8 | 8 | 70нс | 65536 бит | 70 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16S-6TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s6tantr-datasheets-8883.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 2нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16S-7BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16s6tintr-datasheets-8724.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 54 | 54 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 14 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M8SA-7TCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememory-as4c64m8sa7tcn-datasheets-7127.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 133 МГц | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M8SA-7TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3В~3,6В | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16МД1-6БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | 60-ТФБГА | 10 мм | 8 мм | 60 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б60 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М8Д3Л-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3l12bin-datasheets-9785.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,35 В | 78 | 78 | 4ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C2M32S-6TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6tin-datasheets-9684.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Параллельно | 64 Мб | 166 МГц | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | 11б | ДРАМ | Параллельно | 2нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16Д3-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | -40°С | SDRAM-DDR3 | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d312bcn-datasheets-9740.pdf | 96-ТФБГА | 1,5 В | Без свинца | 96 | Параллельно | 2 ГБ | 800 МГц | 1,425 В~1,575 В | 96-ФБГА (9x13) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М8Д3Л-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | -40°С | SDRAM-DDR3L | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3l12bin-datasheets-9785.pdf | 78-ТФБГА | 1,35 В | 78 | Параллельно | 4ГБ | 800 МГц | 1,283 В~1,45 В | 78-ФБГА (9х10,5) | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M32MD1-5BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°C~85°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -25°С | SDRAM — мобильный LPDDR | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m32md15bcntr-datasheets-3365.pdf | 90-ВФБГА | 8 недель | 90 | Параллельно | 1,7 В~1,9 В | 90-ФБГА (8x13) | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16S-7BCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s7bcntr-datasheets-8807.pdf | 54-ТФБГА | 8,1 мм | 710 мкм | 8,1 мм | 3,3 В | Без свинца | 110 мА | 54 | 54 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 2нс | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC16M16A2TG-6A:ГТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc16m16a2tg6aitgtr-datasheets-8457.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 1 недели | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:J | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc2m32b2tg6aitjtr-datasheets-8484.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 1 недели | 3В~3,6В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3ЛА-12БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bcn-datasheets-5157.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M16D3LA-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bcn-datasheets-5157.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3LA-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3la12bcn-datasheets-1891.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3ЛА-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bin-datasheets-5234.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 96-ФБГА (9x13) | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М32МД2-18БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m32md218bcn-datasheets-5851.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 11,5 мм | 134 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б134 | 4Гб 128М х 32 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX32 | 32 | 15нс | 4294967296 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M32MS-6BINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильная SDRAM | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16ms7bcn-datasheets-5867.pdf | 90-ВФБГА | 8 недель | 1,7 В~1,95 В | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М32МД2-18БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m32md218bin-datasheets-3495.pdf | 134-ВФБГА | 1,2 В 1,8 В | 134-ФБГА (11,5х11,5) | 8Гб 256М х 32 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К1008-55ПИН | Альянс Память, Инк. | $3,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | SRAM — асинхронный | 3,937 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c100855pcn-datasheets-2988.pdf | 32-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 3В | 32 | 8 недель | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | НЕТ | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 2,54 мм | 32 | 5,5 В | 2,7 В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС7К316098А-10БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316098a10bin-datasheets-7816.pdf | 48-ЛФБГА | 6,05 мм | 1,05 мм | 8,05 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 3В~3,6В | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 20б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К4008-55СТИН | Альянс Память, Инк. | $4,45 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c400855stin-datasheets-3230.pdf | 32-LFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 3В | Без свинца | 32 | 8 недель | 32 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 18 МГц | 1 | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 32 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 0,06 мА | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 0,00003А | 55 нс | ОБЩИЙ | 2В |
