Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Максимальный ток питания | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АС4К16М16Д2-25БЦН | Альянс Память, Инк. | $3,02 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16d225bin-datasheets-7831.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б84 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К4008А-55БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c4008a55stintr-datasheets-8279.pdf | 36-ТФБГА | 8 мм | 3В | 36 | 8 недель | 36 | 4 Мб | да | 1 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 36 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C32096A-10TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32096a10tin-datasheets-6372.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 40 | Р-ПДСО-Г44 | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 10 нс | 2097152 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C316098A-10ТИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316098a10bin-datasheets-7816.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 3,3 В | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 20б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D1-6TINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d16tcn-datasheets-5024.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | неизвестный | 2,3 В~2,7 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M8D3LB-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3lb12bcn-datasheets-4735.pdf | 78-ВФБГА | 10,6 мм | 9 мм | 78 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ 1,35 В. | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б78 | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS8C801825A-QC75N | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as8c803625aqc75n-datasheets-6202.pdf | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | 8 Мб | да | 100 МГц | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 9Мб 512К х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | СРАМ | Параллельно | 512КХ18 | 18 | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16D1-5TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d15tcntr-datasheets-8862.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 66 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,625 В | 2,375 В | 40 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 700пс | 200 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К8М16С-6ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s6tantr-datasheets-8883.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | Без свинца | 54 | 54 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | CAS ПЕРЕД RAS/САМООБНОВЛЕНИЕ/АВТООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | 0,14 мА | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 2нс | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||
| AS7C1024B-12ТДЖИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1024b12jcn-datasheets-7073.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 4,5 В~5,5 В | 32-СОЮ | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 12нс | СРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д2-25БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d225bcntr-datasheets-8914.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | Без свинца | 84 | 8 недель | 84 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 400пс | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К2М32С-6ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6tin-datasheets-9684.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 86 | Параллельно | 64 Мб | Нет | 166 МГц | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | 11б | ДРАМ | Параллельно | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16Д3Л-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3l12bin-datasheets-9758.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,35 В | Без свинца | 96 | 96 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М8Д3-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d312bcn-datasheets-9808.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,5 В | 78 | 78 | 4ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M16MD1-5BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°C~85°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -30°С | SDRAM — мобильный LPDDR | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16md15bcntr-datasheets-2842.pdf | 60-ТФБГА | 1,8 В | 8 недель | 60 | Параллельно | 512 Мб | 200 МГц | 1,7 В~1,9 В | 60-ФПБГА (8х9) | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16МД1-6БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,05 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md16bintr-datasheets-2903.pdf | 60-ТФБГА | 10 мм | 1,8 В | Без свинца | 60 | 8 недель | 60 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д3Л-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | -40°С | SDRAM-DDR3L | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3l12bcn-datasheets-0762.pdf | 96-ВФБГА | 1,35 В | 96 | Параллельно | 1 ГБ | 800 МГц | 1,283 В~1,45 В | 96-ФБГА (8х13) | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16S-7TCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s6tantr-datasheets-8883.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,35 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 3,3 В | Без свинца | 110 мА | 54 | 54 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | CAS ПЕРЕД RAS/САМООБНОВЛЕНИЕ/АВТООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 2нс | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | ||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC32M16A2TG-75:ИТ:С | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 4 (72 часа) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc64m8a2p75ctr-datasheets-4036.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | EAR99 | неизвестный | 8542.32.00.28 | 3В~3,6В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К2М32Д1-5БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM-DDR | 200 МГц | Соответствует RoHS | БГА | Параллельно | 2,3 В~2,7 В | 144-БГА | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16Д3А-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3a12ban-datasheets-5142.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 96 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3А-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3a12bin-datasheets-5123.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,425 В~1,575 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М8Д3А-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | /files/alliancememoryinc-as4c512m8d3a12ban-datasheets-5241.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 9 мм | 78 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-Б78 | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15нс | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M8D3LA-12BANTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | 78-ВФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3LA-12BANTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3la12ban-datasheets-5325.pdf | 78-ВФБГА | 1,283 В~1,45 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M16MD2-25BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m32md225bcn-datasheets-5881.pdf | 134-ВФБГА | 1,14 В~1,95 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16MD2A-25BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3556.pdf | 134-ВФБГА | 1,14 В~1,95 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16СБ-7БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3В~3,6В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 6нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 14нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16СБ-7ТИН | Альянс Память, Инк. | $21,33 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16sb7tin-datasheets-7280.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 14нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1024C-12ДЖИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1024c12jin-datasheets-2986.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 21,08 мм | 2,92 мм | 10,29 мм | 5В | Без свинца | 32 | 10 недель | 32 | 1 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 32 | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 12нс |
