Альянс Память, Инк.

Альянс Память, Инк.(2556)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (Макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Макс. частота Достичь кода соответствия Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Напряжение питания Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Размер памяти Тип памяти Ширина шины данных Выходные характеристики Время доступа Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Организация Ширина памяти Время цикла записи — Word, Page Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Время доступа (макс.) Тип ввода/вывода Циклы обновления Напряжение в режиме ожидания-мин. Режим доступа
AS4C4M32D1A-5BINTR АС4К4М32Д1А-5БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR Не соответствует требованиям RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32d1a5bcn-datasheets-9087.pdf 144-ЛФБГА 8 недель неизвестный 2,3 В~2,7 В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 128Мб 4М х 32 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 12нс
AS7C164A-15PIN АС7К164А-15ПИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -40°C~85°C ТА Трубка 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c164a15jintr-datasheets-6691.pdf 28-ДИП (0,300, 7,62 мм) 8 недель 4,5 В~5,5 В 64Кб 8К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 15нс
AS7C32098A-15TINTR AS7C32098A-15ТИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32098a20tin-datasheets-0668.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 18,415 мм 10,16 мм 44 8 недель да 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 44 3,6 В 40 Р-ПДСО-Г44 2Мб 128К х 16 Неустойчивый СРАМ Параллельно 128КХ16 16 15нс 2097152 бит 15 нс
AS4C64M16D1A-6TINTR AS4C64M16D1A-6TINTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d1a6tin-datasheets-4260.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 8 недель неизвестный 2,3 В~2,7 В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 700пс 166 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS8C163631-QC166N AS8C163631-QC166N Альянс Память, Инк. $14,76
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR 1,6 мм Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as8c161831qc166n-datasheets-9717.pdf 100-LQFP 2,5 В Без свинца 100 8 недель 100 18 Мб да 2 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 ДА 2,3 В~2,6 В КВАД 2,5 В 0,65 мм 100 18Мб 512К х 36 Неустойчивый 3,5 нс 166 МГц 19б СРАМ Параллельно 36 6нс
AS6C1608-55BINTR АС6К1608-55БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,4 мм Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c160855tin-datasheets-4957.pdf 48-ЛФБГА 10 мм 8 мм 48 8 недель 48 да 1 ДА 2,7 В~3,6 В НИЖНИЙ 260 0,75 мм 48 3,6 В 2,7 В 40 16Мб 2М х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 2MX8 8 55нс 16777216 бит 55 нс
U6264BS2C07LLG1TR U6264BS2C07LLG1TR Альянс Память, Инк. 0,87 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-u6264bs2c07llg1tr-datasheets-8713.pdf 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) 28 8 недель 28 да 8542.32.00.41 1 ДА 4,5 В~5,5 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 5,5 В 4,5 В НЕ УКАЗАН 64Кб 8К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 8КХ8 8 70нс 65536 бит 70 нс
AS4C8M16S-6TCNTR AS4C8M16S-6TCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM 1,2 мм Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s6tantr-datasheets-8883.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 3,3 В 54 54 128 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 54 3,6 В 40 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 16б 5нс 166 МГц 12б ДРАМ Параллельно 8MX16 16 2нс
AS4C16M16S-7BCNTR AS4C16M16S-7BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16s6tintr-datasheets-8724.pdf 54-ТФБГА 8 мм 54 54 да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 3В~3,6В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,8 мм 54 3,6 В НЕ УКАЗАН 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 16б 5,4 нс 143 МГц ДРАМ Параллельно 16MX16 16 14 нс
AS4C64M8SA-7TCN AS4C64M8SA-7TCN Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) 70°С 0°С SDRAM 143 МГц Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememory-as4c64m8sa7tcn-datasheets-7127.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) Без свинца 3,6 В 54 Параллельно 133 МГц 3В~3,6В 54-ЦОП II 512Мб 64М х 8 Неустойчивый 5,4 нс 133 МГц ДРАМ Параллельно
AS4C64M8SA-7TCNTR AS4C64M8SA-7TCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 3В~3,6В 512Мб 64М х 8 Неустойчивый 5,4 нс 133 МГц ДРАМ Параллельно
AS4C32M16MD1-6BCN АС4К32М16МД1-6БЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -25°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует RoHS 2014 год 60-ТФБГА 10 мм 8 мм 60 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.28 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В Р-ПБГА-Б60 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 700пс 166 МГц ДРАМ Параллельно 32MX16 16 15нс 536870912 бит
AS4C512M8D3L-12BIN АС4К512М8Д3Л-12БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3l12bin-datasheets-9785.pdf 78-ТФБГА 10,5 мм 1,35 В 78 78 4ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.36 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В НЕ УКАЗАН 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц 16б ДРАМ Параллельно 512MX8 8 15нс
AS4C2M32S-6TCNTR AS4C2M32S-6TCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С SDRAM 166 МГц Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6tin-datasheets-9684.pdf 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) 3,3 В Параллельно 64 Мб 166 МГц 3В~3,6В 86-ЦОП II 64Мб 2М х 32 Неустойчивый 5,5 нс 166 МГц 11б ДРАМ Параллельно 2нс
AS4C128M16D3-12BINTR АС4К128М16Д3-12БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 95°С -40°С SDRAM-DDR3 800 МГц Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d312bcn-datasheets-9740.pdf 96-ТФБГА 1,5 В Без свинца 96 Параллельно 2 ГБ 800 МГц 1,425 В~1,575 В 96-ФБГА (9x13) 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц 14б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C512M8D3L-12BINTR АС4К512М8Д3Л-12БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 95°С -40°С SDRAM-DDR3L 800 МГц Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3l12bin-datasheets-9785.pdf 78-ТФБГА 1,35 В 78 Параллельно 4ГБ 800 МГц 1,283 В~1,45 В 78-ФБГА (9х10,5) 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц 16б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C32M32MD1-5BCNTR AS4C32M32MD1-5BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -25°C~85°C ТДж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -25°С SDRAM — мобильный LPDDR 200 МГц Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m32md15bcntr-datasheets-3365.pdf 90-ВФБГА 8 недель 90 Параллельно 1,7 В~1,9 В 90-ФБГА (8x13) 1Гб 32М х 32 Неустойчивый 5нс 200 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C8M16S-7BCN AS4C8M16S-7BCN Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s7bcntr-datasheets-8807.pdf 54-ТФБГА 8,1 мм 710 мкм 8,1 мм 3,3 В Без свинца 110 мА 54 54 128 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 3В~3,6В НИЖНИЙ 260 3,3 В 0,8 мм 54 3,6 В 40 Не квалифицирован 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 16б 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5,4 нс 143 МГц ДРАМ Параллельно 8MX16 2нс 0,002А ОБЩИЙ 4096
MT48LC16M16A2TG-6A:GTR MT48LC16M16A2TG-6A:ГТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM Не соответствует требованиям RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc16m16a2tg6aitgtr-datasheets-8457.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 1 недели 3В~3,6В 54-ЦОП II 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 167 МГц ДРАМ Параллельно 12нс
MT48LC2M32B2TG-6A IT:J MT48LC2M32B2TG-6A IT:J Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM Не соответствует требованиям RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc2m32b2tg6aitjtr-datasheets-8484.pdf 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) 1 недели 3В~3,6В 64Мб 2М х 32 Неустойчивый 5,4 нс 167 МГц ДРАМ Параллельно 12нс
AS4C256M16D3LA-12BCN АС4К256М16Д3ЛА-12БКН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует RoHS 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bcn-datasheets-5157.pdf 96-ВФБГА 13 мм 9 мм 96 8 недель да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ совместимый 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-В96 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 256MX16 16 15нс 4294967296 бит
AS4C256M16D3LA-12BCNTR AS4C256M16D3LA-12BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bcn-datasheets-5157.pdf 96-ВФБГА 8 недель 1,283 В~1,45 В 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C64M16D3LA-12BCNTR AS4C64M16D3LA-12BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3la12bcn-datasheets-1891.pdf 96-ВФБГА 8 недель 1,283 В~1,45 В 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M16D3LA-12BINTR АС4К256М16Д3ЛА-12БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L Не соответствует требованиям RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bin-datasheets-5234.pdf 96-ВФБГА 8 недель 1,283 В~1,45 В 96-ФБГА (9x13) 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C128M32MD2-18BCN АС4К128М32МД2-18БЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -25°К~85°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 СИНХРОННЫЙ 0,8 мм Не соответствует требованиям RoHS 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m32md218bcn-datasheets-5851.pdf 134-ВФБГА 11,5 мм 11,5 мм 134 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. 1 ДА 1,14 В~1,95 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,2 В 0,65 мм 1,3 В 1,14 В НЕ УКАЗАН С-ПБГА-Б134 4Гб 128М х 32 Неустойчивый 533 МГц ДРАМ Параллельно 128MX32 32 15нс 4294967296 бит НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ
AS4C16M32MS-6BINTR AS4C16M32MS-6BINTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM — мобильная SDRAM https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16ms7bcn-datasheets-5867.pdf 90-ВФБГА 8 недель 1,7 В~1,95 В 512Мб 16М х 32 Неустойчивый 5,4 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M32MD2-18BINTR АС4К256М32МД2-18БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~85°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m32md218bin-datasheets-3495.pdf 134-ВФБГА 1,2 В 1,8 В 134-ФБГА (11,5х11,5) 8Гб 256М х 32 Неустойчивый 533 МГц ДРАМ
AS6C1008-55PIN АС6К1008-55ПИН Альянс Память, Инк. $3,38
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -40°C~85°C ТА Трубка 1 (без ограничений) SRAM — асинхронный 3,937 мм Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c100855pcn-datasheets-2988.pdf 32-ДИП (0,600, 15,24 мм) 32 8 недель 32 1 Мб да 1 EAR99 Нет 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ НЕТ 2,7 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 2,54 мм 32 5,5 В 2,7 В 1Мб 128К х 8 Неустойчивый 17б СРАМ Параллельно 8 55нс 55 нс
AS7C316098A-10BIN АС7К316098А-10БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1 МГц Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316098a10bin-datasheets-7816.pdf 48-ЛФБГА 6,05 мм 1,05 мм 8,05 мм 3,3 В Без свинца 8 недель 48 16 Мб да 1 Нет 1 3В~3,6В 3,3 В 0,75 мм 48 3,6 В 2,7 В 16Мб 1М х 16 Неустойчивый 20б СРАМ Параллельно 10 нс
AS6C4008-55STIN АС6К4008-55СТИН Альянс Память, Инк. $4,45
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c400855stin-datasheets-3230.pdf 32-LFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) Без свинца 32 8 недель 32 4 Мб да 1 Нет 18 МГц 1 ДА 2,7 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 260 0,5 мм 32 5,5 В 2,7 В 40 3/5 В 0,06 мА 4Мб 512К х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 19б СРАМ Параллельно 8 55нс 0,00003А 55 нс ОБЩИЙ

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.