Альянс Память, Инк.

Альянс Память, Инк.(2556)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Макс. частота Достичь кода соответствия Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Напряжение питания Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Максимальный ток питания Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Размер памяти Тип памяти Ширина шины данных Выходные характеристики Время доступа Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Организация Ширина памяти Время цикла записи — Word, Page Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Время доступа (макс.) Тип ввода/вывода Циклы обновления Последовательная длина пакета Длина чередующегося пакета
AS4C16M16D2-25BCN АС4К16М16Д2-25БЦН Альянс Память, Инк. $3,02
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16d225bin-datasheets-7831.pdf 84-ТФБГА 12,5 мм 8 мм 84 8 недель да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б84 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 400пс 400 МГц ДРАМ Параллельно 16MX16 16 15нс 268435456 бит
AS6C4008A-55BIN АС6К4008А-55БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c4008a55stintr-datasheets-8279.pdf 36-ТФБГА 8 мм 36 8 недель 36 4 Мб да 1 1 ДА 2,7 В~3,6 В НИЖНИЙ 260 0,75 мм 36 3,6 В 2,7 В 40 4Мб 512К х 8 Неустойчивый 19б СРАМ Параллельно 8 55нс 55 нс
AS7C32096A-10TCNTR AS7C32096A-10TCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32096a10tin-datasheets-6372.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 18,415 мм 10,16 мм 44 8 недель да 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 44 3,6 В 40 Р-ПДСО-Г44 2Мб 256К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 256КХ8 8 10 нс 2097152 бит 10 нс
AS7C316098A-10TINTR AS7C316098A-10ТИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316098a10bin-datasheets-7816.pdf 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) 3,3 В 48 8 недель 48 16 Мб да 1 Нет 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,5 мм 48 3,6 В 2,7 В 40 16Мб 1М х 16 Неустойчивый 20б СРАМ Параллельно 16 10 нс
AS4C64M16D1-6TINTR AS4C64M16D1-6TINTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d16tcn-datasheets-5024.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 8 недель неизвестный 2,3 В~2,7 В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 700пс 166 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C512M8D3LB-12BCNTR AS4C512M8D3LB-12BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3lb12bcn-datasheets-4735.pdf 78-ВФБГА 10,6 мм 9 мм 78 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ 1,35 В. 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б78 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 512MX8 8 15нс 4294967296 бит
AS8C801825A-QC75N AS8C801825A-QC75N Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR 1,6 мм Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as8c803625aqc75n-datasheets-6202.pdf 100-LQFP 20 мм 14 мм 3,3 В Без свинца 100 8 недель 100 8 Мб да 100 МГц 1 ДА 3,135 В~3,465 В КВАД НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,65 мм 100 3,465 В 3,135 В НЕ УКАЗАН 9Мб 512К х 18 Неустойчивый 7,5 нс СРАМ Параллельно 512КХ18 18 10 нс
AS4C8M16D1-5TCNTR AS4C8M16D1-5TCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR 1,2 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d15tcntr-datasheets-8862.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 2,5 В 66 66 128 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.02 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 2,3 В~2,7 В ДВОЙНОЙ 260 2,5 В 0,65 мм 66 2,625 В 2,375 В 40 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 16б 700пс 200 МГц 12б ДРАМ Параллельно 8MX16 16 15нс
AS4C8M16S-6TCN АС4К8М16С-6ТЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM 1,2 мм Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s6tantr-datasheets-8883.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 3,3 В Без свинца 54 54 128 Мб да 1 EAR99 CAS ПЕРЕД RAS/САМООБНОВЛЕНИЕ/АВТООБНОВЛЕНИЕ Нет 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 54 3,6 В 40 0,14 мА 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 16б 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5нс 166 МГц 12б ДРАМ Параллельно 8MX16 16 2нс 0,002А ОБЩИЙ 4096 1248ФП 1248
AS7C1024B-12TJIN AS7C1024B-12ТДЖИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Трубка 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1024b12jcn-datasheets-7073.pdf 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) 8 недель 4,5 В~5,5 В 32-СОЮ 1Мб 128К х 8 Неустойчивый 12нс СРАМ Параллельно 12нс
AS4C64M16D2-25BIN АС4К64М16Д2-25БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 1,2 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d225bcntr-datasheets-8914.pdf 84-ТФБГА 12,5 мм 1,8 В Без свинца 84 8 недель 84 1 ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.32 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 16б 400пс 400 МГц 13б ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс
AS4C2M32S-6TCN АС4К2М32С-6ТЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) 70°С 0°С SDRAM 166 МГц Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6tin-datasheets-9684.pdf 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) 3,3 В Без свинца 86 Параллельно 64 Мб Нет 166 МГц 3В~3,6В 86-ЦОП II 64Мб 2М х 32 Неустойчивый 32б 5,5 нс 166 МГц 11б ДРАМ Параллельно 2нс
AS4C128M16D3L-12BIN АС4К128М16Д3Л-12БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3l12bin-datasheets-9758.pdf 96-ТФБГА 13 мм 1,35 В Без свинца 96 96 2 ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.36 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В НЕ УКАЗАН 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц 14б ДРАМ Параллельно 128MX16 16 15нс
AS4C512M8D3-12BIN АС4К512М8Д3-12БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d312bcn-datasheets-9808.pdf 78-ТФБГА 10,5 мм 1,5 В 78 78 4ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.36 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц 16б ДРАМ Параллельно 512MX8 8 15нс
AS4C32M16MD1-5BCNTR AS4C32M16MD1-5BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°C~85°C ТДж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -30°С SDRAM — мобильный LPDDR 200 МГц Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16md15bcntr-datasheets-2842.pdf 60-ТФБГА 1,8 В 8 недель 60 Параллельно 512 Мб 200 МГц 1,7 В~1,9 В 60-ФПБГА (8х9) 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 700пс 200 МГц 13б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C64M16MD1-6BIN АС4К64М16МД1-6БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR СИНХРОННЫЙ 1,05 мм Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md16bintr-datasheets-2903.pdf 60-ТФБГА 10 мм 1,8 В Без свинца 60 8 недель 60 1 ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.32 1 ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,8 мм 1,95 В 1,7 В НЕ УКАЗАН 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 5нс 166 МГц 14б ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс
AS4C64M16D3L-12BINTR АС4К64М16Д3Л-12БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 95°С -40°С SDRAM-DDR3L 800 МГц Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3l12bcn-datasheets-0762.pdf 96-ВФБГА 1,35 В 96 Параллельно 1 ГБ 800 МГц 1,283 В~1,45 В 96-ФБГА (8х13) 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц 13б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C8M16S-7TCN AS4C8M16S-7TCN Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s6tantr-datasheets-8883.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,35 мм 1,1 мм 10,29 мм 3,3 В Без свинца 110 мА 54 54 128 Мб да 1 EAR99 CAS ПЕРЕД RAS/САМООБНОВЛЕНИЕ/АВТООБНОВЛЕНИЕ Нет 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 54 3,6 В 40 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 16б 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5,4 нс 143 МГц 14б ДРАМ Параллельно 8MX16 2нс 0,002А ОБЩИЙ 4096
MT48LC32M16A2TG-75:IT:C MT48LC32M16A2TG-75:ИТ:С Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 4 (72 часа) SDRAM Не соответствует требованиям RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc64m8a2p75ctr-datasheets-4036.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) EAR99 неизвестный 8542.32.00.28 3В~3,6В 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C2M32D1-5BCN АС4К2М32Д1-5БЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С SDRAM-DDR 200 МГц Соответствует RoHS БГА Параллельно 2,3 В~2,7 В 144-БГА 64Мб 2М х 32 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C128M16D3A-12BAN АС4К128М16Д3А-12БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1 мм Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3a12ban-datasheets-5142.pdf 96-ВФБГА 13 мм 8 мм 96 8 недель да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-В96 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 128MX16 16 15нс 2147483648 бит
AS4C256M16D3A-12BINTR АС4К256М16Д3А-12БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3a12bin-datasheets-5123.pdf 96-ВФБГА 8 недель 1,425 В~1,575 В 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C512M8D3A-12BAN АС4К512М8Д3А-12БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1 мм /files/alliancememoryinc-as4c512m8d3a12ban-datasheets-5241.pdf 78-ВФБГА 10,5 мм 9 мм 78 8 недель да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ совместимый 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В Р-ПБГА-Б78 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 512MX8 8 15нс 4294967296 бит
AS4C512M8D3LA-12BANTR AS4C512M8D3LA-12BANTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L 78-ВФБГА 8 недель 1,283 В~1,45 В 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M8D3LA-12BANTR AS4C256M8D3LA-12BANTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3la12ban-datasheets-5325.pdf 78-ВФБГА 1,283 В~1,45 В 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C128M16MD2-25BCNTR AS4C128M16MD2-25BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°К~85°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m32md225bcn-datasheets-5881.pdf 134-ВФБГА 1,14 В~1,95 В 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 400 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C64M16MD2A-25BCNTR AS4C64M16MD2A-25BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°К~85°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3556.pdf 134-ВФБГА 1,14 В~1,95 В 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 400 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C32M16SB-7BINTR АС4К32М16СБ-7БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА 3 (168 часов) SDRAM Соответствует ROHS3 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 3В~3,6В 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 6нс 143 МГц ДРАМ Параллельно 14нс
AS4C32M16SB-7TIN АС4К32М16СБ-7ТИН Альянс Память, Инк. $21,33
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16sb7tin-datasheets-7280.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 10,16 мм 54 8 недель да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,8 мм 3,6 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-Г54 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 143 МГц ДРАМ Параллельно 32MX16 16 14нс 536870912 бит
AS7C1024C-12JIN AS7C1024C-12ДЖИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Трубка 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1024c12jin-datasheets-2986.pdf 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) 21,08 мм 2,92 мм 10,29 мм Без свинца 32 10 недель 32 1 Мб да 1 Нет 1 4,5 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 245 32 40 1Мб 128К х 8 Неустойчивый 17б СРАМ Параллельно 12нс

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.