Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAlliance Memory, Inc. (2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Завершение | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Максимальный ток снабжения | Количество терминаций | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | PBFREE CODE | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Адреса ширины шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время записи - слово, страница | Плотность памяти | Вспомогательный ток-макс | Время доступа (макс) | Тип ввода/вывода | Вспомогательное напряжение-мимин | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AS4C32M16D3-12BIN | Alliance Memory, Inc. | $ 5,21 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | Синхронно | 1 мм | ROHS3 соответствует | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d312bcn-datasheets-3079.pdf | 96-VFBGA | 13 мм | 8 мм | 96 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,425 В ~ 1,575 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В. | 0,8 мм | 1,575 В. | 1.425V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B96 | 512 МБ 32 м х 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7TCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SDRAM | 143 МГц | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16sa7tcn-datasheets-3641.pdf | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | Свободно привести | 8 недель | Параллель | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TSOP II | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 5.4ns | 143 МГц | Драм | Параллель | 14ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M16D3LB-12BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3lb12bcn-datasheets-4702.pdf | 96-TFBGA | 13,5 мм | 9 мм | Свободно привести | 96 | 8 недель | да | 1 | Авто/самообновление; Также работает на номинальном поставке 1,5 В | 1 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B96 | 4 ГБ 256 м x 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 256mx16 | 16 | 15NS | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M8D1-5TIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | SDRAM - DDR | 200 МГц | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m8d15tin-datasheets-5374.pdf | 66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм) | 8 недель | Параллель | 2,3 В ~ 2,7 В. | 66-tsop II | 256 МБ 32 м х 8 | Нестабильный | 700 л.с. | 200 МГц | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M8D4-83BCN | Alliance Memory, Inc. | $ 9,73 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR4 | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d483bcn-datasheets-5868.pdf | 78-TFBGA | 8 недель | 1,14 В ~ 1,26 В. | 4 ГБ 512M x 8 | Нестабильный | 18ns | 1,2 ГГц | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M16D3LA-10BCN | Alliance Memory, Inc. | $ 22,37 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m16d3la10bcn-datasheets-6365.pdf | 96-TFBGA | 13,5 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,275 В ~ 1,425 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1.425V | 1.275V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B96 | 8 ГБ 512M x 16 | Нестабильный | 20ns | 933 МГц | Драм | Параллель | 512MX16 | 16 | 8589934592 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M16D3B-12BAN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Автомобиль, AEC-Q100 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancemory-as4c256m16d3b12ban-datasheets-8682.pdf | 96-TFBGA | 13,5 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | 1 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ДА | 1,425 В ~ 1,575 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В. | 0,8 мм | 1,575 В. | 1.425V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B96 | 4 ГБ 256 м x 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 256mx16 | 16 | 15NS | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M16D3L-12BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | Синхронно | 1 мм | ROHS3 соответствует | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d3l12bin-datasheets-9300.pdf | 96-VFBGA | 13 мм | 8 мм | 96 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B96 | 512 МБ 32 м х 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C256A-10JCN | Alliance Memory, Inc. | $ 2,18 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c256a10jcn-datasheets-6028.pdf | 28-BSOJ (0,300, ширина 7,62 мм) | 5 В | Свободно привести | 8 недель | 5,5 В. | 4,5 В. | 28 | Параллель | 256 КБ | 1 | Нет | 4,5 В ~ 5,5 В. | 28-soj | 256KB 32K x 8 | Нестабильный | 10NS | 15B | Шрам | Параллель | 10NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C8016-55BIN | Alliance Memory, Inc. | $ 6,31 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c801655zin-datasheets-4628.pdf | 48-LFBGA | 8 мм | 3В | 48 | 8 недель | Нет SVHC | 48 | 8 МБ | да | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,7 В ~ 5,5 В. | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 48 | 5,5 В. | 2,7 В. | 40 | 3/5 В. | 0,06 мА | 8 МБ 512K x 16 | Нестабильный | 3-штат | 19b | Шрам | Параллель | 16 | 55NS | 0,00005A | 55 нс | ОБЩИЙ | 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M16D3LB-12BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1 мм | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3lb12bcn-datasheets-7442.pdf | 96-VFBGA | 13 мм | 8 мм | Свободно привести | 96 | 8 недель | да | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B96 | 2 ГБ 128m x 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 128mx16 | 16 | 15NS | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M32MD2A-25BIN | Alliance Memory, Inc. | $ 7,87 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Mobile LPDDR2 | Синхронно | 1 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16md2a25bin-datasheets-6063.pdf | 134-VFBGA | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление; Также требуется номинальное снабжение 1,8 В | 1 | ДА | 1,14 В ~ 1,95 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В. | 0,65 мм | 1,3 В. | 1,14 В. | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B134 | 2 ГБ 64M x 32 | Нестабильный | 400 МГц | Драм | Параллель | 64mx32 | 32 | 15NS | 2147483648 бит | Многочисленная страница страницы | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31024B-12TCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SMD/SMT | 70 ° C. | 0 ° C. | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31024b12jcn-datasheets-2725.pdf | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,5 мм | 1,05 мм | 8,1 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 65 мА | 8 недель | 3,6 В. | 3В | 32 | Параллель | 1 МБ | 1 | 3 В ~ 3,6 В. | 32-tsop i | 1 МБ 128K x 8 | Нестабильный | 12NS | 17b | Шрам | Параллель | 12NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C2008A-55BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c2008a55tintr-datasheets-5747.pdf | 36-TFBGA | 8 недель | да | неизвестный | 2,7 В ~ 5,5 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 МБ 256K x 8 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 55NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31024B-15TJCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31024b12jcn-datasheets-2725.pdf | 32-BSOJ (0,300, ширина 7,62 мм) | 3,3 В. | Свободно привести | 8 недель | 3,6 В. | 3В | 32 | Параллель | 1 МБ | 1 | Нет | 3 В ~ 3,6 В. | 32-Soj | 1 МБ 128K x 8 | Нестабильный | 15NS | 17b | Шрам | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31026B-10JCN | Alliance Memory, Inc. | $ 3,29 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 1996 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026b12tcn-datasheets-2660.pdf | 44-BSOJ (0,400, ширина 10,16 мм) | 3,3 В. | 8 недель | 3,6 В. | 3В | 44 | Параллель | 1 МБ | 1 | 3 В ~ 3,6 В. | 44-Soj | 1 МБ 64K x 16 | Нестабильный | 10NS | 16b | Шрам | Параллель | 10NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1025B-12JCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1025b12jcntr-datasheets-6223.pdf | 32-BSOJ (0,400, 10,16 мм ширина) | 5 В | Свободно привести | 100 мА | 8 недель | 5,5 В. | 4,5 В. | 32 | Параллель | 1 МБ | 1 | Нет | 4,5 В ~ 5,5 В. | 32-Soj | 1 МБ 128K x 8 | Нестабильный | 12NS | 17b | Шрам | Параллель | 12NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1026C-15TIN | Alliance Memory, Inc. | $ 4,94 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1026c15tintr-datasheets-6221.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 5 В | Свободно привести | 44 | 8 недель | 44 | 1 МБ | да | 1 | Нет | 1 | ДА | 4,5 В ~ 5,5 В. | Двойной | 5 В | 0,8 мм | 44 | 1 МБ 64K x 16 | Нестабильный | 16b | Шрам | Параллель | 16 | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C3513B-10JCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 1993 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3513b15tcntr-datasheets-6384.pdf | 44-BSOJ (0,400, ширина 10,16 мм) | 3,3 В. | 8 недель | 3,6 В. | 3В | 44 | Параллель | 512 КБ | 1 | Нет | 3 В ~ 3,6 В. | 44-Soj | 512KB 32K x 16 | Нестабильный | 10NS | 15B | Шрам | Параллель | 10NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31024B-20TCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31024b12jcn-datasheets-2725.pdf | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 3,3 В. | 8 недель | 3,6 В. | 3В | 32 | Параллель | 1 МБ | 1 | Нет | 3 В ~ 3,6 В. | 32-tsop i | 1 МБ 128K x 8 | Нестабильный | 20ns | 17b | Шрам | Параллель | 20ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M8D1-5TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | Не совместимый с ROHS | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m8d15bcn-datasheets-5382.pdf | 66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм) | 8 недель | неизвестный | 2,3 В ~ 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 512MB 64M x 8 | Нестабильный | 700 л.с. | 200 МГц | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1024B-20TJIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1024b12jcn-datasheets-7073.pdf | 32-BSOJ (0,400, 10,16 мм ширина) | 8 недель | 4,5 В ~ 5,5 В. | 32-Soj | 1 МБ 128K x 8 | Нестабильный | 20ns | Шрам | Параллель | 20ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C4008A-55ZINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c4008a55stintr-datasheets-8279.pdf | 32-Soic (0,400, 10,16 мм ширина) | 8 недель | да | неизвестный | 2,7 В ~ 3,6 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 МБ 512K x 8 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 55NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C1016-55ZINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c101655zin-datasheets-6241.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 8 недель | 44 | да | неизвестный | 2,7 В ~ 5,5 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 МБ 64K x 16 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 55NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31026B-12TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 1996 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026b12tcn-datasheets-2660.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,415 мм | 10,16 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 44 | 8 недель | 1 МБ | да | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | R-PDSO-G44 | 1 МБ 64K x 16 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 64KX16 | 16 | 12NS | 12 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C1008-55BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c100855pcn-datasheets-2988.pdf | 36-TFBGA | 8 мм | 3В | 36 | 8 недель | 36 | 1 МБ | да | 1 | Ear99 | Нет | 1 | ДА | 2,7 В ~ 5,5 В. | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 36 | 5,5 В. | 2,7 В. | 40 | 3/5 В. | 0,06 мА | 1 МБ 128K x 8 | Нестабильный | 3-штат | 17b | Шрам | Параллель | 8 | 55NS | 0,000003a | 55 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31025B-15TJCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 3,683 мм | ROHS3 соответствует | 2003 | /files/alliancememoryinc-as7c31025b12jintr-datasheets-6044.pdf | 32-BSOJ (0,300, ширина 7,62 мм) | 20,955 мм | 7,62 мм | 32 | 8 недель | 32 | да | 1 | E3/E6 | Чистый матовый олово/олово висмут | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 245 | 3,3 В. | 1,27 мм | 32 | 3,6 В. | 3В | 40 | 1 МБ 128K x 8 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 128KX8 | 8 | 15NS | 1048576 бит | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C4096A-20JCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 3,7592 мм | ROHS3 соответствует | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c4096a12tcn-datasheets-9684.pdf | 36-BSOJ (0,400, 10,16 мм ширина) | 23,495 мм | 10,16 мм | 5 В | Свободно привести | 36 | 8 недель | 36 | 4 МБ | да | 1 | ДА | 4,5 В ~ 5,5 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 5 В | 1,27 мм | 36 | НЕ УКАЗАН | 4 МБ 512K x 8 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 512KX8 | 8 | 20ns | 20 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS8C401801-QC166N | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - Synchronous, SDR | 1,6 мм | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as8c403601qc166n-datasheets-0585.pdf | 100-LQFP | 3,3 В. | Свободно привести | 100 | 8 недель | 100 | 4,5 МБ | да | 2 | Трубопроводная архитектура | 1 | ДА | 3.135V ~ 3.465V | Квадратный | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,65 мм | 100 | 3.465V | 3.135V | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 4 МБ 256K x 18 | Нестабильный | 3,5NS | 166 МГц | 18b | Шрам | Параллель | 18 | 6ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C32098A-20TCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32098a20tin-datasheets-0668.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 8 недель | 3,6 В. | 3В | Параллель | 3 В ~ 3,6 В. | 44-tsop2 | 2 МБ 128K x 16 | Нестабильный | 20ns | Шрам | Параллель | 20ns |
