Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АС4К256М8Д3-12БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~90°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d312bcn-datasheets-9768.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,5 В | 78 | 78 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3Л-12БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3l12bcn-datasheets-9916.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,35 В | Без свинца | 96 | 12 недель | 96 | 4ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 4Гб 256М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M8D3-12БАНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | SDRAM-DDR3 | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d312ban-datasheets-9872.pdf | 78-ТФБГА | 1,5 В | 78 | Параллельно | 4ГБ | 800 МГц | 1,425 В~1,575 В | 78-ФБГА (9х10,5) | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | SDRAM-DDR3 | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d312bin-datasheets-9941.pdf | 96-ТФБГА | 1,5 В | Без свинца | 12 недель | 96 | Параллельно | 1 ГБ | 800 МГц | 1,425 В~1,575 В | 96-ФБГА (9х13) | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3L-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | SDRAM-DDR3L | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3l12bcn-datasheets-0762.pdf | 96-ВФБГА | 1,35 В | 96 | Параллельно | 1 ГБ | 800 МГц | 1,283 В~1,45 В | 96-ФБГА (8x13) | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К16М16С-7ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16s6tintr-datasheets-8724.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,35 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 мА | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 256 Мб | Нет | 143 МГц | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 14 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT47H128M16PK-25E IT:C | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt47h128m16pk25eitc-datasheets-8470.pdf | 84-ТФБГА | 1 недели | 1,7 В~1,9 В | 84-ФБГА (9х12,5) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М8Д1-5ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m8d15tin-datasheets-5374.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | 15нс | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3ЛА-12БАНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bantr-datasheets-5148.pdf | 96-ВФБГА | 1,283 В~1,45 В | 4Гб 256М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M8D3A-12БАНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3a12bantr-datasheets-5208.pdf | 78-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М8Д3А-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3a12bantr-datasheets-5162.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М8Д3ЛА-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3la12bin-datasheets-5304.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 9 мм | 78 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15нс | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д2-25БАНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | SDRAM-DDR2 | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d225bantr-datasheets-5641.pdf | 84-ТФБГА | 8 недель | 1,7 В~1,9 В | 84-ФБГА (8х12,5) | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M16MS-7BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильная SDRAM | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16ms7bcn-datasheets-5867.pdf | 54-ВФБГА | 8 недель | 1,7 В~1,95 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М32МД2А-25БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3556.pdf | 134-ВФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,95 В | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C1M16S-7TCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1m16s6tin-datasheets-6158.pdf | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 21,08 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 3,3 В | Без свинца | 70 мА | 50 | 8 недель | 50 | 16 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 50 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 2нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16СБ-6ТИН | Альянс Память, Инк. | $13,60 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16sb7tin-datasheets-7280.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 12нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К4016А-45БИН | Альянс Память, Инк. | $7,79 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 48-ВФБГА | 7 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 48 | 1 | ДА | 2,7 В~5,5 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,035 мА | Не квалифицирован | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 45нс | 4194304 бит | 0,000004А | 45 нс | ОБЩИЙ | 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16Д2-25БЦН | Альянс Память, Инк. | $10,76 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | 0°С | SDRAM-DDR2 | 400 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d225bcn-datasheets-4166.pdf | 84-ТФБГА | 1,8 В | Без свинца | 8 недель | 84 | Параллельно | 2 ГБ | 400 МГц | 1,7 В~1,9 В | 84-ФБГА (10,5х13,5) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 400 пс | 400 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16Д2А-25БАН | Альянс Память, Инк. | $4,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d2a25ban-datasheets-6843.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | Без свинца | 84 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б84 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К16М16СА-6ТИН | Альянс Память, Инк. | $6,27 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16sa7tcn-datasheets-3641.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | Без свинца | 54 | 8 недель | 54 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К1616-55ТИН | Альянс Память, Инк. | $9,93 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c161655tin-datasheets-4919.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,5 мм | 1,05 мм | 12,1 мм | 3В | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 20б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16Д1-5БКН | Альянс Память, Инк. | $4,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d15bcn-datasheets-5386.pdf | 60-ТФБГА | 13 мм | 2,5 В | Без свинца | 60 | 8 недель | 60 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д3ЛБ-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3lb12ban-datasheets-5894.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М16Д3ЛА-10БИН | Альянс Память, Инк. | $28,62 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | /files/alliancememoryinc-as4c512m16d3la10bcn-datasheets-6365.pdf | 96-ТФБГА | 13,5 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,275 В~1,425 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,425 В | 1,275 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 8589934592 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M32SC-7TIN | Альянс Память, Инк. | $13,53 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m32sc7tin-datasheets-8946.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 86 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | Р-ПДСО-Г86 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 17нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 15нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC16M16A2F4-6A ИТ:ГТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc16m16a2f46agtr-datasheets-8353.pdf | 54-ЛФБГА | 4 недели | 3В~3,6В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 14 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C3256A-12JCN | Альянс Память, Инк. | 2,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3256a12tcn-datasheets-6096.pdf | 28-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | 3,6 В | 3В | 28 | Параллельно | 256 КБ | 1 | Нет | 83 МГц | 3В~3,6В | 28-СОЮ | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 12нс | 15б | СРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М32МД2А-18БИН | Альянс Память, Инк. | $12,05 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m32md2a18bin-datasheets-6431.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б134 | 4Гб 128М х 32 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX32 | 32 | 15нс | 4294967296 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М8Д1-6ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d16tin-datasheets-7478.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | 1073741824 бит |
