Альянс Память, Инк.

Альянс Память, Инк.(2556)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Макс. частота Достичь кода соответствия Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Напряжение питания Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Размер памяти Тип памяти Ширина шины данных Выходные характеристики Время доступа Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Организация Ширина памяти Время цикла записи — Word, Page Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Время доступа (макс.) Тип ввода/вывода Циклы обновления Последовательная длина пакета Длина чередующегося пакета Режим доступа
AS4C256M16D3LA-12BANTR АС4К256М16Д3ЛА-12БАНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bantr-datasheets-5148.pdf 96-ВФБГА 1,283 В~1,45 В 4Гб 256М х 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C128M8D3A-12BANTR AS4C128M8D3A-12БАНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3a12bantr-datasheets-5208.pdf 78-ВФБГА 1,425 В~1,575 В 1Гб 128М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M8D3A-12BAN АС4К256М8Д3А-12БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1 мм 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3a12bantr-datasheets-5162.pdf 78-ВФБГА 10,5 мм 8 мм 78 8 недель да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ совместимый 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В Р-ПБГА-Б78 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 256MX8 8 15нс 2147483648 бит
AS4C512M8D3LA-12BIN АС4К512М8Д3ЛА-12БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1 мм 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3la12bin-datasheets-5304.pdf 78-ВФБГА 10,5 мм 9 мм 78 8 недель да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ совместимый 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В Р-ПБГА-Б78 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 512MX8 8 15нс 4294967296 бит
AS4C64M16D2-25BANTR АС4К64М16Д2-25БАНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) SDRAM-DDR2 Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d225bantr-datasheets-5641.pdf 84-ТФБГА 8 недель 1,7 В~1,9 В 84-ФБГА (8х12,5) 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 400пс 400 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C32M16MS-7BCNTR AS4C32M16MS-7BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -25°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM — мобильная SDRAM https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16ms7bcn-datasheets-5867.pdf 54-ВФБГА 8 недель 1,7 В~1,95 В 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C32M32MD2A-25BCN АС4К32М32МД2А-25БЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°К~85°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3556.pdf 134-ВФБГА 8 недель 1,14 В~1,95 В 1Гб 32М х 32 Неустойчивый 400 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C1M16S-7TCN AS4C1M16S-7TCN Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1m16s6tin-datasheets-6158.pdf 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) 21,08 мм 1,1 мм 10,29 мм 3,3 В Без свинца 70 мА 50 8 недель 50 16 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.02 1 3В~3,6В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,8 мм 50 3,6 В НЕ УКАЗАН 16Мб 1М х 16 Неустойчивый 16б 5,4 нс 143 МГц 12б ДРАМ Параллельно 1MX16 2нс
AS4C1G8MD3L-12BCN AS4C1G8MD3L-12BCN Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1g8md3l12bcn-datasheets-7492.pdf 78-ТФБГА 13,2 мм 9 мм 78 8 недель да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б78 8Гб 1Г х 8 Неустойчивый 13,75 нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 1GX8 8 8589934592 бит
AS4C16M16D1-5BCN АС4К16М16Д1-5БЦН Альянс Память, Инк. $3,93
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16d15bcn-datasheets-3027.pdf 60-ТФБГА 13 мм 2,5 В 60 8 недель 60 256 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.24 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА 2,3 В~2,7 В НИЖНИЙ 260 2,5 В 1 мм 60 2,7 В 2,3 В 40 0,235 мА Не квалифицирован 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 700пс 200 МГц 13б ДРАМ Параллельно 16MX16 16 15нс 0,04А ОБЩИЙ 8192 248 248
AS4C128M16D2-25BCN АС4К128М16Д2-25БЦН Альянс Память, Инк. $10,76
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Поднос 3 (168 часов) 85°С 0°С SDRAM-DDR2 400 МГц Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d225bcn-datasheets-4166.pdf 84-ТФБГА 1,8 В Без свинца 8 недель 84 Параллельно 2 ГБ 400 МГц 1,7 В~1,9 В 84-ФБГА (10,5х13,5) 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 400 пс 400 МГц 14б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C32M16D2A-25BAN АС4К32М16Д2А-25БАН Альянс Память, Инк. $4,87
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d2a25ban-datasheets-6843.pdf 84-ТФБГА 12,5 мм 8 мм Без свинца 84 8 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б84 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 400пс 400 МГц ДРАМ Параллельно 32MX16 16 15нс 536870912 бит
AS4C16M16SA-6TIN АС4К16М16СА-6ТИН Альянс Память, Инк. $6,27
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16sa7tcn-datasheets-3641.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 3,3 В Без свинца 54 8 недель 54 256 Мб 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 е3 Олово (Sn) ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,8 мм 3,6 В НЕ УКАЗАН 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 5нс 166 МГц 13б ДРАМ Параллельно 16MX16 16 12нс
AS6C1616-55TIN АС6К1616-55ТИН Альянс Память, Инк. $9,93
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1 МГц Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c161655tin-datasheets-4919.pdf 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) 18,5 мм 1,05 мм 12,1 мм Без свинца 48 8 недель 48 16 Мб да 1 Нет 1 2,7 В~3,6 В ДВОЙНОЙ 0,5 мм 48 3,6 В 2,7 В 16Мб 1М х 16 Неустойчивый 20б СРАМ Параллельно 55нс 55 нс
AS4C32M16D1-5BCN АС4К32М16Д1-5БКН Альянс Память, Инк. $4,71
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d15bcn-datasheets-5386.pdf 60-ТФБГА 13 мм 2,5 В Без свинца 60 8 недель 60 512 Мб 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 2,3 В~2,7 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 2,7 В 2,3 В НЕ УКАЗАН 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 700пс 200 МГц 13б ДРАМ Параллельно 32MX16 16 15нс
AS4C64M16D3LB-12BAN АС4К64М16Д3ЛБ-12БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3lb12ban-datasheets-5894.pdf 96-ТФБГА 13 мм 9 мм 96 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-В96 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс 1073741824 бит
AS4C512M16D3LA-10BIN АС4К512М16Д3ЛА-10БИН Альянс Память, Инк. $28,62
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 /files/alliancememoryinc-as4c512m16d3la10bcn-datasheets-6365.pdf 96-ТФБГА 13,5 мм 9 мм 96 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,275 В~1,425 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,35 В 0,8 мм 1,425 В 1,275 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-В96 8Гб 512М х 16 Неустойчивый 20нс 933 МГц ДРАМ Параллельно 512MX16 16 8589934592 бит
AS4C16M32SC-7TIN AS4C16M32SC-7TIN Альянс Память, Инк. $13,53
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m32sc7tin-datasheets-8946.pdf 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 10,16 мм 86 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 3,3 В 0,5 мм 3,6 В Р-ПДСО-Г86 512Мб 16М х 32 Неустойчивый 17нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 16MX32 32 15нс 536870912 бит
MT48LC16M16A2F4-6A IT:GTR MT48LC16M16A2F4-6A ИТ:ГТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc16m16a2f46agtr-datasheets-8353.pdf 54-ЛФБГА 4 недели 3В~3,6В 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 167 МГц ДРАМ Параллельно 14 нс
AS7C3256A-12JCN AS7C3256A-12JCN Альянс Память, Инк. 2,05 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Трубка 3 (168 часов) 70°С 0°С SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3256a12tcn-datasheets-6096.pdf 28-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) 3,3 В Без свинца 8 недель 3,6 В 28 Параллельно 256 КБ 1 Нет 83 МГц 3В~3,6В 28-СОЮ 256Кб 32К х 8 Неустойчивый 12нс 15б СРАМ Параллельно 12нс
AS4C128M32MD2A-18BIN АС4К128М32МД2А-18БИН Альянс Память, Инк. $12,05
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~85°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует ROHS3 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m32md2a18bin-datasheets-6431.pdf 134-ВФБГА 11,5 мм 10 мм 134 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. 1 ДА 1,14 В~1,95 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,2 В 0,65 мм 1,3 В 1,14 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б134 4Гб 128М х 32 Неустойчивый 533 МГц ДРАМ Параллельно 128MX32 32 15нс 4294967296 бит ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ
AS4C128M8D1-6TIN АС4К128М8Д1-6ТИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d16tin-datasheets-7478.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 10,16 мм 66 8 недель да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 2,3 В~2,7 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,65 мм 2,7 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G66 1Гб 128М х 8 Неустойчивый 700пс 166 МГц ДРАМ Параллельно 128MX8 8 15нс 1073741824 бит
AS4C8M16D1A-5TCN АС4К8М16Д1А-5ТЦН Альянс Память, Инк. $2,78
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d1a5tin-datasheets-2929.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 10,16 мм 66 8 недель да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 2,3 В~2,7 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,65 мм 2,7 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G66 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 8MX16 16 15нс 134217728 бит
AS7C256A-10TIN АС7К256А-10ТИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) 85°С -40°С SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c256a10jcn-datasheets-6028.pdf 28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм) Без свинца 8 недель 5,5 В 4,5 В 28 Параллельно 256 КБ 1 Нет 4,5 В~5,5 В 28-ЦОП I 256Кб 32К х 8 Неустойчивый 10 нс 15б СРАМ Параллельно 10 нс
AS6C2008-55BIN АС6К2008-55БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c200855bin-datasheets-6006.pdf 36-ТФБГА 8 мм 36 8 недель 36 2 Мб да 1 Нет 1 ДА 2,7 В~3,6 В НИЖНИЙ 260 0,75 мм 36 3,6 В 2,7 В 40 0,035 мА 2Мб 256К х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 18б СРАМ Параллельно 256КХ8 8 55нс 55 нс ОБЩИЙ
AS7C31024B-12TJCN AS7C31024B-12TJCN Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Трубка 3 (168 часов) 70°С 0°С SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31024b12jcn-datasheets-2725.pdf 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) 3,3 В Без свинца 8 недель 3,6 В 32 Параллельно 1 Мб 1 Нет 83 МГц 3В~3,6В 32-СОЮ 1Мб 128К х 8 Неустойчивый 12нс 17б СРАМ Параллельно 12нс
AS4C16M16D2-25BCNTR AS4C16M16D2-25BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16d225bin-datasheets-7831.pdf 84-ТФБГА 8 недель неизвестный 1,7 В~1,9 В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 400пс 400 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS7C3513B-12TCNTR AS7C3513B-12TCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 1993 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3513b15tcntr-datasheets-6384.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 18,415 мм 10,16 мм 44 8 недель да 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 44 3,6 В 40 Р-ПДСО-Г44 512Кб 32К х 16 Неустойчивый СРАМ Параллельно 32КХ16 16 12нс 524288 бит 12 нс
AS7C513B-15TCNTR AS7C513B-15TCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 1993 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c513b12tcntr-datasheets-6491.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 18,415 мм 10,16 мм 44 8 недель да 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ ДА 4,5 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 260 0,8 мм 44 5,5 В 4,5 В 40 Р-ПДСО-Г44 512Кб 32К х 16 Неустойчивый СРАМ Параллельно 32КХ16 16 15нс 524288 бит 15 нс
AS7C31026B-20TCN AS7C31026B-20TCN Альянс Память, Инк. $3,60
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) 70°С 0°С SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 1996 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026b12tcn-datasheets-2660.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 3,3 В 8 недель 3,6 В Параллельно 1 Мб 1 Нет 3В~3,6В 44-ЦОП2 1Мб 64К х 16 Неустойчивый 20нс 16б СРАМ Параллельно 20нс

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.