Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Время доступа (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AS7C256A-15TINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c256a10jcn-datasheets-6028.pdf | 28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм) | 11,8 мм | 8 мм | 28 | 8 недель | 28 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,55 мм | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 15нс | 262144 бит | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К1008-55СИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c100855pcn-datasheets-2988.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 3В | Без свинца | 8 недель | 32 | 1 Мб | да | неизвестный | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 55нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C3256A-20JINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7592 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3256a12tcn-datasheets-6096.pdf | 28-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 18,415 мм | 7,62 мм | 28 | 8 недель | 28 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | 28 | 3,6 В | 3В | 40 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 20нс | 262144 бит | 20 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС7К256А-15ТИН | Альянс Память, Инк. | $2,49 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/alliancememoryinc-as7c256a10jcn-datasheets-6028.pdf | 28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм) | 5В | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 256 КБ | 1 | Нет | 4,5 В~5,5 В | 28-ЦОП I | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 15нс | 15б | СРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C34098B-10ТИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34098b10bin-datasheets-6761.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | совместимый | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г44 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 10 нс | 4194304 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К8М16МСА-6БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16msa6bin-datasheets-1121.pdf | 54-ВФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U62256ADC07LLG1 | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | SRAM — асинхронный | 5,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-u62256adk07llg1-datasheets-3233.pdf | 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 37,1 мм | 15,24 мм | 5В | Без свинца | 28 | 8 недель | 28 | 256 КБ | да | EAR99 | 8542.32.00.41 | 1 | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | 28 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 70нс | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C32096A-15ТИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32096a10tin-datasheets-6372.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 40 | Р-ПДСО-Г44 | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 15нс | 2097152 бит | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C3216A-55ТИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c3216a55tin-datasheets-1705.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 55нс | 33554432 бит | 8 | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M8D1-6TINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d16tin-datasheets-7478.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | да | 2,3 В~2,7 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M16D2A-25BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d2a25bin-datasheets-4154.pdf | 84-ТФБГА | 8 недель | 1,7 В~1,9 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS8C803625-QC75N | Альянс Память, Инк. | $7,67 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as8c801825qc75n-datasheets-6158.pdf | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | 9 Мб | да | 117 МГц | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 8,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16D1-5TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16d15bcn-datasheets-3027.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 66 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,3 В | 40 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 700пс | 200 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||
| АС4К4М16С-6ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16s7tcntr-datasheets-8887.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 64 Мб | Нет | 166 МГц | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16Д2-25БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d225bintr-datasheets-8916.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | Без свинца | 84 | 84 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 40 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 400пс | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C3256B-10ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм) | 11,8 мм | 8 мм | 28 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,55 мм | 28 | 3,6 В | 3В | 40 | Р-ПДСО-G28 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 10 нс | 262144 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M32S-6TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32s7tcntr-datasheets-8953.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Параллельно | 128 Мб | 166 МГц | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М8Д3-12БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d312bin-datasheets-2766.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,5 В | Без свинца | 78 | 78 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д3-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d312bin-datasheets-9941.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | Без свинца | 96 | 96 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~90°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 90°С | 0°С | SDRAM-DDR3 | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d312bcn-datasheets-9768.pdf | 78-ТФБГА | 1,5 В | 78 | Параллельно | 2 ГБ | 800 МГц | 1,425 В~1,575 В | 78-ФБГА (8х10,5) | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC32M16A2P-75:С | Альянс Память, Инк. | $31,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 4 (72 часа) | 70°С | 0°С | SDRAM | 133 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc64m8a2p75ctr-datasheets-4036.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | Без свинца | Параллельно | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС7К31026К-10БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026c10bintr-datasheets-2905.pdf | 48-ЛФБГА | 6 мм | 1,04 мм | 8 мм | 48 | 48 | да | 3A991.B.2.B | 8542.32.00.41 | 1 | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 64КХ16 | 10 нс | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К8М32С-7БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 90-ТФБГА | 8,1 мм | 940 мкм | 13,1 мм | 3,3 В | Без свинца | 90 | 90 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 2нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ46В16М16ТГ-5Б ИТ:М | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt46v16m16tg5bmtr-datasheets-8645.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 1 недели | 2,5 В~2,7 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC32M16A2P-75:C ТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc64m8a2p75ctr-datasheets-4036.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3В~3,6В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M8D3A-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3a12bcn-datasheets-1761.pdf | 78-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3L-12BANTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3l12bantr-datasheets-5211.pdf | 96-ВФБГА | 1,283 В~1,45 В | 96-ФБГА (8x13) | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3ЛА-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bantr-datasheets-5148.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | совместимый | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 4Гб 256М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M16D3A-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3a12bcn-datasheets-5138.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д3А-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3a12bantr-datasheets-5693.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 96 | 10 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-Б96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит |
