Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAlliance Memory, Inc. (2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидит (макс) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Максимальный ток снабжения | Количество терминаций | Время выполнения завода | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | PBFREE CODE | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | Достичь кода соответствия | HTS -код | Количество функций | JESD-609 Код | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Адреса ширины шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время записи - слово, страница | Плотность памяти | Вспомогательный ток-макс | Время доступа (макс) | Тип ввода/вывода | Обновления циклов | Последовательная длина взрыва | Чередовая длина взрыва | Вспомогательное напряжение-мимин |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AS7C34098B-10BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 1,4 мм | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34098b10bin-datasheets-6761.pdf | 48-LFBGA | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | соответствие | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,75 мм | 3,6 В. | 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B48 | 4 МБ 512K x 8 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 256KX16 | 16 | 10NS | 4194304 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C4008-55BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c400855stin-datasheets-3230.pdf | 36-TFBGA | 36 | 8 недель | 36 | ДА | 2,7 В ~ 5,5 В. | НИЖНИЙ | 0,75 мм | 3/5 В. | 0,06 мА | Не квалифицирован | 4 МБ 512K x 8 | Нестабильный | 3-штат | Шрам | Параллель | 512KX8 | 8 | 55NS | 4194304 бит | 0,00003a | 55 нс | ОБЩИЙ | 1,5 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3LB-12BCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3lb12bcn-datasheets-3528.pdf | 96-TFBGA | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B96 | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 64mx16 | 16 | 15NS | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C32096A-12TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32096a10tin-datasheets-6372.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | да | 1 | E3/E6 | Чистый матовый олово/олово висмут | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3,3 В. | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 3В | 40 | R-PDSO-G44 | 2 МБ 256K x 8 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 256KX8 | 8 | 12NS | 2097152 бит | 12 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M16D3L-12BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Не совместимый с ROHS | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1g8md3l12bcn-datasheets-7492.pdf | 96-TFBGA | 8 недель | неизвестный | 1,283 В ~ 1,45 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8 ГБ 512M x 16 | Нестабильный | 13.75ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M16D3B-12BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3b12bin-datasheets-8440.pdf | 96-TFBGA | 8 недель | 1,425 В ~ 1,575 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 ГБ 256 м x 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS8C803600-QC150N | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - Synchronous, SDR | 1,6 мм | ROHS3 соответствует | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as8c801800qc150n-datasheets-6112.pdf | 100-LQFP | 3,3 В. | Свободно привести | 100 | 8 недель | 100 | 9 МБ | да | 2 | Трубопроводная архитектура | Нет | 1 | ДА | 3.135V ~ 3.465V | Квадратный | 3,3 В. | 0,65 мм | 100 | 3.465V | 3.135V | 9 МБ 256K x 36 | Нестабильный | 3.8ns | 150 МГц | 18b | Шрам | Параллель | 36 | 6.7ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16S-6TANTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Синхронно | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s6tantr-datasheets-8883.pdf | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | 22,22 мм | 54 | 54 | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 1 | E3/E6 | Чистый матовый олово/олово висмут | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3,3 В. | 0,8 мм | 54 | 3,6 В. | 3В | 40 | 128 МБ 8m x 16 | Нестабильный | 16b | 5NS | 166 МГц | Драм | Параллель | 8mx16 | 16 | 2ns | 134217728 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C4016A-55ZINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | SRAM - асинхронный | ROHS COMPARINT | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c4016a55bintr-datasheets-8780.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 3,6 В. | 2,7 В. | Параллель | 2,7 В ~ 3,6 В. | 44-TSOP II | 4 МБ 256K x 16 | Нестабильный | 55NS | Шрам | Параллель | 55NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16D1-5TINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16d15bcn-datasheets-3027.pdf | 66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В. | 66 | 66 | 256 МБ | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | E3/E6 | Чистый матовый олово/олово висмут | ДА | 2,3 В ~ 2,7 В. | Двойной | 260 | 2,5 В. | 0,65 мм | 66 | 2,7 В. | 2,3 В. | 40 | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 16b | 700 л.с. | 200 МГц | 13b | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C6264A-70SIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c6264a70scntr-datasheets-8687.pdf | 28 SOIC (0,330, ширина 8,38 мм) | 5 В | Свободно привести | 28 | 6 недель | 28 | 64 КБ | да | 1 | Ear99 | Нет | 1 | E3/E6 | Чистый матовый олово/олово висмут | ДА | 4,5 В ~ 5,5 В. | Двойной | 260 | 5 В | 28 | 40 | 5 В | 0,055 мА | 64 КБ 8K x 8 | Нестабильный | 3-штат | 13b | Шрам | Параллель | 8KX8 | 8 | 70NS | 0,000003a | 70 нс | ОБЩИЙ | 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C6264A-70SCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c6264a70scntr-datasheets-8687.pdf | 28 SOIC (0,330, ширина 8,38 мм) | 5 В | 28 | 6 недель | 28 | 64 КБ | да | 1 | Ear99 | Нет | 14 МГц | 1 | E3/E6 | Чистый матовый олово/олово висмут | ДА | 4,5 В ~ 5,5 В. | Двойной | 260 | 5 В | 28 | 40 | 5 В | 0,055 мА | 64 КБ 8K x 8 | Нестабильный | 3-штат | 13b | Шрам | Параллель | 8KX8 | 8 | 70NS | 70 нс | ОБЩИЙ | 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3-12BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 90 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d312bcn-datasheets-9768.pdf | 78-TFBGA | 10,5 мм | 1,5 В. | 78 | 78 | 2 ГБ | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,425 В ~ 1,575 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В. | 0,8 мм | 1,575 В. | 1.425V | НЕ УКАЗАН | 2 ГБ 256 м x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | 15B | Драм | Параллель | 256mx8 | 8 | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M16D3L-12BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3l12bcn-datasheets-9916.pdf | 96-TFBGA | 13 мм | 1,35 В. | Свободно привести | 96 | 12 недель | 96 | 4ГБ | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | НЕ УКАЗАН | 4 ГБ 256 м x 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | 15B | Драм | Параллель | 256mx16 | 16 | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M8D3-12BANTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Автомобиль, AEC-Q100 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105 ° C. | -40 ° C. | SDRAM - DDR3 | 800 МГц | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d312ban-datasheets-9872.pdf | 78-TFBGA | 1,5 В. | 78 | Параллель | 4ГБ | 800 МГц | 1,425 В ~ 1,575 В. | 78-FBGA (9x10,5) | 4 ГБ 512M x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | 16b | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3-12BCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95 ° C. | 0 ° C. | SDRAM - DDR3 | 800 МГц | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d312bin-datasheets-9941.pdf | 96-TFBGA | 1,5 В. | Свободно привести | 12 недель | 96 | Параллель | 1 ГБ | 800 МГц | 1,425 В ~ 1,575 В. | 96-FBGA (9x13) | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | 13b | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3L-12BCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95 ° C. | 0 ° C. | SDRAM - DDR3L | 800 МГц | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3l12bcn-datasheets-0762.pdf | 96-VFBGA | 1,35 В. | 96 | Параллель | 1 ГБ | 800 МГц | 1,283 В ~ 1,45 В. | 96-FBGA (8x13) | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | 13b | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16S-7TCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SDRAM | 143 МГц | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16s6tintr-datasheets-8724.pdf | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | 22,35 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 100 мА | 3,6 В. | 3В | 54 | Параллель | 256 МБ | Нет | 143 МГц | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TSOP II | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 16b | 5.4ns | 143 МГц | 15B | Драм | Параллель | 14ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT47H128M16PK-25E IT: c | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR2 | Не совместимый с ROHS | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt47h128m16pk25eitc-datasheets-8470.pdf | 84-TFBGA | 1 неделя | 1,7 В ~ 1,9 В. | 84-FBGA (9x12,5) | 2 ГБ 128m x 16 | Нестабильный | 400 с | 400 МГц | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M8D1-5TCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | Синхронно | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m8d15tin-datasheets-5374.pdf | 66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | да | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 2,3 В ~ 2,7 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2,5 В. | 0,65 мм | 2,7 В. | 2,3 В. | НЕ УКАЗАН | R-PDSO-G66 | 256 МБ 32 м х 8 | Нестабильный | 700 л.с. | 200 МГц | Драм | Параллель | 32mx8 | 8 | 15NS | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M16D3LA-12BANTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Автомобиль, AEC-Q100 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bantrtr-datasheets-5148.pdf | 96-VFBGA | 1,283 В ~ 1,45 В. | 4 ГБ 256 м x 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M8D3A-12BANTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Автомобиль, AEC-Q100 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3a12bantrtr-datasheets-5208.pdf | 78-VFBGA | 1,425 В ~ 1,575 В. | 1 ГБ 128m x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3A-12BAN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Автомобиль, AEC-Q100 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | Синхронно | 1 мм | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3a12bantrtr-datasheets-5162.pdf | 78-VFBGA | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | соответствие | 1 | ДА | 1,425 В ~ 1,575 В. | НИЖНИЙ | 1,5 В. | 0,8 мм | 1,575 В. | 1.425V | R-PBGA-B78 | 2 ГБ 256 м x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 256mx8 | 8 | 15NS | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M8D3LA-12BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1 мм | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3la12bin-datasheets-5304.pdf | 78-VFBGA | 10,5 мм | 9 мм | 78 | 8 недель | да | 1 | Авто/самообновление | соответствие | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | R-PBGA-B78 | 4 ГБ 512M x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 512mx8 | 8 | 15NS | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D2-25BANTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | SDRAM - DDR2 | Не совместимый с ROHS | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d225bantrtr-datasheets-5641.pdf | 84-TFBGA | 8 недель | 1,7 В ~ 1,9 В. | 84-FBGA (8x12,5) | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 400 с | 400 МГц | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M16MS-7BCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -25 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - мобильный SDRAM | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16ms7bcn-datasheets-5867.pdf | 54-VFBGA | 8 недель | 1,7 В ~ 1,95 В. | 512 МБ 32 м х 16 | Нестабильный | 5.4ns | 133 МГц | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M32MD2A-25BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 85 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Mobile LPDDR2 | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3556.pdf | 134-VFBGA | 8 недель | 1,14 В ~ 1,95 В. | 1 ГБ 32 м x 32 | Нестабильный | 400 МГц | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C1M16S-7TCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Синхронно | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1m16s6tin-datasheets-6158.pdf | 50-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 21,08 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 70 мА | 50 | 8 недель | 50 | 16 МБ | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.02 | 1 | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 50 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | 16 МБ 1m x 16 | Нестабильный | 16b | 5.4ns | 143 МГц | 12B | Драм | Параллель | 1mx16 | 2ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C1G8MD3L-12BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1g8md3l12bcn-datasheets-7492.pdf | 78-TFBGA | 13,2 мм | 9 мм | 78 | 8 недель | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление; Также работает на номинальном поставке 1,5 В | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B78 | 8 ГБ 1G x 8 | Нестабильный | 13.75ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 1GX8 | 8 | 8589934592 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16D1-5BCN | Alliance Memory, Inc. | $ 3,93 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16d15bcn-datasheets-3027.pdf | 60-TFBGA | 13 мм | 2,5 В. | 60 | 8 недель | 60 | 256 МБ | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.24 | 1 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ДА | 2,3 В ~ 2,7 В. | НИЖНИЙ | 260 | 2,5 В. | 1 мм | 60 | 2,7 В. | 2,3 В. | 40 | 0,235 мА | Не квалифицирован | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 3-штат | 700 л.с. | 200 МГц | 13b | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 15NS | 0,04а | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 |
