Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAlliance Memory, Inc. (2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Максимальный ток снабжения | Количество терминаций | Время выполнения завода | Масса | Достичь SVHC | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | PBFREE CODE | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | Достичь кода соответствия | HTS -код | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Скорость передачи данных | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Адреса ширины шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время записи - слово, страница | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Вспомогательный ток-макс | Время доступа (макс) | Тип ввода/вывода | Обновления циклов | Последовательная длина взрыва | Чередовая длина взрыва | Вспомогательное напряжение-мимин |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AS7C34098B-10TIN | Alliance Memory, Inc. | $ 5,39 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34098b10bin-datasheets-6761.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | соответствие | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 3,6 В. | 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | R-PDSO-G44 | 4 МБ 256K x 16 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 256KX16 | 16 | 10NS | 4194304 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3B-12BCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | Синхронно | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | 96-TFBGA | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,425 В ~ 1,575 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В. | 0,8 мм | 1,575 В. | 1.425V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B96 | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 64mx16 | 16 | 15NS | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C316096B-10BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316096b10bintr-datasheets-8909.pdf | 48-LFBGA | 8 недель | 2,7 В ~ 3,6 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 16 МБ 2m x 8 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 10NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C3216A-55BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c3216a55bin-datasheets-9553.pdf | 48-LFBGA | 10 мм | 8 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,7 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В. | 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B48 | 32 МБ 2m x 16 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 2mx16 | 16 | 55NS | 33554432 бит | 55 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D1A-6TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | Не совместимый с ROHS | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d1a6tin-datasheets-4260.pdf | 66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм) | 8 недель | неизвестный | 2,3 В ~ 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 700 л.с. | 166 МГц | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C1616A-55BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 1 МГц | ROHS3 соответствует | 1997 | /files/alliancememoryinc-as6c1616a55bintr-datasheets-5703.pdf | 48-VFBGA | 8,05 мм | 700 мкм | 10,05 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 48 | 8 недель | 48 | 16 МБ | да | 1 | Нет | 1 | 2,7 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 3,3 В. | 0,75 мм | 48 | 3,6 В. | 2,7 В. | 16 МБ 1m x 16 | Нестабильный | 20B | Шрам | Параллель | 55NS | 55 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Синхронно | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16s6tintr-datasheets-8724.pdf | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | 22,22 мм | Свободно привести | 54 | 54 | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 1 | E3/E6 | Чистый матовый олово/олово висмут | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3,3 В. | 0,8 мм | 54 | 3,6 В. | 3В | 40 | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 16b | 5.4ns | 166 МГц | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 12NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M32S-6BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | SDRAM | 166 МГц | ROHS3 соответствует | 2013 | 90-TFBGA | 3,3 В. | 3,6 В. | 3В | 90 | Параллель | 256 МБ | Нет | 166 МГц | 3 В ~ 3,6 В. | 90-TFBGA (8x13) | 256 МБ 8m x 32 | Нестабильный | 32B | 5NS | 166 МГц | 12B | Драм | Параллель | 2ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16D1-5TINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d15tcntr-datasheets-8862.pdf | 66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В. | 66 | 66 | 128 МБ | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | E3/E6 | Чистый матовый олово/олово висмут | ДА | 2,3 В ~ 2,7 В. | Двойной | 260 | 2,5 В. | 0,65 мм | 66 | 2.625V | 2.375V | 40 | 128 МБ 8m x 16 | Нестабильный | 16b | 700 л.с. | 200 МГц | 12B | Драм | Параллель | 8mx16 | 16 | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U6264BS2C07LLG1 | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-u6264bs2c07llg1tr-datasheets-8713.pdf | 28 SOIC (0,330, ширина 8,38 мм) | 5 В | Свободно привести | 28 | 8 недель | 28 | 64 КБ | да | 1 | Ear99 | Нет | 1 | ДА | 4,5 В ~ 5,5 В. | Двойной | 260 | 5 В | 28 | 40 | 64 КБ 8K x 8 | Нестабильный | 13b | Шрам | Параллель | 8KX8 | 8 | 70NS | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | ROHS COMPARINT | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16s6tintr-datasheets-8724.pdf | 54-TFBGA | 3,3 В. | 54 | 54 | 256 МБ | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 3,3 В. | 0,8 мм | 0,15 мА | Не квалифицирован | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 3-штат | 5.4ns | 166 МГц | 13b | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 12NS | 0,005а | ОБЩИЙ | 8192 | 1248FP | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16D1-5TIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | ROHS COMPARINT | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16d15bcn-datasheets-3027.pdf | 66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм) | 22,35 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 2,5 В. | Свободно привести | 66 | 66 | 256 МБ | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | E3/E6 | Чистый матовый олово/олово висмут | 2,3 В ~ 2,7 В. | Двойной | 260 | 2,5 В. | 0,65 мм | 66 | 2,7 В. | 2,3 В. | 40 | 400 Мбит / с | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 16b | 3-штат | 700 л.с. | 200 МГц | 13b | Драм | Параллель | 16mx16 | 15NS | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3-12BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d312bcn-datasheets-9768.pdf | 78-TFBGA | 10,5 мм | 1,5 В. | 78 | 12 недель | 78 | 2 ГБ | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,425 В ~ 1,575 В. | НИЖНИЙ | 1,5 В. | 0,8 мм | 1,575 В. | 1.425V | 2 ГБ 256 м x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | 15B | Драм | Параллель | 256mx8 | 8 | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M16D3L-12BCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95 ° C. | 0 ° C. | SDRAM - DDR3L | 800 МГц | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3l12bin-datasheets-9758.pdf | 96-TFBGA | 1,35 В. | 96 | Параллель | 2 ГБ | 800 МГц | 1,283 В ~ 1,45 В. | 96-FBGA (9x13) | 2 ГБ 128m x 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | 14b | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16MD1-6BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | SDRAM - Mobile LPDDR | 166 МГц | ROHS COMPARINT | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md16bintr-datasheets-2903.pdf | 60-TFBGA | 1,8 В. | 8 недель | 60 | Параллель | 1 ГБ | 166 МГц | 1,7 В ~ 1,95 В. | 60-FBGA (8x10) | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 5NS | 166 МГц | 14b | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3-12BANTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Автомобиль, AEC-Q100 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105 ° C. | -40 ° C. | SDRAM - DDR3 | 800 МГц | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d312ban-datasheets-9904.pdf | 96-TFBGA | 1,5 В. | 96 | Параллель | 1 ГБ | 800 МГц | 1,425 В ~ 1,575 В. | 96-FBGA (9x13) | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | 13b | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M32MD1-5BIN | Alliance Memory, Inc. | $ 9,05 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Mobile LPDDR | Синхронно | 1 мм | ROHS COMPARINT | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m32md15bcntr-datasheets-3365.pdf | 90-VFBGA | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 90 | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | 0,8 мм | 1,95 В. | 1,7 В. | 1 ГБ 32 м x 32 | Нестабильный | 5NS | 200 МГц | Драм | Параллель | 32MX32 | 32 | 15NS | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C3216-55TIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c3216555tintr-datasheets-8955.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 48 | да | 1 | E3/E6 | Чистый матовый олово/олово висмут | ДА | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 0,5 мм | 48 | 3,6 В. | 2,7 В. | 40 | 3/3,3 В. | 0,08 мА | Не квалифицирован | 32 МБ 2m x 16 | Нестабильный | 3-штат | Шрам | Параллель | 2mx16 | 16 | 55NS | 33554432 бит | 8 | 0,002а | 55 нс | ОБЩИЙ | 1,2 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT46V32M16TG-5B IT: Jtr | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | Не совместимый с ROHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt46v64m8cv5bitj-datasheets-6396.pdf | 66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм) | 1 неделя | 2,5 В ~ 2,7 В. | 512 МБ 32 м х 16 | Нестабильный | 700 л.с. | 200 МГц | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M8D3A-12BIN | Alliance Memory, Inc. | $ 5,86 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | Синхронно | 1 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3a12bcn-datasheets-1761.pdf | 78-VFBGA | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | да | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,425 В ~ 1,575 В. | НИЖНИЙ | 1,5 В. | 0,8 мм | 1,575 В. | 1.425V | R-PBGA-B78 | 1 ГБ 128m x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 128mx8 | 8 | 15NS | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M8D3LA-12BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3la12bintr-datasheets-5167.pdf | 78-VFBGA | 1,283 В ~ 1,45 В. | 1 ГБ 128m x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3A-12BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3a12bin-datasheets-5107.pdf | 96-VFBGA | 8 недель | 1,425 В ~ 1,575 В. | 96-FBGA (8x13) | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3LA-12BAN | Alliance Memory, Inc. | $ 6,90 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Автомобиль, AEC-Q100 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3la12ban-datasheets-5273.pdf | 96-VFBGA | 13 мм | 8 мм | 96 | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | R-PBGA-B96 | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 64mx16 | 16 | 15NS | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3LA-12BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1 мм | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3la12bcntr-datasheets-5227.pdf | 78-VFBGA | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | да | 1 | Авто/самообновление | соответствие | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | R-PBGA-B78 | 2 ГБ 256 м x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 256mx8 | 8 | 15NS | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M32MS-7BCN | Alliance Memory, Inc. | $ 5,26 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -25 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - мобильный SDRAM | Синхронно | 1 мм | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16ms7bcn-datasheets-5867.pdf | 90-VFBGA | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | соответствие | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,95 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 0,8 мм | 1,95 В. | 1,7 В. | R-PBGA-B90 | 512 МБ 16m x 32 | Нестабильный | 5.4ns | 133 МГц | Драм | Параллель | 16mx32 | 32 | 15NS | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M8D3B-12BANTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Автомобиль, AEC-Q100 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | ROHS3 соответствует | 78-VFBGA | 1,425 В ~ 1,575 В. | 4 ГБ 512M x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16MD1-6BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Mobile LPDDR | Не совместимый с ROHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16md16bcntr-datasheets-0189.pdf | 60-TFBGA | 1,7 В ~ 1,95 В. | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 166 МГц | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C62256A-70PCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | SRAM - асинхронный | 3,937 мм | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c62256a70sintr-datasheets-6081.pdf | 28-DIP (0,600, 15,24 мм) | 5 В | Свободно привести | 70 мА | 28 | 6 недель | 4.190003g | 28 | 256 КБ | да | 1 | Ear99 | Нет | 1 | НЕТ | 4,5 В ~ 5,5 В. | Двойной | 5 В | 2,54 мм | 28 | 256KB 32K x 8 | Нестабильный | 15B | Шрам | Параллель | 32KX8 | 8 | 70NS | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31026B-12TCN | Alliance Memory, Inc. | $ 2,97 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 1996 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026b12tcn-datasheets-2660.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 3,3 В. | Свободно привести | 8 недель | Нет SVHC | 3,6 В. | 3В | 44 | Параллель | 1 МБ | 1 | 83 МГц | 3 В ~ 3,6 В. | 44-tsop2 | 1 МБ 64K x 16 | Нестабильный | 12NS | 16b | Шрам | Параллель | 12NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C34096A-10JCN | Alliance Memory, Inc. | $ 4,98 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SRAM - асинхронный | 1 МГц | ROHS3 соответствует | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34096a10jcn-datasheets-3571.pdf | 36-BSOJ (0,400, 10,16 мм ширина) | 3,3 В. | Свободно привести | 10 недель | 3,6 В. | 3В | 36 | Параллель | 4 МБ | 1 | Нет | 3 В ~ 3,6 В. | 36-SOJ | 4 МБ 512K x 8 | Нестабильный | 10NS | 19b | Шрам | Параллель | 10NS |
