| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АС4К32М16Д1-5ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d15tin-datasheets-8223.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,35 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 2,5 В | Без свинца | 66 | 66 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,3 В | 40 | 400 Мбит/с | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 700пс | 200 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C351232-10БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c35123210bintr-datasheets-8847.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | совместимый | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 16Мб 512К х 32 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 512КХ32 | 32 | 10 нс | 16777216 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C316096A-10ТИН | Альянс Память, Инк. | $20,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316096a10tintr-datasheets-8911.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,5 мм | 1,05 мм | 12,1 мм | 3,3 В | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 21б | СРАМ | Параллельно | 2MX8 | 10 нс | 0,04А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C325632-10БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32563210bin-datasheets-7135.pdf | 90-ТФБГА | 90 | 10 недель | совместимый | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ32 | 32 | 10 нс | 8388608 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C1616-55ТИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c161655tin-datasheets-4919.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | Без свинца | 8 недель | 48 | да | неизвестный | 2,7 В~3,6 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 55нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31025C-10TJINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31025c12tintr-datasheets-7093.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 3,6 В | 3В | 32 | Параллельно | 3В~3,6В | 32-СОЮ | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 10 нс | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16S-6TINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s6tantr-datasheets-8883.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 120 мА | 54 | 12 недель | 54 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 2нс | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U6264BS2K07LLG1TR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-u6264bs2c07llg1tr-datasheets-8713.pdf | 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) | Без свинца | 28 | 8 недель | 28 | 64 КБ | да | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 8КХ8 | 8 | 70нс | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К8М16Д1-5ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d15tcntr-datasheets-8862.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,35 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 2,5 В | 66 | 66 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,625 В | 2,375 В | 40 | 400 Мбит/с | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 700пс | 200 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К8М16С-6БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s7bcntr-datasheets-8807.pdf | 54-ТФБГА | 3,3 В | 54 | 54 | 128 Мб | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 0,14 мА | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 2нс | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16Д2-25БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d225bintr-datasheets-8916.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | Без свинца | 84 | 84 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 40 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 400пс | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М8Д3-12БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d312bcn-datasheets-9808.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,5 В | 78 | 78 | 4ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16Д3-12БАНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | SDRAM-DDR3 | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d312ban-datasheets-0138.pdf | 96-ТФБГА | 1,5 В | 96 | Параллельно | 2 ГБ | 800 МГц | 1,425 В~1,575 В | 96-ФБГА (9х13) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М8Д3-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | -40°С | SDRAM-DDR3 | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d312bin-datasheets-2766.pdf | 78-ТФБГА | 1,5 В | 78 | Параллельно | 1 ГБ | 800 МГц | 1,425 В~1,575 В | 78-ФБГА (8х10,5) | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3-15BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~90°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 90°С | 0°С | SDRAM-DDR3 | 800 МГц | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d312bcn-datasheets-9768.pdf | 78-ТФБГА | 8 недель | Параллельно | 1,425 В~1,575 В | 78-ФБГА (8х10,5) | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М32МД1-5БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m32md15bcntr-datasheets-3365.pdf | 90-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К4М16Д1-5ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/alliancememoryinc-as4c4m16d15tcntr-datasheets-8931.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,35 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 2,5 В | 66 | 66 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,3 В | 40 | 400 Мбит/с | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 700пс | 200 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc2m32b2tg6aitjtr-datasheets-8484.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 1 недели | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.