Альянс Память, Инк.

Альянс Память, Инк.(2556)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Макс. частота Достичь кода соответствия Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Напряжение питания Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Скорость передачи данных Размер памяти Тип памяти Ширина шины данных Выходные характеристики Время доступа Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Организация Ширина памяти Время цикла записи — Word, Page Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Время доступа (макс.) Тип ввода/вывода Циклы обновления Последовательная длина пакета Длина чередующегося пакета
AS4C32M16D1-5TIN АС4К32М16Д1-5ТИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d15tin-datasheets-8223.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,35 мм 1,1 мм 10,29 мм 2,5 В Без свинца 66 66 512 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.28 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ 2,3 В~2,7 В ДВОЙНОЙ 260 2,5 В 0,65 мм 66 2,7 В 2,3 В 40 400 Мбит/с 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 16б 700пс 200 МГц 13б ДРАМ Параллельно 32MX16 15нс
AS7C351232-10BINTR AS7C351232-10БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c35123210bintr-datasheets-8847.pdf 90-ТФБГА 13 мм 8 мм 90 8 недель совместимый 8542.32.00.41 1 ДА 3В~3,6В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,8 мм 3,6 В 2,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б90 16Мб 512К х 32 Неустойчивый СРАМ Параллельно 512КХ32 32 10 нс 16777216 бит 10 нс
AS7C316096A-10TIN AS7C316096A-10ТИН Альянс Память, Инк. $20,39
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1 МГц Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316096a10tintr-datasheets-8911.pdf 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) 18,5 мм 1,05 мм 12,1 мм 3,3 В 48 8 недель 48 16 Мб да 1 Нет 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 0,5 мм 48 3,6 В 2,7 В 40 16Мб 2М х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 21б СРАМ Параллельно 2MX8 10 нс 0,04А ОБЩИЙ
AS7C325632-10BINTR AS7C325632-10БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32563210bin-datasheets-7135.pdf 90-ТФБГА 90 10 недель совместимый 8542.32.00.41 1 ДА 2,7 В~3,6 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 3,6 В 2,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б90 8Мб 1М х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 256КХ32 32 10 нс 8388608 бит 10 нс
AS6C1616-55TINTR AS6C1616-55ТИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c161655tin-datasheets-4919.pdf 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) Без свинца 8 недель 48 да неизвестный 2,7 В~3,6 В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 16Мб 1М х 16 Неустойчивый СРАМ Параллельно 55нс
AS7C31025C-10TJINTR AS7C31025C-10TJINTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С SRAM — асинхронный Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31025c12tintr-datasheets-7093.pdf 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) 3,6 В 32 Параллельно 3В~3,6В 32-СОЮ 1Мб 128К х 8 Неустойчивый 10 нс СРАМ Параллельно 10 нс
AS4C8M16S-6TINTR AS4C8M16S-6TINTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s6tantr-datasheets-8883.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 120 мА 54 12 недель 54 да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 54 3,6 В 40 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 16б 5нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 8MX16 16 2нс 134217728 бит
U6264BS2K07LLG1TR U6264BS2K07LLG1TR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-u6264bs2c07llg1tr-datasheets-8713.pdf 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) Без свинца 28 8 недель 28 64 КБ да 8542.32.00.41 1 ДА 4,5 В~5,5 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 5,5 В 4,5 В НЕ УКАЗАН 64Кб 8К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 8КХ8 8 70нс 70 нс
AS4C8M16D1-5TIN АС4К8М16Д1-5ТИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d15tcntr-datasheets-8862.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,35 мм 1,1 мм 10,29 мм 2,5 В 66 66 128 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.02 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ 2,3 В~2,7 В ДВОЙНОЙ 260 2,5 В 0,65 мм 66 2,625 В 2,375 В 40 400 Мбит/с 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 16б 700пс 200 МГц 12б ДРАМ Параллельно 8MX16 15нс
AS4C8M16S-6BINTR АС4К8М16С-6БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16s7bcntr-datasheets-8807.pdf 54-ТФБГА 3,3 В 54 54 128 Мб ДА 3В~3,6В НИЖНИЙ 3,3 В 0,8 мм 0,14 мА Не квалифицирован 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5нс 166 МГц 12б ДРАМ Параллельно 8MX16 16 2нс 0,002А ОБЩИЙ 4096 1248ФП 1248
AS4C32M16D2-25BCN АС4К32М16Д2-25БКН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 1,2 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d225bintr-datasheets-8916.pdf 84-ТФБГА 12,5 мм 1,8 В Без свинца 84 84 512 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.28 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 260 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В 40 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 16б 400пс 400 МГц 13б ДРАМ Параллельно 32MX16 16 15нс
AS4C512M8D3-12BCN АС4К512М8Д3-12БЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d312bcn-datasheets-9808.pdf 78-ТФБГА 10,5 мм 1,5 В 78 78 4ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.36 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц 16б ДРАМ Параллельно 512MX8 8 15нс
AS4C128M16D3-12BANTR АС4К128М16Д3-12БАНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 105°С -40°С SDRAM-DDR3 800 МГц Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d312ban-datasheets-0138.pdf 96-ТФБГА 1,5 В 96 Параллельно 2 ГБ 800 МГц 1,425 В~1,575 В 96-ФБГА (9х13) 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц 14б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C128M8D3-12BINTR АС4К128М8Д3-12БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 95°С -40°С SDRAM-DDR3 800 МГц Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d312bin-datasheets-2766.pdf 78-ТФБГА 1,5 В 78 Параллельно 1 ГБ 800 МГц 1,425 В~1,575 В 78-ФБГА (8х10,5) 1Гб 128М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц 14б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M8D3-15BCNTR AS4C256M8D3-15BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~90°К ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 90°С 0°С SDRAM-DDR3 800 МГц Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d312bcn-datasheets-9768.pdf 78-ТФБГА 8 недель Параллельно 1,425 В~1,575 В 78-ФБГА (8х10,5) 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C32M32MD1-5BCN АС4К32М32МД1-5БЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -25°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m32md15bcntr-datasheets-3365.pdf 90-ВФБГА 13 мм 8 мм 90 8 недель 90 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.32 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 0,8 мм 1,95 В 1,7 В 1Гб 32М х 32 Неустойчивый 5нс 200 МГц ДРАМ Параллельно 32MX32 32 15нс 1073741824 бит
AS4C4M16D1-5TCN АС4К4М16Д1-5ТЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR Соответствует RoHS 2013 год /files/alliancememoryinc-as4c4m16d15tcntr-datasheets-8931.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,35 мм 1,1 мм 10,29 мм 2,5 В 66 66 64 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.02 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ 2,3 В~2,7 В ДВОЙНОЙ 260 2,5 В 0,65 мм 66 2,7 В 2,3 В 40 400 Мбит/с 64Мб 4М х 16 Неустойчивый 16б 700пс 200 МГц 12б ДРАМ Параллельно 4MX16 15нс
MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM Не соответствует требованиям RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc2m32b2tg6aitjtr-datasheets-8484.pdf 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) 1 недели 3В~3,6В 86-ЦОП II 64Мб 2М х 32 Неустойчивый 5,4 нс 167 МГц ДРАМ Параллельно 12нс

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.