Everspin Technologies Inc. (226)

Имя	Производитель	Цены (доллар)	Количество	Статус частично	Ряд	Устанавливать	Монтажный тип	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности влаги (MSL)	Завершение	Максимальная рабочая температура	МИН рабочая температура	Технология	Эксплуатационный ток снабжения	Операционный режим	Высота сидя (максимум)	Статус ROHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет / корпус	Длина	Высота	Ширина	Операционное напряжение питания	Свободно привести	Количество терминаций	Время выполнения завода	Достичь SVHC	Максимальное напряжение снабжения	Мин напряжения питания	Количество булавок	Интерфейс	Плотность	PBFREE CODE	Код ECCN	Радиационное упрочнение	HTS -код	Количество функций	Номинальный ток снабжения	Код JESD-609	Терминальная отделка	Поверхностное крепление	Максимальная диссипация власти	Напряжение - поставка	Терминальная позиция	Пиковая температура отвоз (CEL)	Напряжение снабжения	Терминал	Подсчет штифтов	Поставка напряжения-макс (VSUP)	Поставка напряжения мимин (VSUP)	Время@Пиковой температуру (я)	Подкатегория	Питания	Поставьте ток-макс	Квалификационный статус	Диапазон температуры окружающей среды высокий	Код JESD-30	Пакет устройства поставщика	Размер памяти	Тип памяти	Ширина шины данных	Время доступа	Тактовая частота	Формат памяти	Интерфейс памяти	Организация	Ширина памяти	Время записи - слово, страница	Плотность памяти	Вспомогательный ток-макс	Размер слова	Время доступа (макс)
MR4A16BMA35	Everspin Technologies Inc.	$ 41,44	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист	110 мА	АСИНХРОННЫЙ		ROHS3 соответствует	2014	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a16bma35-datasheets-8258.pdf	48-LFBGA	10 мм	1,35 мм		3,3 В.	Свободно привести	48	8 недель				48		16 МБ		Ear99		8542.32.00.71	1	180 мА					3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН				Не квалифицирован	70 ° C.			16 МБ 1m x 16	Нелетущий	16b			БАРАН	Параллель	1mx16	16	35NS		0,014а	16b	35 нс
MR0A16ACYS35	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)	SMD/SMT			Mram (магниторезист	105 мА		1,2 мм	ROHS3 соответствует	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a16acys35-datasheets-4218.pdf	44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина)	18,41 мм			3,3 В.	Свободно привести	44	10 недель	Нет SVHC			44		1 МБ		Ear99	Нет	8542.32.00.71	1	165 мА					3 В ~ 3,6 В.	Двойной		3,3 В.	0,8 мм	44	3,6 В.	3В									1 МБ 64K x 16	Нелетущий	16b			БАРАН	Параллель	64KX16	16	35NS		0,028а	16b	35 нс
MR0D08BMA45R	Everspin Technologies Inc.	$ 6,77	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		АСИНХРОННЫЙ	1,35 мм	ROHS3 соответствует	2013	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0d08bma45r-datasheets-5021.pdf	48-LFBGA	8 мм					48	12 недель				48				Ear99		8542.32.00.71	1				ДА		3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН	Другое память ICS	3,3 В.	0,065 мА	Не квалифицирован				1 МБ 128K x 8	Нелетущий	8B			БАРАН	Параллель	128KX8	8	45NS		0,008а		45 нс
MR256A08BCMA35R	Everspin Technologies Inc.	$ 6,60	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		АСИНХРОННЫЙ	1,35 мм	ROHS3 соответствует	2011 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr256a08bys35-datasheets-3723.pdf	48-LFBGA	8 мм					48	12 недель				48				Ear99		8542.32.00.71	1				ДА		3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ	260	3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В	40		3,3 В.	0,065 мА	Не квалифицирован				256KB 32K x 8	Нелетущий	8B			БАРАН	Параллель	32KX8	8	35NS	262144 бит	0,007а		35 нс
MR0A08BCMA35	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист	55 мА		1,35 мм	ROHS3 соответствует	2013	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a08bys35-datasheets-4974.pdf	48-LFBGA	8 мм			3,3 В.	Свободно привести	48	12 недель				48		1 МБ		Ear99	Нет	8542.32.00.71	1	70 мА					3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ		3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В									1 МБ 128K x 8	Нелетущий	8B			БАРАН	Параллель	128KX8	8	35NS		0,007а	8B	35 нс
MR2A16AVMA35R	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 105 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		АСИНХРОННЫЙ	1,35 мм	ROHS3 соответствует	2002	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf	48-LFBGA	8 мм					48	10 недель				48				Ear99		8542.32.00.71	1				ДА		3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН								4 МБ 256K x 16	Нелетущий	16b			БАРАН	Параллель	256KX16	16	35NS	4194304 бит
MR25H40CDCR	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		Синхронно	1,05 мм	ROHS3 соответствует	2014	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h40cdf-datasheets-7354.pdf	8-VDFN открытая площадка	6 мм		5 мм	3,3 В.		8	14 недель				8	SPI, сериал	4 МБ		Ear99			1	42 мА					3 В ~ 3,6 В.	Двойной	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	1,27 мм	8	3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН				Не квалифицирован				4 МБ 512K x 8	Нелетущий		9 нс	40 МГц	БАРАН	SPI		8				8B
MR2A16ACMA35	Everspin Technologies Inc.	$ 28,32	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист	105 мА		1,35 мм	ROHS3 соответствует	2012	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf	48-LFBGA	8 мм			3,3 В.	Свободно привести	48	10 недель				48		4 МБ		Ear99	Нет	8542.32.00.71	1	165 мА					3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ		3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В									4 МБ 256K x 16	Нелетущий	16b			БАРАН	Параллель	256KX16	16	35NS		0,028а	16b	35 нс
MR4A08BMA35	Everspin Technologies Inc.	$ 48,64	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Поднос	5 (48 часов)				Mram (магниторезист		АСИНХРОННЫЙ	1,35 мм	ROHS3 соответствует	2015	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a08bcys35-datasheets-8400.pdf	48-LFBGA	10 мм		10 мм			48	12 недель				48			да	Ear99		8542.32.00.71	1				ДА		3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН		3,3 В.	0,17 мА	Не квалифицирован				16 МБ 2m x 8	Нелетущий				БАРАН	Параллель	2mx8	8	35NS	16777216 бит	0,014а		35 нс
MR2A16AVMA35	Everspin Technologies Inc.	$ 35,81	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 105 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист	105 мА		1,35 мм	ROHS3 соответствует	2012	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf	48-LFBGA	8 мм			3,3 В.	Свободно привести	48	10 недель				48		4 МБ		Ear99	Нет	8542.32.00.71	1	165 мА					3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ		3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В									4 МБ 256K x 16	Нелетущий	16b			БАРАН	Параллель	256KX16	16	35NS		0,028а	16b	35 нс
MR256A08BCYS35	Everspin Technologies Inc.	$ 8,26	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист	65 мА	АСИНХРОННЫЙ	1,2 мм	ROHS3 соответствует	2011 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr256a08bys35-datasheets-3723.pdf	44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина)	18,41 мм			3,3 В.	Свободно привести	44	12 недель				44		256 КБ		Ear99		8542.32.00.71	1	75 мА					3 В ~ 3,6 В.	Двойной	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,8 мм	44	3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН				Не квалифицирован				256KB 32K x 8	Нелетущий	8B			БАРАН	Параллель	32KX8	8	35NS		0,007а	8B	35 нс
MR0A16AMA35R	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		АСИНХРОННЫЙ	1,35 мм	ROHS3 соответствует	2013	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a16acys35-datasheets-4218.pdf	48-LFBGA	8 мм					48	10 недель				48				Ear99		8542.32.00.71	1				ДА		3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН		3,3 В.	0,155 мА	Не квалифицирован				1 МБ 64K x 16	Нелетущий	16b			БАРАН	Параллель	64KX16	16	35NS		0,012а		35 нс
MR25H40MDFR	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Автомобиль, AEC-Q100		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 125 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		Синхронно	0,9 мм	ROHS3 соответствует	2014	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h40cdf-datasheets-7354.pdf	8-VDFN открытая площадка	6 мм					8	12 недель					SPI, сериал			Ear99		8542.32.00.71	1				ДА	600 МВт	3 В ~ 3,6 В.	Двойной	260	3,3 В.	1,27 мм	8	3,6 В.	3В	40		3,3 В.	0,042 мА	Не квалифицирован		R-PDSO-N8		4 МБ 512K x 8	Нелетущий	8B		40 МГц	БАРАН	SPI	512KX8	8		4194304 бит	0,0004a
MR0D08BMA45	Everspin Technologies Inc.	$ 6,39	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист	55 мА	АСИНХРОННЫЙ	1,35 мм	ROHS3 соответствует	2000	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0d08bma45r-datasheets-5021.pdf	48-LFBGA	8 мм				Свободно привести	48	12 недель				48		1 МБ		Ear99		8542.32.00.71	1				ДА		3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН	Другое память ICS	3,3 В.	0,065 мА	Не квалифицирован				1 МБ 128K x 8	Нелетущий	8B			БАРАН	Параллель	128KX8	8	45NS		0,008а		45 нс
MR4A08BCYS35	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист	100 мА		1,2 мм	ROHS3 соответствует	2015	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a08bcys35-datasheets-8400.pdf	44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина)	18,41 мм			3,3 В.	Свободно привести	44	8 недель				44		16 МБ	да	Ear99	Нет	8542.32.00.71	1	180 мА					3 В ~ 3,6 В.	Двойной		3,3 В.	0,8 мм	44	3,6 В.	3В									16 МБ 2m x 8	Нелетущий	8B			БАРАН	Параллель	2mx8	8	35NS		0,014а	8B	35 нс
MR256A08BCMA35	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист	65 мА	АСИНХРОННЫЙ	1,35 мм	ROHS3 соответствует	2011 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr256a08bys35-datasheets-3723.pdf	48-LFBGA	8 мм			3,3 В.	Свободно привести	48	12 недель				48		256 КБ		Ear99		8542.32.00.71	1	65 мА					3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ	260	3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В	40				Не квалифицирован				256KB 32K x 8	Нелетущий	8B			БАРАН	Параллель	32KX8	8	35NS		0,007а	8B	35 нс
MR256D08BMA45	Everspin Technologies Inc.	$ 10,74	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист	65 мА	АСИНХРОННЫЙ	1,35 мм	ROHS3 соответствует	2012	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr256d08bma45-datasheets-7437.pdf	48-LFBGA	8 мм			3,3 В.	Свободно привести	48	12 недель				48		256 КБ		Ear99		8542.32.00.71	1	65 мА					3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ	260	3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В	40	Другое память ICS			Не квалифицирован				256KB 32K x 8	Нелетущий	8B			БАРАН	Параллель	32KX8	8	45NS		0,008а	8B	45 нс
MR4A16BCYS35	Everspin Technologies Inc.	$ 14.10	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист	110 мА		1,2 мм	ROHS3 соответствует	2015	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a16bma35-datasheets-8258.pdf	54-центр (0,400, 10,16 мм ширина)	22,22 мм			3,3 В.	Свободно привести	54	8 недель				54		16 МБ		Ear99	Нет		1	180 мА	E3	Олово (SN)			3 В ~ 3,6 В.	Двойной	260	3,3 В.	0,8 мм	54	3,6 В.	3В									16 МБ 1m x 16	Нелетущий	16b			БАРАН	Параллель	1mx16	16	35NS		0,014а	16b	35 нс
MR0A08BCMA35R	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		АСИНХРОННЫЙ	1,35 мм	ROHS3 соответствует	2013	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a08bys35-datasheets-4974.pdf	48-LFBGA	8 мм					48	12 недель				48				Ear99		8542.32.00.71	1				ДА		3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ	260	3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В	40		3,3 В.	0,07 мА	Не квалифицирован				1 МБ 128K x 8	Нелетущий	8B			БАРАН	Параллель	128KX8	8	35NS		0,007а		35 нс
MR2A16AVYS35R	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 105 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)		105 ° C.	-40 ° C.	Mram (магниторезист				ROHS3 соответствует	2013	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf	44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина)				3,3 В.			10 недель		3,6 В.	3В	44	Параллель	4 МБ						165 мА					3 В ~ 3,6 В.															44-tsop2	4 МБ 256K x 16	Нелетущий	16b	35NS		БАРАН	Параллель			35NS			16b
MR20H40CDFR	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		Синхронно	0,9 мм	ROHS3 соответствует	2014	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h40cdf-datasheets-7354.pdf	8-VDFN открытая площадка	6 мм		5 мм	3,3 В.		8	12 недель				8	SPI, сериал	4 МБ		Ear99			1						3 В ~ 3,6 В.	Двойной	260	3,3 В.	1,27 мм	8	3,6 В.	3В	40			0,0465 мА	Не квалифицирован				4 МБ 512K x 8	Нелетущий		9 нс	50 МГц	БАРАН	SPI		8			0,00075a	8B
MR2A08ACMA35	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист	50 мА		1,35 мм	ROHS3 соответствует	2000	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a08acma35-datasheets-8425.pdf	48-LFBGA	8 мм			3,3 В.	Свободно привести	48	16 недель				48		4 МБ		Ear99	Нет	8542.32.00.71	1	135ma					3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ		3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В									4 МБ 512K x 8	Нелетущий	8B			БАРАН	Параллель	256KX8	8	35NS		0,02а	8B	35 нс
MR25H256MDC	Everspin Technologies Inc.	$ 60,20	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Автомобиль, AEC-Q100	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 125 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		Синхронно	1,05 мм	ROHS3 соответствует	2013	/files/everspintechnologiesinc-mr25h256cdc-datasheets-8230.pdf	8-TDFN открытая площадка	6 мм		5 мм	3,3 В.	Свободно привести	8	14 недель				8	SPI, сериал	256 КБ		Ear99			1	27 млн					2,7 В ~ 3,6 В.	Двойной	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	1,27 мм	8	3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН				Не квалифицирован				256KB 32K x 8	Нелетущий		10 нс	40 МГц	БАРАН	SPI		8			0,00001A	8B
MR25H256CDCR	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		Синхронно	1,05 мм	ROHS3 соответствует	2013	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h256cdc-datasheets-8230.pdf	8-TDFN открытая площадка	6 мм		5 мм	3,3 В.	Свободно привести	8	24 недели				8	SPI, сериал	256 КБ		Ear99			1	27 млн					2,7 В ~ 3,6 В.	Двойной	НЕ УКАЗАН	3В	1,27 мм	8	3,6 В.	2,7 В.	НЕ УКАЗАН				Не квалифицирован				256KB 32K x 8	Нелетущий		10 нс	40 МГц	БАРАН	SPI		8			0,00001A	8B
MR0A08BCYS35	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист	55 мА		1,2 мм	ROHS3 соответствует	2013	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a08bys35-datasheets-4974.pdf	44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина)	18,41 мм			3,3 В.	Свободно привести	44	12 недель				44		1 МБ		Ear99	Нет	8542.32.00.71	1	70 мА					3 В ~ 3,6 В.	Двойной		3,3 В.	0,8 мм	44	3,6 В.	3В									1 МБ 128K x 8	Нелетущий	8B			БАРАН	Параллель	128KX8	8	35NS		0,007а	8B	35 нс
MR0A16ACMA35R	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		АСИНХРОННЫЙ	1,35 мм	ROHS3 соответствует	2013	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a16acys35-datasheets-4218.pdf	48-LFBGA	8 мм					48	10 недель				48				Ear99		8542.32.00.71	1				ДА		3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН		3,3 В.	0,165 мА	Не квалифицирован				1 МБ 64K x 16	Нелетущий	16b			БАРАН	Параллель	64KX16	16	35NS		0,012а		35 нс
MR4A08BYS35R	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		АСИНХРОННЫЙ	1,2 мм	ROHS3 соответствует	2014	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a08bcys35-datasheets-8400.pdf	44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина)	18,41 мм					44	8 недель				44			да	Ear99		8542.32.00.71	1				ДА		3 В ~ 3,6 В.	Двойной	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,8 мм	44	3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН		3,3 В.	0,17 мА	Не квалифицирован				16 МБ 2m x 8	Нелетущий	8B			БАРАН	Параллель	2mx8	8	35NS	16777216 бит	0,014а		35 нс
MR25H256MDCR	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Автомобиль, AEC-Q100	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 125 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				Mram (магниторезист		Синхронно	1,05 мм	ROHS3 соответствует	2010 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h256cdc-datasheets-8230.pdf	8-TDFN открытая площадка	6 мм		5 мм	3,3 В.	Свободно привести	8	14 недель				8	SPI, сериал	256 КБ		Ear99			1	27 млн					2,7 В ~ 3,6 В.	Двойной	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	1,27 мм	8	3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН				Не квалифицирован				256KB 32K x 8	Нелетущий		10 нс	40 МГц	БАРАН	SPI		8			0,00001A	8B
MR25H40CDF	Everspin Technologies Inc.	$ 16,76	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)				Mram (магниторезист			0,9 мм	ROHS3 соответствует	2014	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h40cdf-datasheets-7354.pdf	8-VDFN открытая площадка	6 мм				Свободно привести	8	12 недель				8	SPI, сериал	4 МБ		Ear99	Нет		1	42 мА				600 МВт	3 В ~ 3,6 В.	Двойной	260	3,3 В.	1,27 мм	8	3,6 В.	3В	40		3,3 В.						4 МБ 512K x 8	Нелетущий	8B	9 нс	40 МГц	БАРАН	SPI		8			0,0004a	8B
MR4A08BCMA35	Everspin Technologies Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	5 (48 часов)				Mram (магниторезист			1,35 мм	ROHS3 соответствует	2015	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a08bcys35-datasheets-8400.pdf	48-LFBGA	10 мм		10 мм	3,3 В.		48	12 недель				48		16 МБ	да	Ear99	Нет	8542.32.00.71	1	180 мА					3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ		3,3 В.	0,75 мм	48	3,6 В.	3В									16 МБ 2m x 8	Нелетущий				БАРАН	Параллель	2mx8	8	35NS		0,014а	8B	35 нс

Everspin Technologies Inc. (226)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии