Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактEverspin Technologies Inc. (226)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Эксплуатационный ток снабжения | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Масса | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | PBFREE CODE | Код ECCN | Радиационное упрочнение | Идентификатор пакета производителя | HTS -код | Количество функций | Номинальный ток снабжения | Поверхностное крепление | Максимальная диссипация власти | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Диапазон температуры окружающей среды высокий | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Время доступа | Тактовая частота | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время записи - слово, страница | Плотность памяти | Вспомогательный ток-макс | Размер слова | Время доступа (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MR4A08BCYS35R | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a08bcys35-datasheets-8400.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,41 мм | 44 | 8 недель | 44 | да | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,17 мА | Не квалифицирован | 16 МБ 2m x 8 | Нелетущий | 8B | БАРАН | Параллель | 2mx8 | 8 | 35NS | 16777216 бит | 0,014а | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||
| MR0A08BSO35R | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | 2,54 мм | ROHS COMPARINT | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a08bys35-datasheets-4974.pdf | 32-Soic (0,295, ширина 7,50 мм) | 20,726 мм | 32 | 32 | Ear99 | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 1,25 мм | 32 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,065 мА | Не квалифицирован | 1 МБ 128K x 8 | Нелетущий | 8B | БАРАН | Параллель | 128KX8 | 8 | 35NS | 1048576 бит | 0,007а | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| MR4A16BYS35 | Everspin Technologies Inc. | $ 21,99 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | 110 мА | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a16bma35-datasheets-8258.pdf | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | 22,22 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 54 | 8 недель | 54 | 16 МБ | Ear99 | Нет | 1 | 180 мА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3,3 В. | 0,8 мм | 54 | 3,6 В. | 3В | 16 МБ 1m x 16 | Нелетущий | 16b | БАРАН | Параллель | 1mx16 | 16 | 35NS | 0,014а | 16b | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| MR25H10MDF | Everspin Technologies Inc. | $ 10,36 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Автомобиль, AEC-Q100 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 125 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | Синхронно | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h10cdc-datasheets-4465.pdf | 8-VDFN открытая площадка | 6 мм | 900 мкм | 8 | 12 недель | 8 | 1 МБ | Ear99 | 1 | 27 млн | 600 МВт | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | 125 ° C. | 1 МБ 128K x 8 | Нелетущий | 8B | 10 нс | 40 МГц | БАРАН | SPI | 8 | 8B | ||||||||||||||||||||||||||
| MR256A08BCYS35R | Everspin Technologies Inc. | $ 4,91 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr256a08bys35-datasheets-3723.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,41 мм | 44 | 12 недель | 44 | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3,3 В. | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 3В | 40 | 3,3 В. | 0,065 мА | Не квалифицирован | 256KB 32K x 8 | Нелетущий | 8B | БАРАН | Параллель | 32KX8 | 8 | 35NS | 0,007а | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| MR0A08BMA35 | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | 55 мА | АСИНХРОННЫЙ | 1,35 мм | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a08bys35-datasheets-4974.pdf | 48-LFBGA | 8 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 48 | 12 недель | 48 | 1 МБ | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | 65 мА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,75 мм | 48 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 1 МБ 128K x 8 | Нелетущий | 8B | БАРАН | Параллель | 128KX8 | 8 | 35NS | 0,007а | 8B | 35 нс | |||||||||||||||||||||||
| MR2A16ACYS35R | Everspin Technologies Inc. | $ 11,39 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,41 мм | 3,3 В. | 44 | 10 недель | 44 | 4 МБ | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | 165 мА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 4 МБ 256K x 16 | Нелетущий | 16b | БАРАН | Параллель | 256KX16 | 16 | 35NS | 0,028а | 16b | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||
| MR4A08BCMA35R | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 5 (48 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | 1,35 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a08bcys35-datasheets-8400.pdf | 48-LFBGA | 10 мм | 10 мм | 48 | 12 недель | 48 | да | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,75 мм | 48 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,17 мА | Не квалифицирован | 16 МБ 2m x 8 | Нелетущий | БАРАН | Параллель | 2mx8 | 8 | 35NS | 16777216 бит | 0,014а | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||
| MR256A08BCSO35 | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | 2,54 мм | ROHS COMPARINT | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr256a08bys35-datasheets-3723.pdf | 32-Soic (0,295, ширина 7,50 мм) | 20,726 мм | 32 | 32 | 256 КБ | Ear99 | 1 | 75 мА | ДА | 600 МВт | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 1,25 мм | 32 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | Не квалифицирован | 256KB 32K x 8 | Нелетущий | 8B | БАРАН | Параллель | 8 | 35NS | 0,007а | 8B | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| MR20H40CDF | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | Синхронно | 0,9 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h40cdf-datasheets-7354.pdf | 8-VDFN открытая площадка | 6 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 8 | 12 недель | 37.393021 мг | 8 | SPI, сериал | 4 МБ | Ear99 | 1 | 600 МВт | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3,3 В. | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 3В | 40 | 0,0465 мА | Не квалифицирован | 4 МБ 512K x 8 | Нелетущий | 8B | 20 нс | 50 МГц | БАРАН | SPI | 8 | 0,00075a | 8B | |||||||||||||||||||||||
| MR2A16AMA35 | Everspin Technologies Inc. | $ 8,31 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | 105 мА | АСИНХРОННЫЙ | 1,35 мм | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf | 48-LFBGA | 8 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 48 | 10 недель | 48 | 4 МБ | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | 155 мА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,75 мм | 48 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 4 МБ 256K x 16 | Нелетущий | 16b | БАРАН | Параллель | 256KX16 | 16 | 35NS | 0,028а | 16b | 35 нс | ||||||||||||||||||||||
| MR25H10CDCR | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | Синхронно | 1 мм | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h10cdc-datasheets-4465.pdf | 8-TDFN открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 8 | 14 недель | 8 | SPI, сериал | 1 МБ | Ear99 | 1 | 27 млн | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 1 МБ 128K x 8 | Нелетущий | 10 нс | 40 МГц | БАРАН | SPI | 8 | 0,000115a | 8B | |||||||||||||||||||||||||
| MR0A08BMA35R | Everspin Technologies Inc. | $ 11,17 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | 1,35 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a08bys35-datasheets-4974.pdf | 48-LFBGA | 8 мм | 48 | 12 недель | 48 | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В. | 0,75 мм | 48 | 3,6 В. | 3В | 40 | 3,3 В. | 0,065 мА | Не квалифицирован | 1 МБ 128K x 8 | Нелетущий | 8B | БАРАН | Параллель | 128KX8 | 8 | 35NS | 0,007а | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| MR2A16ACMA35R | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf | 48-LFBGA | 8 мм | 1,35 мм | 48 | 10 недель | 48 | Ear99 | MR2A16ACMA35R | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,75 мм | 48 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | 85 ° C. | 4 МБ 256K x 16 | Нелетущий | 16b | БАРАН | Параллель | 256KX16 | 16 | 35NS | 4194304 бит | |||||||||||||||||||||||||||||
| MR4A16BCMA35R | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 5 (48 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | 1,35 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | /files/everspintechnologiesinc-mr4a16bma35-datasheets-8258.pdf | 48-LFBGA | 10 мм | 3,3 В. | 48 | 8 недель | 48 | 16 МБ | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | 180 мА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,75 мм | 48 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 16 МБ 1m x 16 | Нелетущий | 16b | БАРАН | Параллель | 1mx16 | 16 | 35NS | 0,014а | 16b | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||
| MR256A08BCSO35R | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | 2,286 мм | ROHS COMPARINT | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr256a08bys35-datasheets-3723.pdf | 32-Soic (0,295, ширина 7,50 мм) | 20,726 мм | 32 | 32 | Ear99 | 1 | ДА | 600 МВт | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 1,25 мм | 32 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,075 мА | Не квалифицирован | 256KB 32K x 8 | Нелетущий | 8B | БАРАН | Параллель | 8 | 35NS | 262144 бит | 0,007а | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| MR4A16BCMA35 | Everspin Technologies Inc. | $ 52,98 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | 110 мА | 1,35 мм | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a16bma35-datasheets-8258.pdf | 48-LFBGA | 10 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 48 | 8 недель | 48 | 16 МБ | Ear99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 180 мА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 3,3 В. | 0,75 мм | 48 | 3,6 В. | 3В | 16 МБ 1m x 16 | Нелетущий | 16b | БАРАН | Параллель | 1mx16 | 16 | 35NS | 0,014а | 16b | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||
| MR2A08AYS35 | Everspin Technologies Inc. | $ 24,89 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | 50 мА | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a08acma35-datasheets-8425.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,41 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 44 | 10 недель | 44 | 4 МБ | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | 135ma | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 4 МБ 512K x 8 | Нелетущий | 8B | БАРАН | Параллель | 512KX8 | 8 | 35NS | 0,02а | 8B | 35 нс | ||||||||||||||||||||||
| MR25H10MDFR | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Автомобиль, AEC-Q100 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 125 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | Синхронно | 0,9 мм | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h10cdc-datasheets-4465.pdf | 8-VDFN открытая площадка | 6 мм | 8 | 12 недель | SPI, сериал | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 600 МВт | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | R-PDSO-N8 | 1 МБ 128K x 8 | Нелетущий | 8B | 40 МГц | БАРАН | SPI | 128KX8 | 8 | 1048576 бит | ||||||||||||||||||||||||||||
| MR0A08BYS35R | Everspin Technologies Inc. | $ 46,53 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a08bys35-datasheets-4974.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,41 мм | 3,3 В. | 44 | 12 недель | 44 | 1 МБ | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | 65 мА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 1 МБ 128K x 8 | Нелетущий | 8B | БАРАН | Параллель | 128KX8 | 8 | 35NS | 0,007а | 8B | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||
| MR2A08ACYS35R | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a08acma35-datasheets-8425.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,41 мм | 3,3 В. | 44 | 10 недель | 44 | 4 МБ | да | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | 135ma | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 4 МБ 512K x 8 | Нелетущий | 8B | БАРАН | Параллель | 256KX8 | 8 | 35NS | 0,02а | 8B | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||
| MR0A16AMYS35R | Everspin Technologies Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 125 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Mram (магниторезист | 55 мА | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a16acys35-datasheets-4218.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,41 мм | 44 | 10 недель | 44 | Ear99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 600 МВт | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | AEC-Q100 | 1 МБ 64K x 16 | Нелетущий | 16b | БАРАН | Параллель | 64KX16 | 16 | 35NS | 1048576 бит | ||||||||||||||||||||||||||||
| MR0A08BCSO35 | Everspin Technologies Inc. | $ 50,21 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Mram (магниторезист | АСИНХРОННЫЙ | 2,286 мм | ROHS COMPARINT | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a08bys35-datasheets-4974.pdf | 32-Soic (0,295, ширина 7,50 мм) | 20,726 мм | 32 | 32 | Ear99 | 1 | ДА | 600 МВт | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 1,25 мм | 32 | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,07 мА | Не квалифицирован | 1 МБ 128K x 8 | Нелетущий | 8B | БАРАН | Параллель | 128KX8 | 8 | 35NS | 1048576 бит | 0,007а | 35 нс |
