Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактEverspin Technologies Inc.(226)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Время доступа | Тактовая частота | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MR25H256MDC | Эверспин Технологии Инк. | $60,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/everspintechnologiesinc-mr25h256cdc-datasheets-8230.pdf | 8-TDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 14 недель | 8 | SPI, серийный | 256 КБ | EAR99 | 1 | 27мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 10 нс | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 8 | 0,00001А | 8б | ||||||||||||||||||||||
| MR25H256CDCR | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h256cdc-datasheets-8230.pdf | 8-TDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 24 недели | 8 | SPI, серийный | 256 КБ | EAR99 | 1 | 27мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 10 нс | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 8 | 0,00001А | 8б | ||||||||||||||||||||||||
| MR0A08BCYS35 | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 55 мА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a08bys35-datasheets-4974.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 12 недель | 44 | 1 Мб | EAR99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 70 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 8б | БАРАН | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 35 нс | 0,007А | 8б | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||
| MR0A16ACMA35R | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | АСИНХРОННЫЙ | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a16acys35-datasheets-4218.pdf | 48-ЛФБГА | 8 мм | 48 | 10 недель | 48 | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,165 мА | Не квалифицирован | 1Мб 64К х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 35 нс | 0,012А | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| MR4A08BYS35R | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a08bcys35-datasheets-8400.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 44 | 8 недель | 44 | да | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,17 мА | Не квалифицирован | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8б | БАРАН | Параллельно | 2MX8 | 8 | 35 нс | 16777216 бит | 0,014А | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||
| MR25H256MDCR | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h256cdc-datasheets-8230.pdf | 8-TDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 14 недель | 8 | SPI, серийный | 256 КБ | EAR99 | 1 | 27мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 10 нс | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 8 | 0,00001А | 8б | |||||||||||||||||||||||
| MR25H40CDF | Эверспин Технологии Инк. | $16,76 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h40cdf-datasheets-7354.pdf | 8-VDFN Открытая площадка | 6 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 8 | SPI, серийный | 4 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 42 мА | 600мВт | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 9 нс | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 8 | 0,0004А | 8б | |||||||||||||||||||||||
| MR4A08BCMA35 | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 5 (48 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a08bcys35-datasheets-8400.pdf | 48-ЛФБГА | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | 48 | 12 недель | 48 | 16 Мб | да | EAR99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 180 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 3В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | БАРАН | Параллельно | 2MX8 | 8 | 35 нс | 0,014А | 8б | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| MR25H256CDFR | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h256cdc-datasheets-8230.pdf | 8-VDFN Открытая площадка | 6 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 8 | SPI, серийный | 256 КБ | EAR99 | 1 | 27мА | 600мВт | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 10 нс | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 8 | 8б | |||||||||||||||||||||||||||
| MR0A08BCYS35R | Эверспин Технологии Инк. | $12,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a08bys35-datasheets-4974.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 12 недель | 44 | 1 Мб | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | 70 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 8б | БАРАН | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 35 нс | 0,007А | 8б | 35 нс | ||||||||||||||||||||||
| MR0A16ACMA35 | Эверспин Технологии Инк. | $14,23 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 105 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a16acys35-datasheets-4218.pdf | 48-ЛФБГА | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 10 недель | 48 | 1 Мб | EAR99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 155 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 3В | 1Мб 64К х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 35 нс | 0,012А | 16б | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||
| MR2A16AMYS35 | Эверспин Технологии Инк. | $31,86 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | 165 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 4Мб 256К х 16 | Энергонезависимый | БАРАН | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 35 нс | 16б | ||||||||||||||||||||||||
| МР25Х256МДФ | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h256cdc-datasheets-8230.pdf | 8-VDFN Открытая площадка | 6 мм | 8 | 14 недель | SPI, серийный | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 600мВт | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | 40 | Р-ПДСО-Н8 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | |||||||||||||||||||||||||||
| MR25H40CDC | Эверспин Технологии Инк. | $25,13 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h40cdf-datasheets-7354.pdf | 8-VDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 14 недель | 37,393021мг | 8 | SPI, серийный | 4 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 42 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 9 нс | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 8 | 8б | ||||||||||||||||||||||||||
| MR25H256ACDF | Эверспин Технологии Инк. | 2,21 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h256cdc-datasheets-8230.pdf | 8-VDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МР256А08БИС35Р | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr256a08bys35-datasheets-3723.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 3,3 В | 44 | 12 недель | 44 | 256 КБ | EAR99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 65 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 8б | БАРАН | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 35 нс | 0,007А | 8б | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| MR0DL08BMA45 | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | АСИНХРОННЫЙ | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0dl08bma45-datasheets-2529.pdf | 48-ЛФБГА | 8 мм | 8 мм | 48 | 12 недель | 48 | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | БАРАН | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 45нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MR0A16ACYS35R | Эверспин Технологии Инк. | $13,78 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a16acys35-datasheets-4218.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 10 недель | 44 | 1 Мб | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | 155 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 1Мб 64К х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 35 нс | 0,012А | 16б | 35 нс | ||||||||||||||||||||||
| MR2A16AMYS35R | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 10 недель | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г44 | 4Мб 256К х 16 | Энергонезависимый | БАРАН | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 35 нс | 4194304 бит | |||||||||||||||||||||||||||||
| МР25Х256МДФР | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h256cdc-datasheets-8230.pdf | 8-VDFN Открытая площадка | 6 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | SPI, серийный | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | 600мВт | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | 40 | Р-ПДСО-Н8 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | ||||||||||||||||||||||||||
| MR2A08ACYS35 | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 50 мА | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a08acma35-datasheets-8425.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | 135 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | БАРАН | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 35 нс | 0,02 А | 8б | 35 нс | ||||||||||||||||||||||
| MR25H256CDF | Эверспин Технологии Инк. | 1,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h256cdc-datasheets-8230.pdf | 8-VDFN Открытая площадка | 6 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 8 | SPI, серийный | 256 КБ | EAR99 | Нет | 1 | 27мА | 600мВт | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 10 нс | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 8 | 8б | ||||||||||||||||||||||||||||
| MR256DL08BMA45R | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | АСИНХРОННЫЙ | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr256dl08bma45r-datasheets-1935.pdf | 48-ЛФБГА | 8 мм | 8 мм | 48 | 24 недели | 48 | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | БАРАН | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 45нс | 262144 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MR0A16AVYS35 | Эверспин Технологии Инк. | $16,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 1 (без ограничений) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 105 мА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a16acys35-datasheets-4218.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 3,3 В | 44 | 10 недель | 44 | 1 Мб | EAR99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 165 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 1Мб 64К х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 35 нс | 0,028А | 16б | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||
| MR0A16AYS35R | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr0a16acys35-datasheets-4218.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 3,3 В | 44 | 10 недель | 44 | 1 Мб | да | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | 155 мА | е3 | Олово (Sn) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 1Мб 64К х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 35 нс | 0,028А | 16б | 35 нс | |||||||||||||||||||||
| MR2A08AMYS35R | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a08acma35-datasheets-8425.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 44 | 10 недель | 44 | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,135 мА | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | БАРАН | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 35 нс | 2097152 бит | 0,02 А | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||
| MR20H40DFR | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 0,9 мм | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h40cdf-datasheets-7354.pdf | 8-VDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | Р-ПДСО-Н8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 50 МГц | БАРАН | СПИ | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МР2А16АЙС35 | Эверспин Технологии Инк. | $23,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 105 мА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | EAR99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 155 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 4Мб 256К х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 35 нс | 0,028А | 16б | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||
| MR25H10CDC | Эверспин Технологии Инк. | $8,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h10cdc-datasheets-4465.pdf | 8-VDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 14 недель | 8 | SPI, серийный | 1 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 27мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 10 нс | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 8 | 0,000115А | 8б | ||||||||||||||||||||||||||
| MR256D08BMA45R | Эверспин Технологии Инк. | $43,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | АСИНХРОННЫЙ | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr256d08bma45-datasheets-7437.pdf | 48-ЛФБГА | 8 мм | 48 | 12 недель | 48 | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 3В | 40 | Другие микросхемы памяти | 3,3 В | 0,065 мА | Не квалифицирован | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 8б | БАРАН | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 45нс | 262144 бит | 0,008А | 45 нс |
