Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактSamsung Semiconductor, Inc.(9858)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Форма | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Поверхностный монтаж | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Пакет устройств поставщика | Прямое напряжение | Общая высота | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Термическое сопротивление упаковки | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Поток при 85°C, ток — испытание | Поток при 25°C, ток — испытание | Температура испытания | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWHHAHDNL251ZU2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 51В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 165 лм/Вт | 85°С | 9071lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNE27YHU34J | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | Белый, Теплый | 6 недель | да | 1,9 А | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 117 лм/Вт | 25°С | 4503lm Тип | 1,08А | 90 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNL251ZV3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC060D Gen2 | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 52В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 152 лм/Вт | 85°С | 8542lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG28YZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 112 лм/Вт | 85°С | 2786lm Тип | 720 мА | 1,84А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH25YZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 153 лм/Вт | 85°С | 4779 лм Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNA27YHT21G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen2 | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,60 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 130 лм/Вт | 25°С | 1658 лм 1520 лм~1795 лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 90 | Диаметр 11,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZU3N1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 2,76А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 145 лм/Вт | 85°С | 5418lm Тип | 1,08А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNB27YHV32K | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen2 | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 121 лм/Вт | 25°С | 2327лм 2127лм~2527лм | 540 мА | Плоский | 90 | Диаметр 12,40 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH27YZW3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 121 лм/Вт | 85°С | 3781lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHCW1HDNB25YHQT1H | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5700К | 157 лм/Вт | 25°С | 3017лм 2831лм~3202лм | 540 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNM271ZV2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC080D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 52В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 85°С | 10731lm Тип | 1,62 А | 4.14А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNM231ZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC080D Gen2 | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 115° | Квадрат | 52В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 159 лм/Вт | 85°С | 13406lm Тип | 1,62 А | 4.14А | Плоский | 70 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPMWHT541ML5XAUMS0 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM561C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 0,197Дx0,118Вт 5,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,031 0,80 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | 4-SMD, плоские выводы | Белый, Теплый | 4 недели | да | 8541.40.20.00 | 180 мА | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 2,8 В | 3500К | 12°С/Вт | 181 лм/Вт | 65 мА | 80 | 33лм 31лм~35лм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ-B8P114250WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛАМ-SQ30 | Поднос | 259,00 мм Д x 250,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8p114250ww-datasheets-9544.pdf | 259 мм | 6,60 мм | 250 мм | Белый, Холодный | 6 недель | 540 мА | С разъемом | 30,2 В | 145° | Куполообразный | Прямоугольник | 30,2 В | 6500К | 143 лм/Вт | 50°С | 1515 лм 1364 лм~1683 лм | 350 мА | 540 мА | Куполообразный | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SCP7QTF1HEL1QKP34E | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LH181B | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,093Дx0,093Ш 2,36x2,36 мм | 2А (4 недели) | 0,019 0,48 мм | Соответствует RoHS | 2017 год | 2-SMD, без свинца | Белый, Холодный | 4 недели | СМД | 110° | 2,9 В | 5700К | 2°С/Вт | 172 лм/Вт | 350 мА | 1,4 А | 70 | 175лм 160лм~190лм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ-B8R102250WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ФИН-SQ64 | Коробка | 259,00 мм Д x 250,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t102250ww-datasheets-9844.pdf | 259 мм | 5,80 мм | 250 мм | Белый, Холодный | 6 недель | 2,4А | С разъемом | 11,2 В | 115° | Плоский | Прямоугольник | 11,2 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 191 лм/Вт | 35°С | 1495 лм Тип. | 700 мА | 2,4А | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||
| SCP8RTF1HPLARTK34E | Самсунг Полупроводник, Инк. | 0,72 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LH181A | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,075Дx0,075Ш 1,91x1,91 мм | 2А (4 недели) | 0,017 0,42 мм | Соответствует RoHS | 0707 (метрическая единица 1919 года) | Белый, Холодный | 4 недели | СМД | 140° | 2,8 В | 5000К | 3°С/Вт | 148 лм/Вт | 350 мА | 1,5 А | 80 | 145 лм 130 лм~160 лм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNM251ZW3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 51В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 151 лм/Вт | 85°С | 12437lm Тип | 1,62 А | 4.14А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCP7PTF1HPLAPTM34E | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LH181A | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,075Дx0,075Ш 1,91x1,91 мм | 2А (4 недели) | 0,019 0,48 мм | Соответствует RoHS | 0707 (метрическая единица 1919 года) | Белый, Холодный | 4 недели | СМД | 140° | 2,9 В | 6500К | 3°С/Вт | 153 лм/Вт | 350 мА | 1,5 А | 70 | 155лм 140лм~170лм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNE25YHT24H | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 1,9 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 152 лм/Вт | 25°С | 5830 лм 5635 лм~6025 лм | 1,08А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWH2L3D30ED4UPK3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LH351B | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,138Дx0,138Ш 3,50x3,50 мм | 2А (4 недели) | 0,081 2,06 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | 1414 (3535 Метрическая единица) | 1,93 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 1,5 А | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | Куполообразный | 2,8 В | 3500К | 4°С/Вт | 148 лм/Вт | 350 мА | 80 | 145 лм 130 лм~160 лм | 85°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNL251ZU3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 51В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 165 лм/Вт | 85°С | 9071lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPMWHT32BMD7YBR0S0 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM302C | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,033 0,85 мм | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwht32bmd7ybw0s0-datasheets-2735.pdf | 1212 (3030 Метрическая единица) | Белый, Холодный | 6 недель | 3030 | 115° | 5,9 В | 5000К | 8°С/Вт | 146 лм/Вт | 65 мА | 150 мА | 90 | 56лм 50лм~62лм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNE27YHV24J | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | Белый, Теплый | 6 недель | да | 1,9 А | Квадрат | 35,5 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 114 лм/Вт | 25°С | 4372lm Тип | 1,08А | 90 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHTL3D50GE4UPJF | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LH351C | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,138Дx0,138Ш 3,50x3,50 мм | 2А (4 недели) | 0,097 2,46 мм | Соответствует RoHS | 1414 (3535 Метрическая единица) | Белый, Теплый | КРУГЛЫЙ | 3 | 4 недели | UL ПРИЗНАЛ | совместимый | 8541.40.20.00 | ТР, 7 ДЮЙМОВ | 1 | ДА | 105°С | -40°С | 2,33 мм | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 2А | 128° | ОДИНОКИЙ | 2,9 В | 3500К | 3°С/Вт | 118 лм/Вт | 700 мА | 2А | 90 | 240 лм 210 лм~270 лм | ||||||||||||||||||||||||
| СИ-B8T113250WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ФИН-SQ30 | Коробка | 259,00 мм Д x 250,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8p113250ww-datasheets-1980.pdf | 259 мм | 5,80 мм | 250 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 450 мА | С разъемом | 30,2 В | 115° | Плоский | Прямоугольник | 30,2 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 152 лм/Вт | 50°С | 1610 лм тип. | 350 мА | 450 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHTL3DA0GF4UPN6 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LH351D | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,138Дx0,138Ш 3,50x3,50 мм | 2А (4 недели) | 0,097 2,46 мм | Соответствует RoHS | 2018 год | 1414 (3535 Метрическая единица) | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 128° | 3В | 3500К | 2,2°С/Вт | 105 лм/Вт | 1,05А | 3А | 90 | 330 лм 300 лм~360 лм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ-B8R341560WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | LT-F562A | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 560 мм | 5,20 мм | 18 мм | Белый, Холодный | С разъемом | 24,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,7 В | 5000K 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 4650 лм тип. | 1,35 А | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPMWH1229AD5SGVMSA | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM283B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,126Дx0,110Вт 3,20x2,80 мм | 2А (4 недели) | 0,030 0,75 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwh1229ad5sgv0sa-datasheets-8169.pdf | 1113 (2835 Метрическая единица) | Белый, Теплый | 6 недель | да | 110 мА | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 9,4 В | 3000К | 15°С/Вт | 112 лм/Вт | 100 мА | 80 | 105лм 100лм~110лм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI-B8U09526001 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛАМ-SQ32B | Коробка | 259,00 мм Д x 250,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 259 мм | 6,60 мм | 250 мм | Белый, Теплый | 600мА | С разъемом | 24В | 145° | Куполообразный | Прямоугольник | 24В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 35°С | 1280 лм тип. | 385 мА | 600мА | Куполообразный | 80 |
