Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактSamsung Semiconductor, Inc.(9858)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI-B8U101560US | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный двигатель | LT-Q562A | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,80 мм | Белый, Теплый | 4 недели | Линейная световая полоса | 21,9 В | 3500К | 198 лм/Вт | 40°С | Тип 1950лм | 450 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZV3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 147 лм/Вт | 85°С | 457 лм тип. | 90 мА | 230 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SL-B8T2N80LAWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | H приток | Поднос | 560,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,20 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 118° | Линейная световая полоса | 22,3 В | 4000К | 192 лм/Вт | 55°С | 4280 лм Тип. | 1А | 1,6 А | Плоский | 80 | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZU3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC009D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | 1381 лм Тип | 270 мА | 690мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC27YZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC009D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 137 лм/Вт | 85°С | 1278 лм Тип | 270 мА | 690мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC27YZV2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC009D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | /files/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 122 лм/Вт | 85°С | 1141lm Тип | 270 мА | 690мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZU2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 2-ступенчатый эллипс Макадама | 165 лм/Вт | 85°С | 1519 лм Тип | 270 мА | 690мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SI-B8P095280WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛАМ-РТ32Б | Коробка | 273,00 мм Д x 216,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8p095280ww-datasheets-7964.pdf | 273 мм | 5,60 мм | 216 мм | Белый, Холодный | С разъемом | 24В | 145° | Куполообразный | Прямоугольник | 24В | 6500K 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 130 лм/Вт | 35°С | 1200лм 1060лм~1330лм | 385 мА | Куполообразный | 80 | ||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZV3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzv2d2-datasheets-8310.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 85°С | 483 лм тип. | 90 мА | 230 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZV2B1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 230 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 85°С | 435 лм тип. | 90 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZU2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс Макадама | 152 лм/Вт | 85°С | 474 лм, тип. | 90 мА | 230 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZR3F8 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 460 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 149 лм/Вт | 85°С | 928 лм тип. | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZV3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 125 лм/Вт | 85°С | 780 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZP3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 163 лм/Вт | 85°С | Тип 1018 лм | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZU3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 137 лм/Вт | 85°С | Тип 853lm | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZU2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 2-ступенчатый эллипс Макадама | 167 лм/Вт | 85°С | 1023 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZW3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 85°С | 809 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZP3J1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 1,15 А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | 2304lm Тип | 450 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZT2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 143 лм/Вт | 85°С | 1745 лм Тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDN82VYHT3CF | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 25°С | 799лм 703~895лм | Плоский | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWW1HDN827YHT2CG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 13,5 мм | 1,50 мм | 13,5 мм | Белый, Нейтральный | 320 мА | 35,5 В | 115° | Плоский | Квадрат | 35,5 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 25°С | 886 лм 816 лм~956 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZV3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 147 лм/Вт | 85°С | 2291lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC27YZR3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 146 лм/Вт | 85°С | 1340 лм тип. | 270 мА | 690мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDN827YHU3CG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 135 лм/Вт | 25°С | 862 лм 793 лм~931 лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHCW1HDN825YHR3ED | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,60 мм | Белый, Холодный | 6 недель | 330 мА | Квадрат | 35,5 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 25°С | Тип 907lm | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 157 лм/Вт | 85°С | Тип 1950лм | 360 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZW3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 85°С | 1764lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| СИ-B8V151550WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | 1,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М552Б | Поднос | 550,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 550 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | С разъемом | 24,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,7 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 50°С | Тип 1950лм | 600 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||
| SI-B8U521560WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | F-серия Gen3 | Масса | 559,70 мм Д x 39,80 мм Ш | 1 (без ограничений) | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8v261560ww-datasheets-4889.pdf | 5,20 мм | Белый, Теплый | 4 недели | С разъемом | Линейная световая полоса | 46В | 3500К | 171 лм/Вт | 65°С | 8800 лм тип. | 1,12А | Плоский | 80 | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF27YZV2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | /files/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 121 лм/Вт | 85°С | 2262лм 2207лм~2317лм | 540 мА | 970 мА | Куполообразный | 90 | Диаметр 17,00 мм |
