Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактATP Electronics, Inc. (2830)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Рабочая температура | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Время выполнения завода | Количество булавок | Размер памяти | Тип памяти | Скорость | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AY24M7238BLF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Miniudimm | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| AW24P7228BLH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| AQ24M72Y8BLF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| AQ24P72Y8BLH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| AL24M72B8BLH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| A4B08QF4BLPBSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 мт/с | ||||||||||||||
| AL24P72L8BLK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| AW48M64F8BNH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 16 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 мт/с | ||||||||||||||
| AW48P64F8BNH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 16 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 мт/с | ||||||||||||||
| AW48P64F8BNF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 16 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 мт/с | ||||||||||||||
| AW24P64F8BLH9MW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1333mt/s | ||||||||||||||
| AL48M72V8MNH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 16 ГБ | ||||||||||||||||
| A4B16QF4BNPBSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsinc-al12p72l8bkk0m-datasheets-0345.pdf | 288-RDIMM | 6 недель | 288 | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 2133mt/s | |||||||||
| AW56M6438BKF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||
| AQ56P64A8BKF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||
| AW56M7218BKK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ROHS COMPARINT | 240-уседания | 6 недель | 2 ГБ | |||||||||||||||
| AY56P7268BKK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Miniudimm | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||
| AQ56M64A8BKF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||
| AL56P72A8BKF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||
| AW12P6438BLK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Udimm | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| AW24M7228BLK0MW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsinc-aw24m7228blk0mw-datasheets-4061.pdf | 204-Sodimm | 6 недель | 204 | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 мт/с | |||||||||
| A4D04Q18BLPBME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2133mt/s | ||||||||||||||
| AQ12M72D8BLH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| AQ12M72X8BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| AQ12M6418BLH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| A4C04QD8BLPBME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 288-удруча | 6 недель | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2133mt/s | ||||||||||||||
| AL12P72A8BLH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| AW12M7218BLMAMW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Udimm | 6 недель | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1866mt/s | ||||||||||||||
| AL12M72L8BKH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| Af8gud3-waaix | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | -40 ° C ~ 85 ° C. | MLC | 8 ГБ | MicroSDHC? | Класс 10, класс 1 класс 1 | ATP Electronics, Inc. |
