Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактATP Electronics, Inc. (2830)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Рабочая температура | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Время выполнения завода | Количество булавок | Размер памяти | Тип памяти | Скорость | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AW24M7248BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-RDIMM | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| AQ24P72E8BLF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| AY24P7228BLH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Minirdimm | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| AL24M72B8BLF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| AL24P72L8BLH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| AL24M7218BLH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| AY24M7298MNF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Minirdimm | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||
| AW48P64F8BNK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 16 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 мт/с | ||||||||||||||
| AQ48M72E8BNK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 16 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 мт/с | ||||||||||||||
| AL48M72E4BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 16 ГБ | ||||||||||||||||
| AW24P7228BLH9MW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1333mt/s | ||||||||||||||
| AW56P64B8BKK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsinc-aw56p64b8bkk0m-datasheets-3764.pdf | 204-Sodimm | 6 недель | 204 | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 мт/с | |||||||||
| AQ56M72D8BKK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Не совместимый с ROHS | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | |||||||||||||||
| AN8V64A6SEGAM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 2015 | 144-Udimm | 6 недель | 64 МБ | |||||||||||||||
| AQ56P64A8BKH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||
| AW56M7218BKH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ROHS COMPARINT | 240-уседания | 6 недель | 2 ГБ | |||||||||||||||
| AZ56K64E8BJE7M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Не совместимый с ROHS | 200-Udimm | 6 недель | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | ||||||||||||||
| AY56P7258BKK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Minirdimm | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||
| AW12M7268BLH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Udimm | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| AY12M7268BLF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Miniudimm | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| AW12P7218BLH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| A4C04QD8BLPBSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 288-удруча | 6 недель | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 мт/с | ||||||||||||||
| AQ12M72D8BLF8S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| AQ12P72X8BLH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| AL12M72L8BKH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ROHS COMPARINT | Модуль | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||||
| AY12P7258BLF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Minirdimm | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| A4B04QG4BLPBSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 мт/с | ||||||||||||||
| AY12P7268BLH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Miniudimm | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||
| AF64GSD4A-BBBIM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | -40 ° C ~ 85 ° C. | PSLC | 64 ГБ | SDXC? | Класс 10, класс EHS 3 | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||
| AF32GUD4A-BBBIM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | -40 ° C ~ 85 ° C. | PSLC | 32 ГБ | MicroSDHC? | Класс 10, класс EHS 3 | ATP Electronics, Inc. |
