Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактATP Electronics, Inc. (2830)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Рабочая температура | Размер / измерение | Технология | Пакет / корпус | Время выполнения завода | Масса | Напряжение - поставка | Размер памяти | Тип памяти | Скорость | Ток - макс | Скорость - читать | Скорость - написать | Форм -фактор | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AQ12P72D8BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||||||||
| AQ12M72D8BLH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||||||||
| AW12M64B8BLMAMW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 6 недель | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1866mt/s | ||||||||||||||||||
| AL12M72A8BLK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||||||||
| AW12P7218BLH9MW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1333mt/s | |||||||||||||||||
| AL12M72L8BKF8S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||||||||
| A4D16QB8BNWEME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | 288-удруча | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||||||||||
| AF8GUD4A-BBBXM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | -25 ° C ~ 85 ° C. | PSLC | 8 ГБ | MicroSDHC? | Класс 10, класс EHS 3 | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||||||||
| A4G16QE8BNWEME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | 260-so-udimm | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||||||||||
| AF960GSTIC-7BFXP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600S | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 960 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 440 МБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||
| AF480GSTJA-8BEIX | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Nvme | N600S | -40 ° C ~ 85 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 480 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 3,42 ГБ/с | 3,05 ГБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||
| AF120GSTIC-7BEXP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600S | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 120 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 440 МБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||
| AF480GSTHI-7BEXP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600S | 0 ° C ~ 70 ° C. | 50,80 мм x 29,85 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 480 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 440 МБ/с | Msata | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||
| AF8GUD3A-WAAXX | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | -25 ° C ~ 85 ° C. | AMLC | 8 ГБ | MicroSDHC? | UHS класс 1 | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||||||||
| AF480GSTCJ-7BDIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600SI | -40 ° C ~ 85 ° C. | 100,00 мм x 69,85 мм x 7,00 мм | - | 5 В | 480 ГБ | Solid State Drive (SSD) Flash - NAND | - | 560 МБ/с | 500 МБ/с | 2.5 " | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||
| AF256GUD4-BBCIM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | * | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||||||||
| AF240GSTIC-7BDXP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600SC | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,35 мм | - | 3,3 В. | 240 ГБ | Solid State Drive (SSD) Flash - NAND | - | 560 МБ/с | 500 МБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||
| AF256GSTCJ-2BBXX | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600VC | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,00 мм x 69,90 мм x 7,00 мм | - | - | 256 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 525 МБ/с | 2.5 " | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||
| AF40GSAJA-8BAIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Nvme | ATP I-TEMP NVME PSLC PCIE GEN3 | -40 ° C ~ 85 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 40 ГБ | Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (PSLC) | - | 1,825 ГБ/с | 570 МБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||
| AF160GSAJB-DBAIX | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | * | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||||||||
| AF240GSTIC-7BDIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600SI | -40 ° C ~ 85 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,35 мм | - | 3,3 В. | 240 ГБ | Solid State Drive (SSD) Flash - NAND | - | 560 МБ/с | 500 МБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||
| AF120GSTIC-7BCXP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | A650SI/A650S | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,35 мм | - | 3,3 В. | 120 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 440 МБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||
| AF120GSTIC-7BCIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | A650SI/A650SC | -40 ° C ~ 85 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,35 мм | - | 3,3 В. | 120 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 440 МБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||
| AF160GSAJB-DBAXX | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | * | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||||||||
| A4G08QK6BNPBSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||
| A4C16QD8BVRCME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||
| A4F32QG8BVVFME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||
| A4B16QH8BNPBSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||
| AF8GCSI-XACXP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||
| AF480GSTHI-7BAIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 |
