Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Xilinx Inc.

Xilinx Inc. (8306)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Ряд Устанавливать Монтажный тип Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности влаги (MSL) Завершение Максимальная рабочая температура МИН рабочая температура Технология Частота Высота сидя (максимум) Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет / корпус Длина Высота Ширина Операционное напряжение питания Количество терминаций Время выполнения завода Достичь SVHC Количество булавок PBFREE CODE Код ECCN Контакт Достичь кода соответствия HTS -код Код JESD-609 Терминальная отделка Поверхностное крепление Напряжение - поставка Терминальная позиция Терминальная форма Пиковая температура отвоз (CEL) Напряжение снабжения Терминал Базовый номер детали Подсчет штифтов Время@Пиковой температуру (я) Подкатегория Питания Квалификационный статус Максимальная температура соединения (TJ) Код JESD-30 Пакет устройства поставщика Номер в/вывода Тип памяти Размер оперативной памяти Включить время задержки Скорость Задержка распространения Количество выходов Количество регистров Количество входов Тактовая частота Количество ворот Количество макроэлементов Количество логических элементов/ячеек Количество логических блоков (лаборатории) Программируемый логический тип Количество логических ячеек Количество CLBS Всего битов RAM Количество лабораторий/CLBS Комбинаторная задержка CLB-MAX
XC3S250E-4FTG256I XC3S250E-4FTG256I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-3e Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) CMOS ROHS3 соответствует 1997 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc3s500e4pq208i-datasheets-5586.pdf 256-lbga 17 мм 1 мм 17 мм 1,2 В. 256 10 недель 256 да Ear99 E1 Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) 1,14 В ~ 1,26 В. НИЖНИЙ МЯЧ 260 1,2 В. XC3S250E 256 30 Полевые программируемые массивы ворот 1,21,2/3.32,5 В. Не квалифицирован 172 27 КБ 4 132 4896 572 МГц 250000 5508 Полевой программируемый массив ворот 612 221184 612 0,76 нс
XC7S15-2CSGA225I XC7S15-2CSGA225I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-7 Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc7s62cpga196c-datasheets-4035.pdf 225-LFBGA, CSPBGA 225 10 недель 8542.39.00.01 ДА 0,95 В ~ 1,05 В. НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 1V НЕ УКАЗАН S-PBGA-B225 100 12800 Полевой программируемый массив ворот 368640 1000 1,05 нс
XC3S50A-4TQG144C XC3S50A-4TQG144C Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-3a Поверхностное крепление Поверхностное крепление 0 ° C ~ 85 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) SMD/SMT CMOS 250 МГц ROHS3 соответствует 2007 /files/xilinxinc-xc3s700a4fgg484c-datasheets-5684.pdf&product=xilinxinc-xc3s50a4tqg144c-7539707 144-LQFP 20 мм 1,6 мм 20 мм 1,2 В. 144 10 недель Неизвестный 144 да Ear99 Олово E3 1,14 В ~ 1,26 В. Квадратный Крыло Печата 260 1,2 В. 0,5 мм XC3S50A 144 30 1,22,5/3,3 В. Не квалифицирован 125 ° C. 108 БАРАН 6,8 КБ 4 101 50000 1584 176 55296 176 0,71 нс
XC7S25-1CSGA225I XC7S25-1CSGA225I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-7 Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) ROHS3 соответствует 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc7s251csga324c-datasheets-5458.pdf 225-LFBGA, CSPBGA 225 10 недель 8542.39.00.01 ДА 0,95 В ~ 1,05 В. НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 1V НЕ УКАЗАН S-PBGA-B225 150 202,5 ​​КБ 23360 Полевой программируемый массив ворот 1658880 1825 1,27 нс
XC7K70T-1FBG484I XC7K70T-1FBG484I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Kintex®-7 Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 4 (72 часа) CMOS 2,54 мм ROHS3 соответствует 2010 год /files/xilinxinc-xc7k325t1ffg900i-datasheets-5484.pdf&product=xilinxinc-xc7k70t1fbg484i-7539820 484-BBGA, FCBGA 23 мм 23 мм 484 10 недель 484 да 3A991.d Медь, серебро, олова not_compliant 8542.39.00.01 E1 Олово/серебро/медь (SN96.5AG3.0cu0.5) ДА 0,97 В ~ 1,03 В. НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 1V 1 мм XC7K70T 484 НЕ УКАЗАН Полевые программируемые массивы ворот 11.83.3V Не квалифицирован 285 607,5 КБ -1 285 82000 1098 МГц 65600 Полевой программируемый массив ворот 4976640 5125 0,74 нс
XC7S15-2FTGB196C XC7S15-2FTGB196C Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-7 Поверхностное крепление 0 ° C ~ 85 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) 1,55 мм ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc7s62cpga196c-datasheets-4035.pdf 196-LBGA, CSPBGA 15 мм 15 мм 196 10 недель 8542.39.00.01 E3 Матовая олова (SN) ДА 0,95 В ~ 1,05 В. НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 1V 1 мм НЕ УКАЗАН S-PBGA-B196 100 12800 Полевой программируемый массив ворот 368640 1000 1,05 нс
XC7A15T-2CPG236C XC7A15T-2CPG236C Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Artix-7 Поверхностное крепление Поверхностное крепление 0 ° C ~ 85 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) 1,38 мм ROHS3 соответствует 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc7s251csga324c-datasheets-5458.pdf 238-LFBGA, CSPBGA 10 мм 10 мм 236 10 недель 236 Ear99 Медь, серебро, олова E1 Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) 0,95 В ~ 1,05 В. НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 1V 0,5 мм НЕ УКАЗАН 106 112,5 КБ 2 850 пс 20800 16640 Полевой программируемый массив ворот 921600 1300 1,05 нс
XC3S400A-5FG320C XC3S400A-5FG320C Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-3a Поверхностное крепление Поверхностное крепление 0 ° C ~ 85 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) CMOS 2 мм Не совместимый с ROHS 1999 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc3s700a4fgg484c-datasheets-5684.pdf 320-BGA 19 мм 19 мм 1,2 В. 320 10 недель 320 нет 3A991.d not_compliant E0 Олово/свинец (SN63PB37) 1,14 В ~ 1,26 В. НИЖНИЙ МЯЧ 225 1,2 В. 1 мм XC3S400A 320 30 Полевые программируемые массивы ворот Не квалифицирован 251 45 КБ 5 192 770 МГц 400000 8064 Полевой программируемый массив ворот 896 368640 896 0,62 нс
XC2S150-5FGG256I XC2S150-5FGG256I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-II Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) 2 мм ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc2s155tq144c-datasheets-8899.pdf 256-BGA 17 мм 17 мм 2,5 В. 256 10 недель 256 да Ear99 E1 ДА 2,375 В ~ 2,625 В. НИЖНИЙ МЯЧ 260 2,5 В. 1 мм 256 30 Полевые программируемые массивы ворот Не квалифицирован 176 6 КБ 5 260 263 МГц 150000 3888 Полевой программируемый массив ворот 864 49152 864 0,7 нс
XC3S400AN-4FGG400I XC3S400AN-4FGG400I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-3an Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) SMD/SMT CMOS 667 МГц ROHS3 соответствует 1999 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc3s400an5ftg256c-datasheets-7266.pdf 400-BGA 21 мм 21 мм 1,2 В. 400 10 недель Неизвестный 400 да 3A991.d E1 1,14 В ~ 1,26 В. НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В. 1 мм XC3S400AN 400 30 Полевые программируемые массивы ворот 1.21.2/3.33.3V Не квалифицирован 311 45 КБ 4 248 400000 8064 Полевой программируемый массив ворот 896 368640 896 0,71 нс
XC7A25T-2CSG325C XC7A25T-2CSG325C Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Artix-7 Поверхностное крепление 0 ° C ~ 85 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) 1,5 мм ROHS3 соответствует 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc7a15t2fgg484c-datasheets-5466.pdf 324-LFBGA, CSPBGA 15 мм 15 мм 325 10 недель 8542.39.00.01 ДА 0,95 В ~ 1,05 В. НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 1V 0,8 мм НЕ УКАЗАН S-PBGA-B325 150 23360 Полевой программируемый массив ворот 1658880 1825 1,05 нс
XA3S400A-4FTG256I XA3S400A-4FTG256I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Automotive, AEC-Q100, Spartan®-3A XA Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) 100 ° C. -40 ° C. ROHS3 соответствует 1999 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xa3s200a4ftg256i-datasheets-2815.pdf 256-lbga 1,2 В. 15 недель 256 1,14 В ~ 1,26 В. XA3S400A 256-ftbga (17x17) 195 45 КБ 4 400000 8064 896 368640 896
XA7A35T-1CPG236Q XA7A35T-1CPG236Q Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Automotive, AEC-Q100, Artix-7 xa Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C TJ Масса 3 (168 часов) CMOS 1,38 мм Не совместимый с ROHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xa7a25t2csg325i-datasheets-2764.pdf 238-LFBGA, CSPBGA 10 мм 10 мм 236 10 недель Ear99 8542.39.00.01 E1 Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) ДА 0,95 В ~ 1,05 В. НИЖНИЙ МЯЧ 260 1V 0,5 мм 30 Полевые программируемые массивы ворот 1V Не квалифицирован S-PBGA-B236 106 106 106 1098 МГц 33280 Полевой программируемый массив ворот 1843200 2600 1,27 нс
XC7A25T-L2CSG325E XC7A25T-L2CSG325E Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Artix-7 Поверхностное крепление 0 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) 1,5 мм ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc7a15t2fgg484c-datasheets-5466.pdf 324-LFBGA, CSPBGA 15 мм 15 мм 325 10 недель 8542.39.00.01 ДА 0,87 В ~ 0,93 В. НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 0,9 В. 0,8 мм НЕ УКАЗАН S-PBGA-B325 150 23360 Полевой программируемый массив ворот 1658880 1825 1,51 нс
XC7S6-L1FTGB196I XC7S6-L1FTGB196I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-7 Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ 3 (168 часов) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc7s251csga324c-datasheets-5458.pdf 196-LBGA, CSPBGA 10 недель 8542.39.00.01 E3 Матовая олова (SN) 0,92 В ~ 0,98 В. 100 6000 184320 469
XC2S30-5TQG144I XC2S30-5TQG144I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-II Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) 1,6 мм ROHS3 соответствует 2000 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc2s155tq144c-datasheets-8899.pdf 144-LQFP 20 мм 20 мм 2,5 В. 144 10 недель 144 да Ear99 E3 Матовая олова (SN) 2,375 В ~ 2,625 В. Квадратный Крыло Печата 260 2,5 В. XC2S30 144 30 Полевые программируемые массивы ворот Не квалифицирован 92 3KB 5 92 263 МГц 30000 972 Полевой программируемый массив ворот 972 216 24576 216 0,7 нс
XC6SLX4-L1TQG144I XC6SLX4-L1TQG144I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-6 LX Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) CMOS 1,6 мм ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc6slx452csg484c-datasheets-5636.pdf 144-LQFP 20 мм 20 мм 1V 144 10 недель 144 да Ear99 8542.39.00.01 E3 Матовая олова 1,14 В ~ 1,26 В. Квадратный Крыло Печата 260 1V 0,5 мм XC6SLX4 144 30 Полевые программируемые массивы ворот 12,5/3,3 В. Не квалифицирован 102 27 КБ 100 4800 3840 Полевой программируемый массив ворот 300 221184 300 0,46 нс
XC6SLX9-L1CPG196C XC6SLX9-L1CPG196C Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-6 LX Поверхностное крепление Поверхностное крепление 0 ° C ~ 85 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) CMOS 1,1 мм ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc6slx452csg484c-datasheets-5636.pdf 196-TFBGA, CSBGA 8 мм 8 мм 1V 196 10 недель 196 да Ear99 8542.39.00.01 E8 Олово/серебро/медь (sn98.5ag1.0cu0.5) 1,14 В ~ 1,26 В. НИЖНИЙ МЯЧ 260 1V 0,5 мм XC6SLX9 196 30 Полевые программируемые массивы ворот 12,5/3,3 В. Не квалифицирован 106 72 КБ 106 11440 9152 Полевой программируемый массив ворот 715 589824 715 0,46 нс
XA7A35T-2CSG324I XA7A35T-2CSG324I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Automotive, AEC-Q100, Artix-7 xa Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Масса 3 (168 часов) CMOS 1,5 мм Не совместимый с ROHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xa7a25t2csg325i-datasheets-2764.pdf 324-LFBGA, CSPBGA 15 мм 15 мм 1V 324 10 недель 324 3A991.d E1 Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) ДА 0,95 В ~ 1,05 В. НИЖНИЙ МЯЧ 260 1V 0,8 мм 30 Полевые программируемые массивы ворот 1V Не квалифицирован 210 225 КБ 2 110 пс 210 41600 33280 Полевой программируемый массив ворот 1843200 2600 1,05 нс
XC7A50T-2FTG256C XC7A50T-2FTG256C Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Artix-7 Поверхностное крепление Поверхностное крепление 0 ° C ~ 85 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) CMOS 1,55 мм ROHS3 соответствует 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc7a15t2fgg484c-datasheets-5466.pdf 256-lbga 17 мм 17 мм 1V 256 10 недель 256 да Ear99 E1 Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) 0,95 В ~ 1,05 В. НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 1V 1 мм 256 НЕ УКАЗАН Полевые программируемые массивы ворот 1V Не квалифицирован 170 337,5 КБ 2 850 пс 170 65200 52160 Полевой программируемый массив ворот 2764800 4075 1,05 нс
XC3S500E-4FG320I XC3S500E-4FG320I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-3e Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) CMOS 2 мм Не совместимый с ROHS 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc3s500e4pq208i-datasheets-5586.pdf 320-BGA 19 мм 19 мм 1,2 В. 320 10 недель 320 нет 3A991.d E0 Олово/свинец (SN/PB) 1,14 В ~ 1,26 В. НИЖНИЙ МЯЧ 225 1,2 В. 1 мм XC3S500E 320 30 Полевые программируемые массивы ворот 1,21,2/3.32,5 В. Не квалифицирован 232 45 КБ 4 176 9312 572 МГц 500000 10476 Полевой программируемый массив ворот 368640 1164 0,76 нс
XA3S400A-4FGG400I XA3S400A-4FGG400I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Automotive, AEC-Q100, Spartan®-3A XA Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) CMOS ROHS3 соответствует 1999 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xa3s200a4ftg256i-datasheets-2815.pdf 400-BGA 21 мм 21 мм 1,2 В. 400 10 недель 400 3A991.d E1 1,14 В ~ 1,26 В. НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В. 1 мм XA3S400A 400 30 Полевые программируемые массивы ворот 1.21.2/3.33.3V Не квалифицирован 311 45 КБ 4 248 667 МГц 400000 8064 Полевой программируемый массив ворот 896 368640 896
XC3S400-4FG456I XC3S400-4FG456I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-3 Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Масса 3 (168 часов) CMOS 2,6 мм Не совместимый с ROHS 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc3s4004ftg256c-datasheets-5507.pdf 456-BBGA 23 мм 23 мм 1,2 В. 456 10 недель нет 3A991.d E0 Олово/свинец (SN63PB37) ДА 1,14 В ~ 1,26 В. НИЖНИЙ МЯЧ 225 1,2 В. 1 мм 456 30 Полевые программируемые массивы ворот 1,21,2/3.32,5 В. Не квалифицирован 264 36 КБ 4 264 264 630 МГц 400000 8064 Полевой программируемый массив ворот 896 294912 896 0,61 нс
XA6SLX45-2FGG484I XA6SLX45-2FGG484I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Automotive, AEC-Q100, Spartan®-6 LX XA Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) 100 ° C. -40 ° C. ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc6slx452csg484c-datasheets-5636.pdf 484-BBGA 1,2 В. 10 недель 484 1,14 В ~ 1,26 В. XA6SLX45 484-FBGA (23x23) 316 261 КБ 2 54576 43661 3411 2138112 3411
XC7A50T-3FTG256E XC7A50T-3FTG256E Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Artix-7 Поверхностное крепление Поверхностное крепление 0 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) CMOS 1,55 мм ROHS3 соответствует 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc7a15t2fgg484c-datasheets-5466.pdf 256-lbga 17 мм 17 мм 1V 256 10 недель 256 да Ear99 E1 Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) 0,95 В ~ 1,05 В. НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 1V 1 мм 256 НЕ УКАЗАН Полевые программируемые массивы ворот 1V Не квалифицирован 170 337,5 КБ 3 810 пс 170 65200 1412 МГц 52160 Полевой программируемый массив ворот 2764800 4075 0,94 нс
XC3S2000-4FG456C XC3S2000-4FG456C Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-3 Поверхностное крепление 0 ° C ~ 85 ° C TJ Масса 3 (168 часов) 85 ° C. 0 ° C. Не совместимый с ROHS 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc3s4004ftg256c-datasheets-5507.pdf 456-BBGA 1,2 В. 10 недель 1,14 В ~ 1,26 В. 456-FBGA (23x23) 333 90 КБ 4 2000000 46080 737280 5120
XA7A50T-2CSG324I XA7A50T-2CSG324I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Automotive, AEC-Q100, Artix-7 xa Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Масса 3 (168 часов) CMOS 1,5 мм Не совместимый с ROHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xa7a25t2csg325i-datasheets-2764.pdf 324-LFBGA, CSPBGA 15 мм 15 мм 1V 324 10 недель 324 3A991.d E1 Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) ДА 0,95 В ~ 1,05 В. НИЖНИЙ МЯЧ 260 1V 0,8 мм 30 Полевые программируемые массивы ворот 1V Не квалифицирован 210 337,5 КБ 2 110 пс 210 65200 52160 Полевой программируемый массив ворот 2764800 4075 1,05 нс
XC6SLX45T-N3FGG484I XC6SLX45T-N3FGG484I Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Spartan®-6 Lxt Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) CMOS 2,6 мм ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc6slx452csg484c-datasheets-5636.pdf 484-BBGA 23 мм 23 мм 1,2 В. 484 10 недель 484 да 3A991.d 8542.39.00.01 E1 Олово/серебро/медь (SN96.5AG3.0cu0.5) 1,14 В ~ 1,26 В. НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В. 1 мм XC6SLX45 30 Полевые программируемые массивы ворот 1.21.2/3,32,5/3,3 В. Не квалифицирован 296 261 КБ 296 54576 806 МГц 43661 Полевой программируемый массив ворот 2138112 3411 0,26 нс
XC7A50T-3CSG324E XC7A50T-3CSG324E Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Artix-7 Поверхностное крепление Поверхностное крепление 0 ° C ~ 100 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) CMOS 1,5 мм ROHS3 соответствует 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xc7a15t2fgg484c-datasheets-5466.pdf 324-LFBGA, CSPBGA 15 мм 15 мм 324 10 недель 325 да E1 Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) 0,95 В ~ 1,05 В. НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 1V 0,8 мм 324 НЕ УКАЗАН Полевые программируемые массивы ворот 1V Не квалифицирован 210 337,5 КБ 810 пс 3 810 пс 210 65200 1412 МГц 52160 Полевой программируемый массив ворот 2764800 4075 0,94 нс
XA6SLX45T-2FGG484Q XA6SLX45T-2FGG484Q Xilinx Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Automotive, AEC-Q100, Spartan®-6 LXT XA Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C TJ Поднос 3 (168 часов) ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/xilinxinc-xa6slx452fgg484q-datasheets-1903.pdf 484-BBGA 1,2 В. 484 10 недель 484 3A991.d E1 Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) 1,14 В ~ 1,26 В. НИЖНИЙ МЯЧ 250 1 мм XA6SLX45 30 Полевые программируемые массивы ворот Не квалифицирован 296 261 КБ 2 296 54576 43661 Полевой программируемый массив ворот 2138112 3411

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.