Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Задержка распространения | Количество выходов | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFXP15E-3F256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 320 МГц | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFXP15 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 48,1 КБ | 188 | 40,5 КБ | 188 | 1932 КЛБС | 4 | 15000 | 1875 г. | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1932 год | 1932 год | 331776 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||
| LFXP10E-4FN388C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 388-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 388 | 388 | да | EAR99 | 360 МГц | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LFXP10 | 388 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 31,9 КБ | 244 | 27КБ | 244 | 1216 КЛБС | 4 | 10000 | 1250 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1216 | 1216 | 221184 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||
| LFXP20E-4F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 360 МГц | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFXP20 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 59,4 КБ | 188 | 49,5 КБ | 188 | 4 | 20000 | 2500 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 405504 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||||
| LFXP6C-4QN208I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 360 МГц | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 208-БФКФП | 1,8 В | Без свинца | 208 | 208 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 1,8 В | 0,5 мм | LFXP6 | 208 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 11,9 КБ | 142 | 9 КБ | 142 | 2 | 6000 | 750 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 720 | 720 | 73728 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||||
| LFXP6E-4Q208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 360 МГц | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 208-БФКФП | 1,2 В | Без свинца | 208 | 208 | нет | EAR99 | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP6 | 208 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 11,9 КБ | 142 | 9 КБ | 142 | 2 | 6000 | 750 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 720 | 720 | 73728 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||||
| LFEC3E-4Q208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 208 | нет | EAR99 | 378 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕК3 | 208 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 145 | 6,9 КБ | 145 | 384 КЛБС | 3100 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 56320 | 0,48 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFEC3E-4T100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 100 | нет | EAR99 | 378 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕК3 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 67 | 6,9 КБ | 67 | 384 КЛБС | 10200 | 3100 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 56320 | 0,48 нс | |||||||||||||||||||||
| LFEC6E-4F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductor-lfec6e4f256c-datasheets-4601.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | 378 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭК6 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 14,6 КБ | 195 | 11,5 КБ | 195 | 6100 | 768 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | 94208 | 0,48 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFEC6E-5T144C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 144 | нет | EAR99 | 420 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭК6 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 14,6 КБ | 97 | 11,5 КБ | 97 | 6100 | 768 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | 94208 | 0,4 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFECP20E-3F672I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 672 | нет | EAR99 | 340 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП20 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 62,9 КБ | 400 | 53КБ | 400 | 19700 | 2464 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 434176 | 0,56 нс | ||||||||||||||||||||||||
| LFECP6E-5F484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | 484 | 484 | нет | EAR99 | 420 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП6 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 14,6 КБ | 224 | 11,5 КБ | 224 | 6100 | 768 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | 94208 | 0,4 нс | ||||||||||||||||||||||||
| LFECP6E-3Q208I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 208 | нет | EAR99 | 340 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕКП6 | 208 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 14,6 КБ | 147 | 11,5 КБ | 147 | 6100 | 768 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | 94208 | 0,56 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA80E-7FCN1152C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 1152 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA80 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 710КБ | 660 | 80000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | |||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA80E-5FCN1152I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 1152 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA80 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 710КБ | 660 | 80000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | |||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA25EP1-7FFN1020C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,82 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 33 мм | 33 мм | 1,2 В | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA25 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 476 | 240 КБ | 476 | 25000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 25400 | 104 | 1966080 | 6250 | |||||||||||||||||||||||||||
| LFX1200EB-03F900C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPGA® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfx125eb04f256i-datasheets-8311.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 2,5 В | 900 | 900 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | LFX1200 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 82,5 КБ | 496 | 51,8 КБ | 496 | 320 МГц | 1250000 | 15376 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3844 | 423936 | 1,07 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA40EP1-5FCN1152I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА, ФКБГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | 1152 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA40 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 604 | 497,5 КБ | 604 | 40000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 40400 | 216 | 4075520 | 10000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFX200EB-05F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPGA® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfx125eb04f256i-datasheets-8311.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | LFX200 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 19,3 КБ | 160 | 13,9 КБ | 160 | 320 МГц | 210000 | 2704 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 676 | 113664 | 0,86 нс | |||||||||||||||||||||
| OR3T306S208I-ДБ | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КАСАТКА® 3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 203 МГц | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1993 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-or3t306s208db-datasheets-5513.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | 208 | 208 | нет | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,5 мм | ОР3Т30 | 208 | Программируемые вентильные матрицы | 171 | 3,1 КБ | 167 | 48000 | 1568 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 196 | 25600 | 1,32 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-4F256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 17 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8/3,3 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | СРАМ | 4,2 нс | 159 | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-5FC1152C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-BCBGA, FCBGA | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 1152 | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA115 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 975КБ | 660 | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 424 | 7987200 | 28750 | |||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-5FC1152I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-BCBGA, FCBGA | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 1152 | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA115 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 975КБ | 660 | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 424 | 7987200 | 28750 | |||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA25E-5FF1020I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | LFSC3GA25 | 476 | 240 КБ | 25000 | 1966080 | 6250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA25EP1-7FF1020C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,82 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 33 мм | 33 мм | 1,2 В | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA25 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 476 | 240 КБ | 476 | 25000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 25400 | 104 | 1966080 | 6250 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200HC-6TG144CR1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,49 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 2,5 В | 144 | 144 | EAR99 | 140,315 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 17,3 КБ | 107 | 108 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L01F-LQN84C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | 1,88 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мкА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 84-VFQFN, двухрядный, открытая колодка | 1,2 В | Без свинца | 84 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 1В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | 1В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б84 | 8 КБ | 67 | 8 КБ | 67 | 67 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L01F-LCB81C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 81-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 81 | 81 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | 1В | Не квалифицирован | 8 КБ | 63 | 8 КБ | 63 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L04F-LCB132C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | $7,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 26 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 132-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 132 | 132 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | 1В | Не квалифицирован | 10 КБ | 95 | 10 КБ | 95 | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 81920 | 440 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L08F-LCB132C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 54 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 132-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 132 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | ICE65 | 16 КБ | 95 | 16 КБ | 7680 | 131072 | 960 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-5FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | 256 | да | EAR99 | 600 МГц | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | СРАМ | 3,5 нс | 159 | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 |
