Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Скорость передачи данных | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Максимальное двойное напряжение питания | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Количество выходов | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество эквивалентных ворот | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFXP20C-3FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,8 В | Без свинца | 256 | 256 | да | EAR99 | 320 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,8 В | 1 мм | LFXP20 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8/2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 59,4 КБ | 188 | 49,5 КБ | 188 | 2464 КЛБС | 20000 | 2500 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 2464 | 2464 | 405504 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-8E-6M132I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,35 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 132 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP2-8 | 132 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 86 | 27,6 КБ | 86 | 435 МГц | 8000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 226304 | 1000 | 0,399 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP3C-4T100I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 360 МГц | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,8 В | Без свинца | 100 | 100 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 1,8 В | 0,5 мм | LFXP3 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 8,3 КБ | 62 | 6,8 КБ | 62 | 384 КЛБС | 2 | 3000 | 375 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 384 | 55296 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP6C-4QN208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 360 МГц | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 208-БФКФП | 1,8 В | Без свинца | 208 | 208 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 1,8 В | 0,5 мм | LFXP6 | 208 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 11,9 КБ | 142 | 9 КБ | 142 | 2 | 6000 | 750 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 720 | 720 | 73728 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC1E-3QN208I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | Без свинца | 208 | 208 | да | EAR99 | 340 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭК1 | 208 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 3КБ | 112 | 2,3 КБ | 112 | 192 КЛБС | 1500 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 192 | 18432 | 0,56 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC33E-3F672I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 672-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 672 | нет | EAR99 | 340 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЕК33 | 672 | 78,6 КБ | 496 | 53КБ | 32800 | 4096 | 434176 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC3E-5T100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 420 МГц | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 100 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕК3 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 67 | 6,9 КБ | 67 | 384 КЛБС | 10200 | 3100 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 56320 | 0,4 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFECP10E-3F484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | нет | EAR99 | 340 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЕКП10 | 484 | 39,6 КБ | 288 | 34,5 КБ | 10200 | 1280 | 282624 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP10E-5Q208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 208 | нет | EAR99 | 420 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕКП10 | 208 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 39,6 КБ | 147 | 34,5 КБ | 147 | 10200 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 282624 | 0,4 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP33E-3F484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | 484 | нет | EAR99 | 340 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЕКП33 | 484 | 78,6 КБ | 360 | 53КБ | 32800 | 4096 | 434176 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-5FCN1152C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 1152 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA115 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 975КБ | 660 | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 424 | 7987200 | 28750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA40E-6FFN1020C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,82 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 33 мм | 33 мм | 1,2 В | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA40 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 562 | 497,5 КБ | 562 | 40000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 40400 | 216 | 4075520 | 10000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA115EP1-5FCN1152C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 1152 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA115 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 975КБ | 660 | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 424 | 7987200 | 28750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA40EP1-5FFN1020I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,82 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 33 мм | 33 мм | 1,2 В | 1020 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA40 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 562 | 497,5 КБ | 562 | 40000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 40400 | 216 | 4075520 | 10000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA40EP1-6FCN1152I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА, ФКБГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | 1152 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA40 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 604 | 497,5 КБ | 604 | 40000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 40400 | 216 | 4075520 | 10000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFX1200EC-04FE680C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPGA® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,7 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfx125eb04f256i-datasheets-8311.pdf | 680-ЛБГА | 40 мм | 40 мм | 1,8 В | 680 | 680 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,65 В~1,95 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LFX1200 | 680 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 82,5 КБ | 496 | 51,8 КБ | 496 | 320 МГц | 1250000 | 15376 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3844 | 423936 | 0,93 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LX256EV-35F484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGDX2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 3,3 В | Без свинца | 484 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 3В~3,6В | LX256 | 484 | 38 Гбит/с | 256 | 3,6 В | Тройной | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОР2Т26А6С208-ДБ | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КАСАТКА® 2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 294,12 МГц | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1992 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-or2t15a6ba256db-datasheets-5534.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | 208 | 208 | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,5 мм | ОР2Т26А | 208 | Программируемые вентильные матрицы | 171 | 4,5 КБ | 163 | 576 КЛБС, 27600 ВОРОТ | 63600 | 2304 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 27600 | 576 | 36864 | 1,4 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОРТ8850L-2BM680C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КАСАТКА® 4 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 2,51 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ort8850l1bm680c-datasheets-5583.pdf | 680-ББГА | 35 мм | 35 мм | 680 | 680 | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,425 В~3,6 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,5 В | 1 мм | ОРТ8850 | 680 | 278 | 9,3 КБ | 106,25 МГц | 201000 ВОРОТ | 397000 | 4992 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 201000 | 75776 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-5F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | нет | EAR99 | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | 3,5 нс | 159 | 159 | 388 МГц | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA25E-5FF1020C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,82 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 33 мм | 33 мм | 1,2 В | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA25 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 476 | 240 КБ | 476 | 25000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 25400 | 104 | 1966080 | 6250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA80E-6FC1704I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,3 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-BCBGA, FCBGA | 42,5 мм | 42,5 мм | 1,2 В | Без свинца | 1704 г. | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA80 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 904 | 710КБ | 904 | 80000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA25EP1-5FF1020C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,82 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 33 мм | 33 мм | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA25 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 476 | 240 КБ | 476 | 25000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 25400 | 104 | 1966080 | 6250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA80EP1-5FC1152I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-BCBGA, FCBGA | 35 мм | 35 мм | 1152 | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA80 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 710КБ | 660 | 80000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 58 мкА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 1,2 В | 132 | 132 | EAR99 | 141,645 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 132 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 17,3 КБ | 104 | ВСПЫШКА | 8КБ | 105 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200HC-5MG132IR1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,49 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 2,5 В | 132 | 132 | EAR99 | 141,645 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 132 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 17,3 КБ | 104 | 105 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L01F-TCB132C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | $92,92 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 132-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | 132 | 132 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8КБ | 93 | 8КБ | 93 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L01F-LVQ100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мкА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 100-TQFP | 1,2 В | 100 | 100 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | 1В | Не квалифицирован | 8КБ | 72 | 8КБ | 72 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-3F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | 256 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 500 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 17 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | СРАМ | 4,9 нс | 159 | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||
| LFE3-70E-6FN1156C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe370e6fn1156i-datasheets-1461.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | 1156 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 570,6кБ | 490 | 552,5 КБ | 490 | 375 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 |
