Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ICE5LP1K-SWG36ITR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 Ультра™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 36-XFBGA, WLCSP | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ICE5LP1K | 26 | 8 КБ | 1100 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 138 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40UP3K-UWG30ITR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 УльтраПлюс™ | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40up3kuwg30itr50-datasheets-4677.pdf | 30-УФБГА, ВЛЦП | 2,537 мм | 2,114 мм | 30 | 8 недель | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,4 мм | Р-ПБГА-Б30 | 21 | 2800 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 350 | 1130496 | 350 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 49-УФБГА, ВЛЦП | 3,185 мм | 3,106 мм | 49 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б49 | 38 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640HC-5SG48C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | 260 | НЕ УКАЗАН | 40 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 18432 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP1K-CM36TR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 36-ВФБГА | 2,5 мм | 2,5 мм | 36 | 8 недель | 36 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40LP1K | НЕ УКАЗАН | 25 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE5LP2K-SWG36ITR50 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 Ультра™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 36-XFBGA, WLCSP | 1,26 В | 8 недель | 229,999681мг | 36 | EAR99 | 25 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ICE5LP2K | 80 КБ | 26 | 10 КБ | 2048 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 81920 | 256 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE5LP4K-SWG36ITR50 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 Ультра™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 0,491 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 36-XFBGA, WLCSP | 2,078 мм | 2,078 мм | 1,26 В | 36 | 8 недель | 229,999681мг | 36 | EAR99 | 25 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,35 мм | ICE5LP4K | 80 КБ | 26 | 10 КБ | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 440 | 81920 | 440 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000UHE-5FG484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 25,5 КБ | 278 | 279 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000UHC-5FG484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 2,5 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 1 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 25,5 КБ | 278 | 279 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000UHE-6FG484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 25,5 КБ | 278 | 279 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-85F-8MG285C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,3 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 10 мм | 10 мм | 285 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,045 В~1,155 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,1 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б285 | 118 | 10500 КЛБС | 84000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 10500 | 3833856 | 21000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-85F-8BG381C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 381-ФБГА | Без свинца | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 205 | 468КБ | 84000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3833856 | 21000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-1300E-5UWG36ITR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 0,576 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 36-УФБГА, ВЛЦП | 2,541 мм | 2,487 мм | Без свинца | 36 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б36 | 28 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-25F-6BG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 256-ЛФБГА | 8 недель | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,045 В~1,155 В | 197 | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 6000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-3TN100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 23 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf&product=latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100c-7539967 | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | Нет СВХК | 100 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 8542.39.00.01 | 23 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO2280 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 73 | СРАМ | 5,1 нс | 5,1 нс | 73 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | ||||||||||||||||||||||||
| LFE3-17EA-7MG328CAHQ | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfc2pevn-datasheets-7997.pdf | 328-ЛФБГА, ЦСБГА | 1,14 В~1,26 В | 328-ЦСБГА (10х10) | 116 | 87,5 КБ | 17000 | 2125 | 716800 | 2125 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM-85F-7BG756C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 756-ФБГА | Без свинца | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 365 | 468КБ | 84000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3833856 | 21000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-35EA-7LFN484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 53,7 мА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-35 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 174,4 КБ | 295 | 165,9 КБ | 295 | 420 МГц | 33000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1358848 | 4125 | 0,335 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LAXP2-17E-5FTN256E | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-laxp25e5ftn256e-datasheets-7358.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | LAXP2 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 38,9 КБ | 201 | 34,5 КБ | 201 | 435 МГц | 17000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 282624 | 2125 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-9400E-5BG400C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 400-LFBGA | 8 недель | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 335 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-9400E-6BG484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 484-ЛФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 384 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-9400C-5BG400C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 400-LFBGA | 17 мм | 17 мм | 400 | 8 недель | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | ДА | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б400 | 335 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3D-9400ZC-3SG72C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаXO3D | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3d9400hc5bg400c-datasheets-8960.pdf | 72-КФН | 8 недель | 2,375 В~3,465 В | 58 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000HE-5BG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 189 мкА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | 323 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,8 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 68,8 КБ | 206 | 207 | 207 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280E-5BN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 20 мА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛФБГА, КСПБГА | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 20 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,8 мм | LCMXO2280 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 211 | СРАМ | 3,6 нс | 211 | 211 | 420 МГц | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | |||||||||||||||||||||||||
| LFE2M20SE-6FN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 357 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М20 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 157,3 КБ | 140 | 152,1 КБ | 140 | 19000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1246208 | 2375 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-70EA-9FN484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 295 | 552,5 КБ | 295 | 500 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 | 0,252 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-95EA-9FN1156C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 1156 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-95 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 490 | 552,5 КБ | 490 | 500 МГц | 92000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 11500 | 0,252 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-95EA-8LFN1156C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | Без свинца | 8 недель | 1156 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-95 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | 490 | 552,5 КБ | 490 | 500 МГц | 92000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 11500 | 0,281 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-70EA-6LFN1156C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | Без свинца | 8 недель | 1156 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | 490 | 552,5 КБ | 490 | 375 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 | 0,379 нс |
