Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Количество битов | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Периферийные устройства | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Ширина встроенной программы ПЗУ | Семейство процессоров | Количество вариантов SPI | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ПЗУ (слова) | Количество вариантов UART | Режим снижения энергопотребления | Формат | Интегрированный кэш | Количество внешних прерываний | Количество последовательных входов/выходов | Количество таймеров | Количество аналого-цифровых преобразователей | ОЗУ (байты) | Размер оперативной памяти для чипа данных | Количество вариантов DMA | Количество каналов I2C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АДФ7023BCPZ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 431–464 МГц 862–928 МГц | 22,6 мА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adf7023bcpz-datasheets-2639.pdf | 32-WFQFN Открытая колодка, CSP | 5 мм | 750 мкм | 5,1 мм | 3,6 В | Содержит свинец | 5 мм | 32 | 8 недель | 32 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | 5А992.С | Олово | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | 2,2 В~3,6 В | КВАД | 225 | 3В | АДФ7023 | 32 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2/3,3 В | -116 дБм | 300 кбит/с | 12,8 мА | 4 КБ ПЗУ 2,5 КБ ОЗУ | 8,7 мА~32,1 мА | 13,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 2ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф256ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР21Е18А-МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1609.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 12 недель | 32 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Е | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ SRAM | 7,2 мА~13,8 мА | 16 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 16 | 262144 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 14 | 4 | 6 | 8 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф64ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф128ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2015 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф32ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1,85 В~3,8 В | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC430F5135IRGZT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 300–348 МГц 389–464 МГц 779–928 МГц | Соответствует ROHS3 | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | Без свинца | 7 мм | 48 | 6 недель | 139,989945мг | 48 | I2C, SPI, УАРТ | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 900 мкм | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 2,2 В | 0,5 мм | СС430F5135 | 48 | -117 дБм | 500 кбод | 15 мА~18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 2 КБ | 12 | 15 мА~36 мА | 30 | ВСПЫШКА | МСП430 | 2 КБ | 16б | 13 дБм | Да | 2 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, ИК-порт, JTAG, SPI, UART | 2ФСК, 2ГФСК, АСК, МСК, ООК | 1 | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC13213R2 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nxpusainc-mc13213-datasheets-2313.pdf | 71-ВФЛГА Открытая площадка | 9 мм | 9 мм | 71 | 10 недель | 3А991.А.2 | 8542.31.00.01 | ДА | 2В~3,4В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 250 | 2,7 В | 0,5 мм | 30 | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б71 | -92 дБм | 250 кбит/с | 37 мА | 60 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 30 мА | 3 дБм | 802.15.4 | I2C, СПИ | ДССС, О-QPSK | Зигби® | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1Б732Ф256ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p732f256gm32c0-datasheets-2562.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | Неизвестный | 32 | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА~9,8 мА | 768 КБ флэш-памяти, 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 32 КБ | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, УАРТ | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС2420РГЗТ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 6 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | 2,1 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | СС2420 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 1,81,8/3,3 В | -95 дБм | 250 кбит/с | 18,8 мА | 8,5 мА~17,4 мА | 0 дБм | 802.15.4 | СПИ | ДССС, О-QPSK | Зигби® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4721-B20-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К | Поднос | 3 (168 часов) | 76 МГц~108 МГц | 0,6 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si4721b20gm-datasheets-2364.pdf | 20-UFQFN Открытая площадка | 20 | 8 недель | 16,499422мг | 20 | 2-проводной, СПИ | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,7 В~5,5 В | КВАД | 3,3 В | 0,5 мм | 20 | 16,8 мА~19,8 мА | 18,3 мА~18,8 мА | УКВ | И2С, СПИ | FM-радио | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1083-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 142 МГц~1,05 ГГц | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,6 В | 36 | 8 недель | 92,589543мг | 36 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2,4 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 8 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 18 мА~29 мА | 1 | 11 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | НЕТ | 13 дБм | Да | 4 | 8 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | 768 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф256ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф128ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2630F128РГЗТ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | SimpleLink™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1350f128rgzr-datasheets-7708.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 6 недель | Нет СВХК | 48 | I2C, SPI, УАРТ | 1 Мб | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 900 мкм | Золото | е4 | 1,8 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | СС2630 | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 250 кбит/с | 5,9 мА~6,1 мА | 128 КБ флэш-памяти 28 КБ | 6,1 мА~9,1 мА | 31 | ДМА, I2C | 20 КБ | 16 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, JTAG, SPI, UART | ДССС, О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20736S | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | WICED | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20736s-datasheets-2212.pdf | Модуль | 13 недель | да | 5А992.С | 8542.31.00.01 | 1,4 В~3,6 В | 60 КБ ОЗУ | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.1 | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JN5164/001,515 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nxpusainc-jn5168001515-datasheets-1127.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 6 мм | 40 | 13 недель | ДА | 2В~3,6В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | 40 | Микроконтроллеры | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | S-PQCC-N40 | -96 дБм | 1 Мбит/с | 17 мА | 160 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 32 КБ ОЗУ | 15,3 мА | 22 | 32 МГц | 32 | ДА | НЕТ | ДА | 2,5 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | О-QPSK | ЗигбиПРО® | 20 | 163840 | 32768 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф32ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В131Ф256ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | Неизвестный | 48 | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -121 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 31 | 32 КБ | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | Флекс Геккон | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 283–350 МГц 425–525 МГц 850–960 МГц | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,6 В | 36 | 8 недель | 92,589543мг | 36 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2,4 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -116 дБм | 500 кбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 18 мА~29 мА | 1 | 11 | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | НЕТ | НЕТ | 13 дБм | Да | 4 | 8 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SESUB-PAN-D14580 | Корпорация ТДК | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -20°К~70°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/tdkcorporation-sesubpand14580-datasheets-2000.pdf | Модуль 36-СМД | 16 недель | I2C, SPI, УАРТ | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 2 месяца назад) | 8542.39.00.01 | 2,35 В~3,3 В | -94 дБм | 5,4 мА | 32 КБ ОТР 84 КБ ПЗУ 50 КБ SRAM | 5мА | 0 дБм | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.1 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC57H687C-GITM-E4 | Квалкомм | $13,84 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | BlueCore® | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 120-ЛФБГА | 120 | 1,8 В~3,6 В | -90 дБм | 8 МБ флэш-памяти | 5 дБм | Bluetooth | Bluetooth v2.1 +EDR, класс 2 и 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф128Р60Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9,1 мм | 900 мкм | 9,1 мм | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | да | 1,98 В~3,8 В | 260 | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 1 | 41 | ВСПЫШКА | РУКА | 32 КБ | 32б | 13 дБм | 4 | 2 | 802.15.4 | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20706UA2KFFB4G | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 49-ТФБГА | 4,5 мм | 4 мм | 49 | 15 недель | 1 | ДА | 3,3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | Р-ПБГА-Б49 | -96,5 дБм | 2 Мбит/с | 12,5 мА | 848 КБ ПЗУ 352 КБ ОЗУ | 26,5 мА | 12 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | 4ДКФСК, 8ДПСК, ГФСК | Bluetooth v4.2 | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1015-C-GM2 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1012cgm2-datasheets-1993.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 7 мм | 620 кГц | 42 | 42 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 1,9 В | 0,5 мм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 8 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 17 мА~30 мА | 15 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | ДА | 13 дБм | Да | 4 | 15 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 142 МГц~1,05 ГГц | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,6 В | 36 | 8 недель | 92,589543мг | 36 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,4 В | 0,5 мм | 40 | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 18 мА~29 мА | 1 | 11 | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | НЕТ | 13 дБм | Да | 4 | 8 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | 32768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA128RFR2-ЗУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-atmega256rfr2zu-datasheets-1023.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 850 мкм | 9 мм | 64 | 8 недель | 64 | СПИ, ЮСАРТ | да | Олово | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АТМЕГА128РФР2 | Микроконтроллеры | 2/3,3 В | Не квалифицирован | -100 дБм | 2 Мбит/с | 5 мА~12,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 16 КБ SRAM | 8 мА~14,5 мА | 8 | ВСПЫШКА | АВР | 16 КБ | 8б | 8 | 3,5 дБм | Да | 6 | 38 | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, USART | ДССС, О-QPSK | Зигби® | 35 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1Б132Ф256ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p232f256gm32c0-datasheets-1746.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 250 кбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 32 КБ | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | Зигби® | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG1P333F256GM48-C0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1b232f256gm48c0-datasheets-1511.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | Неизвестный | 48 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -94 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 34,1 мА | 31 | 32 КБ | 19,5 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth версия 4.0 | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC13213 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nxpusainc-mc13213-datasheets-2313.pdf | 71-ВФЛГА Открытая площадка | 9 мм | 9 мм | 71 | 10 недель | 3А991.А.2 | 8542.31.00.01 | ДА | 2В~3,4В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 250 | 2,7 В | 0,5 мм | 30 | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б71 | -92 дБм | 250 кбит/с | 37 мА | 60 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 30 мА | 3 дБм | 802.15.4 | I2C, СПИ | ДССС, О-QPSK | Зигби® | 32 |
