| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Количество приемников | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Тип телекоммуникационных микросхем | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество входов/выходов | Размер оперативной памяти | Мощность — Выход | Количество передатчиков | Количество GPIO | Количество вариантов SPI | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЭФР32ФГ1В132Ф256ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1Б132Ф256ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 6 (время на этикетке) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | Неизвестный | 48 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 3,3 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -99 дБм | 1 Мбит/с | 8,6 мА~9,1 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 32 КБ | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф128ГМ32-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 19,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1В132Ф256ГМ48-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 3,3 В | 48-КФН (7х7) | -99 дБм | 1 Мбит/с | 8,6 мА~9,1 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1В132Ф256ГМ32-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 3,3 В | -99 дБм | 1 Мбит/с | 8,6 мА~9,1 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П132Ф256ГМ32-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 32-КФН (5х5) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф32ГМ48-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П232Ф256ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | Неизвестный | 48 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 3,3 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -99 дБм | 1 Мбит/с | 8,6 мА~9,1 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 32 КБ | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ1Б232Ф256ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 6 (время на этикетке) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1v132f128gm32b0r-datasheets-2479.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 10,5 дБм | Bluetooth | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0 | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1Б132Ф256ГМ32-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | Неизвестный | 32 | 1 | ДА | 3,3 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -99 дБм | 1 Мбит/с | 8,6 мА~9,1 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 32 КБ | 19,5 дБм | 16 | 2 | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф256ГМ32-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1В132Ф256ГМ32-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | Неизвестный | 32 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 3,3 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -99 дБм | 1 Мбит/с | 8,6 мА~9,1 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 16 | 32 КБ | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф128ГМ32-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 19,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ1Б232Ф128ГМ32-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1v132f128gm32b0r-datasheets-2479.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 10,5 дБм | Bluetooth | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф64ГМ48-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 19,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П132Ф256ГМ48-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 48-КФН (7х7) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1Б232Ф256ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 85°С | -40°С | S-XQCC-N48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф128ГМ48-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG1V132F128GM48-B0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1v132f128gm32b0r-datasheets-2479.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | I2C, УАРТ, УАРТ | 1,85 В~3,8 В | 48-КФН (7х7) | -99,2 дБм | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 0 дБм | 31 | Bluetooth | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0 | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ1Б232Ф256ГМ32-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/siliconlabs-efr32bg1v132f128gm32b0r-datasheets-2479.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 10,5 дБм | Bluetooth | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П232Ф256ГМ32-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 3,3 В | 32-КФН (5х5) | -99 дБм | 1 Мбит/с | 8,6 мА~9,1 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П132Ф256ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 85°С | -40°С | S-XQCC-N48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П232Ф256ГМ48-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 3,3 В | 48-КФН (7х7) | -99 дБм | 1 Мбит/с | 8,6 мА~9,1 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1Б232Ф256ГМ48-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 48-КФН (7х7) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TH71221ELQ-BAA-000-SP | Мелексис Технологии Н.В. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 300–930 МГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/melexistechnologiesnv-th71221elqbaa000sp-datasheets-2654.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | Без свинца | 2 недели | СПИ | 2,2 В~5,5 В | 32-КФН (5х5) | -107 дБм | -107 дБм | 115 Кбит/с | 6,1 мА~10,8 мА | 13,2 мА~26,9 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ1Б132Ф256ГМ32-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1v132f128gm32b0r-datasheets-2479.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 3 дБм | Bluetooth | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF49XAT-I/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 433 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-mrf49xatist-datasheets-2398.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 3,3 В | Без свинца | 4,4 мм | Нет СВХК | 16 | 1 | да | EAR99 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,2 В~3,8 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | MRF49XA | 16 | 40 | Не квалифицирован | -112 дБм | 256 кбит/с | 11 мА~13 мА | 15 мА~24 мА | 7 дБм | 2 | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФХСС, ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG1B132F128GM48-B0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1v132f128gm32b0r-datasheets-2479.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | I2C, УАРТ, УАРТ | 1,85 В~3,8 В | 48-КФН (7х7) | -99,2 дБм | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 3 дБм | 31 | Bluetooth | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0 | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ1В132Ф256ГМ32-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1v132f128gm32b0r-datasheets-2479.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 0 дБм | Bluetooth | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG1B232F256GM48-B0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1v132f128gm32b0r-datasheets-2479.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | I2C, УАРТ, УАРТ | 1,85 В~3,8 В | 48-КФН (7х7) | -99,2 дБм | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 10,5 дБм | 31 | Bluetooth | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0 | 31 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.