Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Цвет | Без свинца | Материал | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Максимальный выходной ток | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Максимальный обратный ток утечки | Расстояние внедрения | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Пиковая длина волны | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GP1S196HCZ0F | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 3,1 мм | 20 мА | 2,7 мм | 2 мм | Без свинца | 16 недель | Нет СВХК | 4 | Медь, Олово | Нет | 1 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 100мВт | 50 мкс, 50 мкс | 1 | 35В | 30 мА | 150 мкс | 150 мкс | 0,043 (1,1 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 930 нм | 1,1 мм | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 9540 | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh9540-datasheets-8636.pdf | Модуль 4-СМД | Пересечение объекта | 13 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 60 мА | 70В | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S093HCZ0F | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 2,6 мм | 50 мА | 2,9 мм | 4,5 мм | Без свинца | 16 недель | Неизвестный | 4 | Медь, Олово | Нет | 1 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 100мВт | 50 мкс, 50 мкс | 1 | 35В | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 150 мкс | 150 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 6В | 2 мм | 0,1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ830Л51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 23,75 мм | 10,54 мм | 12,95 мм | 12 недель | 4 | 1 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ420АЗ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПБ420 | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb420bz-datasheets-8277.pdf | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 20 мА | 12 недель | 4 | 100мВт | 1,7 В | 1,7 В | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 10 мА | 20 мА | 880 нм | 30 В | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ375Л11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | НПН | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ370Т51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ852А2 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb853a3-datasheets-8387.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 40 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 40 мА | 890 нм | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1061 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omron-eesx1061-datasheets-6471.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 4 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 1 | 100мВт | 1мс, 1мс | 50 мА | 1,2 В | 10 мкс | 10 мкс | 0,142 (3,6 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,6 мм | 1,3 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380П55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ370Л55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ365Н51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 12 недель | 4 | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ829ДЗ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf | 30 В | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 24,64 мм | Черный | Без свинца | Пластик | 8 недель | 4 | НПН | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 100 мкА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ820С5 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 15,24 мм | 20 мА | 8,89 мм | 6,35 мм | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,080 (2,03 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ866П55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 18,47 мм | 10,8 мм | 6,35 мм | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ820С10 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 30 В | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,080 (2,03 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 50 мА | 890 нм | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ885Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,374 (9,5 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 30 В | 50 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ802W55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 8 недель | Нет СВХК | 4 | 1 | 100мВт | 1 | 30 мА | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 20 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ822С | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb822sd-datasheets-8211.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | Неизвестный | 8 | Нет | 100мВт | 2 | Инфракрасный (ИК) | 30 мА | 50 мА | 1,7 В | 0,090 (2,29 мм) | 2 НПН | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ828Д | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ830W51Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 23,75 мм | 20 мА | 10,54 мм | 6,35 мм | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 880 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ860Н55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 880 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ890П11З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ841W55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 23,75 мм | 20 мА | 10,54 мм | 23,75 мм | Без свинца | Пластик | 10 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 880 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1088 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1088-datasheets-8456.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 7 недель | 4 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 0,05 А | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ850А | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Прикрепить | Оснастка | -20°К~75°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | 75°С | -20°С | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb850a-datasheets-8466.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Оптический флаг | 21,83 мм | 20 мА | 11,43 мм | 16,5 мм | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 4,5 мм | Фототранзистор | 5В | 24В | 24В | 24В | 20 мА | 50 мА | 5В | 940 нм | 24В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ891Т55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, винт, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ832W51Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 10 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 880 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ866Т51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 10 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 30 мА | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1096-W11 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~80°К | Поднос | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1096w11-datasheets-8492.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 7 недель | 4 мкс | 50 мА | 1,2 В | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 30 В | 20 мА | 50 мА |
