Оптические датчики транзистора - Электронные компоненты Поиск - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Опуликовано Техниль На Это PakeT / KORPUES Метод Делина Вес Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН MATERIAL Верна - DOSTIчH SVHC Колист PBFREE CODE Доленитейн Ая Конец ЖILIGHNый МАТЕРИАЛ Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН МАКСИМАЛЕВАЯ Колист. Каналов R. Вернее Колист Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй МАКСИМАЛНГАН МАКСИМАЛНА Сонсирн Кран В конце концов Вес Vpreged VpreDnoE Втипа МАКСИМАЛНГАН ТИП Оптохлектроннтип -вустроства Ведьтока-макс В. Верна Я не могу Чywytelnene rassto -jainaonie Raзmerrыrыw Vodnaver -koanfiguraцian Опрена МАКСИМАЛИН Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo) МАККСКОЛЕРНА Current - DC Forward (if) (max) Охрация. Делина Вонн Пейк Пиковаядлина ТЕМНЕСА Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Шirina slota-noma Колеркшионер
OPB860N55 OPB860N55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ШASCI, чEREз -D -guru ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 12 4 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 880 nm 30 30 май
OPB890T11Z OPB890T11Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ШASCI, чEREз -D -guru ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Креплэни Чereзlч СОУДНО ПРИОН 12 4 100 м ИНФракрасн (ir) 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
RPI-222 RPI-222 ROHM Semiconductor
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 1,3 В. Креплэни Чereзlч 4,9 мм 3,3 мм 2,6 мм СОУДНО ПРИОН 12 4 в дар Далее, Секребро, олова 1 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) 80 м 10 мкс, 10 мкс 50 май 1,3 В. 0 00095а 10 мкс 10 мкс 0,079 (2 мм) 2 ММ Фототраншистор 30 30 30 май 950 nm 500NA 2 ММ 0,3 мая
OPB829AZ Opb829az TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 80 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 80 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf 30 МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 20 май СОУДНО ПРИОН 8 НЕТ SVHC 4 Не 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 50 май 1,7 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB891T51Z OPB891T51Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, пюрецкий, винт ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Припанана 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Креплэни Чereзlч 24,63 ММ 20 май 10,92 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 8 НЕТ SVHC 4 Пластик Не 100 м 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 50 май 1,3 В. 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB842W55Z OPB842W55Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 80 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 80 ° С -40 ° С В 2008 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 10 nedely 4 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 880 nm 30 30 май
EE-SV3 EE-SV3 Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Пансел, ШASCI -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Припанана 85 ° С -25 ° С ROHS COMPRINT 2002 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesv3b-datasheets-8263.pdf Модуль, Чereзlч 15,1 мм 30 май 10,2 ММ 6,2 мм СОУДНО ПРИОН 8 НЕИ 4 Не 1 100 м 4 мкс, 4 мкс 1 30 50 май 1,2 В. 30 май 4 мкс 4 мкс 0,134 (3,4 мм) Фототраншистор 4 30 30 20 май 50 май 4 940 nm 30 20 май
EE-SX1055 EE-SX1055 Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА Neprigodnnый ROHS COMPRINT 2003 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesx1055-datasheets-8368.pdf Креплэни Чereзlч 8,9 мм 5,4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 7 НЕИ 4 в дар 1 1 100 м 4 мкс, 4 мкс 20 май 20 май 50 май 1,2 В. 4 мкс 4 мкс 0,110 (2,8 мм) Фототраншистор 4 30 30 30 20 май 4 940 nm 200NA 2,8 мм 0,5 мая
EE-SX675P EE-SX675P Артоматихая и в
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА EE-SX67 ШASCI -25 ° C ~ 55 ° C TA Neprigodnnый Припанана ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/omronautomationandsafety-ee1006-datasheets-2671.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 16,7 ММ 22,2 ММ 19,5 мм 2 nede НЕИ 1 Фототраншистор Псеклэгель 0,197 (5 ММ) PNP - Dark -on/Light -on - Selectable 50 май 940 nm
OPB853A3 OPB853A3 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb853a3-datasheets-8387.pdf Креплэни Чereзlч 10 nedely 4 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 40 май 0,125 (3,18 мм) Фотодарлингтона 30 30 30 40 май 890 nm 30
EE-SH3 EE-SH3 Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА Neprigodnnый Припанана ROHS COMPRINT 2002 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesh3-datasheets-8392.pdf Креплэни Чereзlч 25,4 мм 30 май 10,2 ММ 6,2 мм СОУДНО ПРИОН 12 НЕИ 4 в дар Веса 1 1 100 м 4 мкс, 4 мкс 30 50 май 1,2 В. 30 май 4 мкс 4 мкс 0,134 (3,4 мм) Фототраншистор 4 30 30 20 май 4 940 nm 200NA 3,4 мм 0,5 мая
OPB690Z OPB690Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb68020-datasheets-8284.pdf Модуль, raзъem Оптискир 10 май 1,6 В. 10 nedely НЕТ SVHC 3 Не 200 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 50 май 1,6 В. 2,03 мм Траншистор, rerhyStor - 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB853A1 OPB853A1 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb853a3-datasheets-8387.pdf Креплэни Чereзlч СОУДНО ПРИОН 10 nedely 4 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 40 май 0,125 (3,18 мм) Фотодарлингтона 30 30 30 40 май 890 nm 30
OPB871N55 OPB871N55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ШASCI, чEREз -D -guru ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2002 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 20 май 10 nedely НЕТ SVHC 4 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 50 май 1,3 В. 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB890T55Z OPB890T55Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2008 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Креплэни Чereзlч 24,63 ММ 10,92 мм 6,35 мм 12 4 Не 100 м 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB390T51Z OPB390T51Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ПХБ, ВИНТ, Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Припанана 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Креплэни Чereзlч 20 май СОУДНО ПРИОН 8 НЕТ SVHC 4 Не 1 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 50 май 1,3 В. 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB840W51Z OPB840W51Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 80 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 80 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 23,75 мм 50 май 10,54 мм 23,75 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 8 НЕТ SVHC 4 Не 1 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 50 май 1,7 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 880 nm 30 30 май
EE-SX1081 EE-SX1081 Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА Neprigodnnый Припанана ROHS COMPRINT 2003 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesx1081-datasheets-8188.pdf Креплэни Чereзlч 13,7 мм 50 май 10 мм 5 ММ СОУДНО ПРИОН 10 nedely НЕИ 4 в дар Вес Не 1 100 м 4 мкс, 4 мкс 1 50 май 1,2 В. 4 мкс 4 мкс 0,197 (5 ММ) Фототраншистор 4 30 30 20 май 4 940 nm 200NA 5 ММ 0,5 мая
EE-SX1071 EE-SX1071 Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА Neprigodnnый Припанана ROHS COMPRINT 2003 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesx1071-datasheets-8200.pdf 30 20 май Креплэни Чereзlч 50 май 6,2 мм СОУДНО ПРИОН 9 nedely НЕТ SVHC 4 НЕИ 1 100 м 1 100 м 4 мкс, 4 мкс 20 май 10 В 30 20 май 50 май 1,2 В. 30 май 4 мкс 4 мкс 0,134 (3,4 мм) Фототраншистор 4 30 30 20 май 4 940 nm 200NA 3,4 мм 0,5 мая
OPB822SD OPB822SD TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/ttelectronicsoptektechnology-opb822sd-datasheets-8211.pdf Креплэни Чereзlч 50 май 24,13 ММ СОУДНО ПРИОН 8 НЕИ 8 100 м 2 30 20 май 1,7 0,090 (2,29 мм) 2 npn 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 935 nm 30 30 май
EE-SX1106 EE-SX1106 Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА Neprigodnnый Припанана ROHS COMPRINT 2002 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesx1106-datasheets-8218.pdf Креплэни Чereзlч 6,4 мм 50 май 5,6 мм 4,2 мм СОУДНО ПРИОН 11 nedely НЕИ 4 в дар Не 1 1 80 м 10 мкс, 10 мкс 85 ° С 30 май 30 50 май 1,3 В. 50 май 10 мкс 10 мкс 0,118 (3 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 950 nm 500NA 3 ММ 0,2 ма
LTH-301-07 Lth-301-07 Lite-on
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/liteoninc-lth30107-datasheets-8230.pdf 1,2 В. Модул, П.П., Типслота Чereзlч 12 4 Не 1 100 м 3 мкс, 4 мкс 1 60 май Фототраншистор Otkrыtый kollekцyoner 15 мкс 20 мкс 0,200 (5,08 мм) 5 ММ Траншистор 30 30 20 май 20 май 5 ММ 0,6 ма
OPB847 OPB847 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb847-datasheets-8235.pdf Креплэни Чereзlч 12 4 Не 100 м 12 мкс, 12 мкс 1 ИНФракрасн (ir) 50 май 20 мкс 20 мкс 0,100 (2,54 мм) Фототраншистор 30 30 30 50 май 890 nm 30
RPI-0352E RPI-0352E ROHM Semiconductor
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Пефер -30 ° C ~ 85 ° C. Веса 3 (168 чASOW) Rohs3 2013 МОДУЛИ, ВСЕЙСЕ Чereзlч СОУДНО ПРИОН 12 1 10 мкс Псеклэгель 0,035а 3 ММ Фототраншистор 30 30 920 мка 10 май 500NA 3 ММ
OPB821S3Z OPB821S3Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2007 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 10 nedely 4 Не 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 50 май 0,080 (203 мм) Фототраншистор 30 30 30 50 май 890 nm 30
OPB826S Opb826s TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2008 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb822sd-datasheets-8211.pdf Креплэни Чereзlч 12 8 Не 100 м 2 ИНФракрасн (ir) 30 май 40 май 1,7 0,090 (2,29 мм) 2 npn 30 30 30 30 май 40 май 890 nm 30 30 май
EE-SV3-B EE-SV3-B Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Припанана ROHS COMPRINT 2002 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesv3b-datasheets-8263.pdf Креплэни Чereзlч 30 май СОУДНО ПРИОН 8 НЕИ 4 в дар Веса 1 1 100 м 4 мкс, 4 мкс 30 50 май 1,2 В. 30 май 4 мкс 4 мкс 0,134 (3,4 мм) Фототраншистор 30 30 20 май 4 940 nm 200NA 3,4 мм 0,5 мая
OPB315WZ OPB315WZ TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 80 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 80 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb315wz-datasheets-8271.pdf Prodolжitelnыйmodooly, cdwoйnoй rayd 4-хgodow. Чereзlч 10 nedely 100 м 50 май 0,900 (22,86 ММ) Фототраншистор 30 30 30 1MA 50 май 850 nm 30 1MA
OPB420BZ OPB420BZ TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА OPB420 ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2008 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb420bz-datasheets-8277.pdf Модул, Проволоки Чereзlч 20 май 12 НЕИ 4 100 м 1,7 50 май 1,7 Фототраншистор 24 24 10 май 20 май 880 nm 24 10 май
OPB680-20 OPB680-20 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Припанана 100 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb68020-datasheets-8284.pdf Креплэни Оптискир 1,6 В. СОУДНО ПРИОН 8 НЕТ SVHC 4 Не 200 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 май 50 май 1,6 В. 2,03 мм Траншистор, rerhyStor - 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.