Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Материал | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Максимальный выходной ток | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип выходной цепи | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Расстояние внедрения | Размер зазора | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Длина волны — Пик | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ850А | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Прикрепить | Оснастка | -20°К~75°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | 75°С | -20°С | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb850a-datasheets-8466.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Оптический флаг | 21,83 мм | 20 мА | 11,43 мм | 16,5 мм | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 4,5 мм | Фототранзистор | 5В | 24В | 24В | 24В | 20 мА | 50 мА | 5В | 940 нм | 24В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ842W55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 880 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЭ-СВ3 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Панель, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesv3b-datasheets-8263.pdf | Модуль, разъем, тип слота | Пересечение объекта | 15,1 мм | 30 мА | 10,2 мм | 6,2 мм | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 1 | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 4В | 940 нм | 30 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1055 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1055-datasheets-8368.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 8,9 мм | 5,4 мм | 4 мм | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 4 | да | 1 | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 20 мА | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,110 (2,8 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 2,8 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX675P | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EE-SX67 | Крепление на шасси | -25°С~55°С ТА | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/omronautomationandsafety-ee1006-datasheets-2671.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 16,7 мм | 22,2 мм | 19,5 мм | 2 недели | неизвестный | 1 | Фототранзистор | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,197 (5 мм) | PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ853А3 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb853a3-datasheets-8387.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 40 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фотодарлингтон | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 40 мА | 890 нм | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЭ-Ш3 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesh3-datasheets-8392.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 25,4 мм | 30 мА | 10,2 мм | 6,2 мм | Без свинца | 12 недель | Неизвестный | 4 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | 1 | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ690Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси, защелкивающееся | Крепление на шасси | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb68020-datasheets-8284.pdf | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 10 мА | 1,6 В | 10 недель | Нет СВХК | 3 | Нет | 200мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,6 В | 2,03 мм | Транзистор, резистор база-эмиттер | 3В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ853А1 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb853a3-datasheets-8387.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 10 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 40 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фотодарлингтон | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 40 мА | 890 нм | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ871Н55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 10 недель | Нет СВХК | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ890Т55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, винт, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 24,63 мм | 10,92 мм | 6,35 мм | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ390Т51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ840W51Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 23,75 мм | 50 мА | 10,54 мм | 23,75 мм | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 880 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ890Т11З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-222 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 1,3 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4,9 мм | 3,3 мм | 2,6 мм | Без свинца | 12 недель | 4 | да | Медь, Серебро, Олово | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 80мВт | 10 мкс, 10 мкс | 50 мА | 1,3 В | 0,00095А | 10 мкс | 10 мкс | 0,079 (2 мм) | 2 мм | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 950 нм | 500нА | 2 мм | 0,3 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ829АЗ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf | 30 В | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ891Т51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, печатная плата, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 24,63 мм | 20 мА | 10,92 мм | 6,35 мм | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТХ-301-07 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/liteonnc-lth30107-datasheets-8230.pdf | 1,2 В | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 3 мкс, 4 мкс | 1 | 60 мА | Фототранзистор | Открытый коллектор | 15 мкс | 20 мкс | 0,200 (5,08 мм) | 5 мм | Транзистор | 5В | 30 В | 30 В | 20 мА | 20 мА | 5 мм | 0,6 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ847 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb847-datasheets-8235.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 12 мкс, 12 мкс | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 20 мкс | 20 мкс | 0,100 (2,54 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 50 мА | 890 нм | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-0352Э | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | 1 | 10 мкс | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,035А | 3 мм | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 920 мкА | 10 мА | 500нА | 3 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ821С3З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,080 (2,03 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 50 мА | 890 нм | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ826С | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb822sd-datasheets-8211.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 8 | Нет | 100мВт | 2 | Инфракрасный (ИК) | 30 мА | 40 мА | 1,7 В | 0,090 (2,29 мм) | 2 НПН | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 40 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЭ-СВ3-Б | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesv3b-datasheets-8263.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 30 мА | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | 1 | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ315WZ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb315wz-datasheets-8271.pdf | Модуль со слотами, 4-выводный, двухрядный | Пересечение объекта | 10 недель | 100мВт | 50 мА | 0,900 (22,86 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 В | 1 мА | 50 мА | 850 нм | 30 В | 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ420БЗ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПБ420 | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb420bz-datasheets-8277.pdf | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 20 мА | 12 недель | Неизвестный | 4 | 100мВт | 1,7 В | 50 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 24В | 24В | 10 мА | 20 мА | 2В | 880 нм | 24В | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ680-20 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb68020-datasheets-8284.pdf | Монтаж на печатной плате | Оптический флаг | 1,6 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 200мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | 2,03 мм | Транзистор, резистор база-эмиттер | 3В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-130 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/rohmsemiconductor-rpi130-datasheets-8290.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Без свинца | да | Медь, Серебро, Олово | 1 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 80мВт | 0,05А | 0,01 А | 10 мкс | 10 мкс | 0,047 (1,2 мм) | 1,2 мм | Транзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 850 нм | 100нА | 30 мА | 1,2 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ881Т55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, винт, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SG3 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Панель, припой, сквозное отверстие | Припой | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesg3b-datasheets-7699.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 25,4 мм | 30 мА | 11,7 мм | 6,35 мм | Без свинца | 9 недель | Неизвестный | 4 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 1 | 100мВт | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,142 (3,6 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,6 мм | 2мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SJ5-B | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesj5b-datasheets-8176.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 14 недель | Неизвестный | 4 | да | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 1 | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 850 нм | 200нА | 5 мм |
