Оптические датчики транзистора - Электронные компоненты Поиск - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Опуликовано Техниль На Это PakeT / KORPUES Метод Делина Вес Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН MATERIAL Верна - DOSTIчH SVHC Колист PBFREE CODE Доленитейн Ая Конец ЖILIGHNый МАТЕРИАЛ Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист Полаяня МАКСИМАЛЕВАЯ Колист. Каналов R. Вернее Колист МАКСИМАЛАНА ТЕМПЕРАТУРА Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй МАКСИМАЛНГАН МАКСИМАЛНА Сонсирн Кран В конце концов Вес Vpreged Верна Втипа МАКСИМАЛНГАН В. Ведьтока-макс Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Чywytelnene rassto -jainaonie Vodnaver -koanfiguraцian Опрена МАКСИМАЛИН Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo) МАККСКОЛЕРНА Current - DC Forward (if) (max) Охрация. КОГФИГИОНТА Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN Делина Вонн Пейк Пиковаядлина ТЕМНЕСА Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Шirina slota-noma Колеркшионер
EE-SJ5-B EE-SJ5-B Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2003 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesj5b-datasheets-8176.pdf Креплэни Чereзlч 14 НЕИ 4 в дар 1 100 м 4 мкс, 4 мкс 1 50 май 1,2 В. 4 мкс 4 мкс 0,197 (5 ММ) Фототраншистор 4 30 30 20 май 4 850 nm 200NA 5 ММ
EE-SX1081 EE-SX1081 Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА Neprigodnnый Припанана ROHS COMPRINT 2003 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesx1081-datasheets-8188.pdf Креплэни Чereзlч 13,7 мм 50 май 10 мм 5 ММ СОУДНО ПРИОН 10 nedely НЕИ 4 в дар Вес Не 1 100 м 4 мкс, 4 мкс 1 50 май 1,2 В. 4 мкс 4 мкс 0,197 (5 ММ) Фототраншистор 4 30 30 20 май 4 940 nm 200NA 5 ММ 0,5 мая
EE-SX1071 EE-SX1071 Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА Neprigodnnый Припанана ROHS COMPRINT 2003 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesx1071-datasheets-8200.pdf 30 20 май Креплэни Чereзlч 50 май 6,2 мм СОУДНО ПРИОН 9 nedely НЕТ SVHC 4 НЕИ 1 100 м 1 100 м 4 мкс, 4 мкс 20 май 10 В 30 20 май 50 май 1,2 В. 30 май 4 мкс 4 мкс 0,134 (3,4 мм) Фототраншистор 4 30 30 20 май 4 940 nm 200NA 3,4 мм 0,5 мая
OPB822SD OPB822SD TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/ttelectronicsoptektechnology-opb822sd-datasheets-8211.pdf Креплэни Чereзlч 50 май 24,13 ММ СОУДНО ПРИОН 8 НЕИ 8 100 м 2 30 20 май 1,7 0,090 (2,29 мм) 2 npn 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 935 nm 30 30 май
EE-SX1035 EE-SX1035 Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА Neprigodnnый Припанана ROHS COMPRINT 2002 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesx1035-datasheets-8080.pdf 30 Креплэни Чereзlч 30 май СОУДНО ПРИОН 7 НЕТ SVHC 4 в дар Вес 1 1 100 м 4 мкс, 4 мкс 10 В 30 50 май 1,2 В. 30 май 4 мкс 4 мкс 0,205 (5,2 мм) Фототраншистор 4 30 30 20 май 4 940 nm 200NA 5,2 мм 0,5 мая
OPB865T51 OPB865T51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Креплэни Чereзlч СОУДНО ПРИОН 12 НЕТ SVHC 4 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 май 50 май 1,3 В. 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB810W55Z OPB810W55Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 80 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 80 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2008 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 20 май 8 4 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 50 май 1,7 0,375 (9,53 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB365T55 OPB365T55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Креплэни Чereзlч 24,61 мм 20 май 10,8 мм 24,7 ММ СОУДНО ПРИОН 8 НЕИ 4 1 100 м 30 50 май 1,3 В. 10 мкс 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB810W51Z OPB810W51Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 80 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Vediщiй provouloca 80 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 20 май 11,1 мм 30,99 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 8 НЕТ SVHC 4 Пластик Не 100 м 1 30 май ИНФракрасн (ir) 30 20 май 1,7 0,375 (9,53 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB806 OPB806 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb806-datasheets-8119.pdf Креплэни Чereзlч 20 май 26,42 мм 1,7 СОУДНО ПРИОН 12 НЕТ SVHC 4 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 20 май 1,7 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 50 май 935 nm 935 nm 30
EE-SX952-R 1M EE-SX952-R 1M Артоматихая и в
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Усиле EE-SX95 ШASCI -25 ° C ~ 55 ° C. МАССА Neprigodnnый ROHS COMPRINT 2015 Модул, Проволоки Чereзlч 2 nede 0,197 (5 ММ) NPN - Dark -on/Light -on - Selectable 50 май 24 15 май
EE-SX1018 EE-SX1018 Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА Neprigodnnый Припанана ROHS COMPRINT 2003 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesx1018-datasheets-8134.pdf Креплэни Чereзlч 30 май СОУДНО ПРИОН 7 НЕИ 4 в дар 1 1 100 м 4 мкс, 4 мкс 20 май 30 20 май 50 май 1,2 В. 30 май 4 мкс 4 мкс 0,079 (2 мм) Фототраншистор 4 30 30 20 май 4 940 nm 200NA 2 ММ 0,5 мая
OPB840L11 OPB840L11 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2008 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf Креплэни Чereзlч 20 май 10,8 мм СОУДНО ПРИОН 10 nedely НЕИ 4 Пластик 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 50 май 1,7 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB825A OPB825A TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb825r-datasheets-8024.pdf МОДУЛИ, ВСЕЙСЕ Чereзlч 12 4 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 май 50 май 1,6 В. 0,160 (4,06 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB857Z OPB857Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 80 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 80 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/ttelectronicsoptektechnology-opb857z-datasheets-8162.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 20 май СОУДНО ПРИОН 10 nedely НЕТ SVHC 3 Не 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 50 май 1,7 0,150 (3,81 мм) Фототраншистор 30 30 30 50 май 890 nm 30
OPB840L51 OPB840L51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf Креплэни Чereзlч 23,75 мм 50 май 10,54 мм 23,75 мм СОУДНО ПРИОН 8 НЕТ SVHC 4 Npn 1 100 м 1 30 50 май 1,7 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB370N51 OPB370N51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч СОУДНО ПРИОН 10 nedely 4 100 м 50 май 1,3 В. 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
TCST1103 TCST1103 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -55 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 85 ° С -55 ° С Rohs3 /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcst1202-datasheets-7916.pdf 1,25 Prodolжitelnыйmodooly, cdwoйnoй rayd 4-хgodow. Чereзlч 11,9 мм 60 май 11,1 мм 6,3 мм СОУДНО ПРИОН 12 НЕТ SVHC 4 СЕБЕРЕ, ОЛОВА Не 250 м 1 250 м 10 мкс, 8 мкс 1 100 ° С 85 ° С 100 май 70В 4 май 60 май 1,25 10 мкс 10 -Год 8 с 8 мкс 0,122 (3,1 мм) Фототраншистор 70В 400 м 70В 4 май 60 май 20 % 950 nm 70В 4 май
OPB830W11Z OPB830W11Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 80 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 80 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 23,75 мм 50 май 10,54 мм 23,75 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 8 НЕТ SVHC 4 Не 1 100 м 1 30 50 май 1,7 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 880 nm 30 30 май
OPB840W55Z OPB840W55Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 80 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 80 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 20 май СОУДНО ПРИОН 10 nedely НЕТ SVHC 4 100 м 1 30 50 май 1,7 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 880 nm 30 30 май
OPB880T55Z OPB880T55Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч СОУДНО ПРИОН 8 4 Не 100 м 1 30 май ИНФракрасн (ir) 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
TCST1030 TCST1030 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 85 ° С -25 ° С Rohs3 /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcst1030-datasheets-7960.pdf 70В Prodolжitelnыйmodooly, cdwoйnoй rayd 4-хgodow. Чereзlч 60 май 16 4 СЕБЕРЕ, ОЛОВА Не 1 250 м 15 мкс, 10 мкс 1 70В 60 май 1,2 В. 60 май 0,122 (3,1 мм) Фототраншистор 70В 70В 100 май 60 май 950 nm 70В 100 май
OPB360T51 OPB360T51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Креплэни Чereзlч 24,61 мм 20 май 10,8 мм 6,35 мм 12 4 1 100 м 30 50 май 1,3 В. 20 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
H22A1 H22A1 Isocom Components 2004 Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru, флана -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 Вес Чereзlч СОУДНО ПРИОН 2 nede НЕИ 1 75 м 8 мкс, 50 ​​мкс 0,06а 0,118 (3 мм) Фототраншистор 60 май 30 100NA 30 3MA 1,9 мая
OPB818 OPB818 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Припанана 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb818-datasheets-7978.pdf 30 Креплэни Чereзlч 50 май 15,24 мм 1,7 СОУДНО ПРИОН 8 НЕТ SVHC 4 Не 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 20 май 1,7 0,210 (5,33 ММ) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30
OPB866T55 OPB866T55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2002 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Креплэни Чereзlч 24,61 мм 20 май 10,8 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 8 НЕТ SVHC 4 Не 100 м 1 100 м 1 30 50 май 1,3 В. 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB865N11 OPB865N11 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ШASCI, чEREз -D -guru ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2011 ГОД /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 50 май 11,1 мм СОУДНО ПРИОН 12 НЕТ SVHC 2 Пластик Не 1 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 30 май 50 май 1,3 В. 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 880 nm 30 30 май
OPB825 OPB825 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb825r-datasheets-8024.pdf МОДУЛИ, ВСЕЙСЕ Чereзlч 10,67 мм 20 май 11,43 мм 10,67 мм СОУДНО ПРИОН 10 nedely НЕТ SVHC 4 Пластик Не 100 м 100 м 1 30 50 май 1,6 В. 0,160 (4,06 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB855 OPB855 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Припанана 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb855-datasheets-8006.pdf Креплэни Чereзlч 20 май 7,11 мм СОУДНО ПРИОН 8 4 Пластик 100 м 1 ИНФракрасн (ir) 30 50 май 1,3 В. 0,205 (5,21 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 935 nm 30 30 май
EE-SX1105 EE-SX1105 Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Найдите, то есть Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА Neprigodnnый Припанана ROHS COMPRINT 2002 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesx1105-datasheets-8013.pdf Креплэни Чereзlч 50 май 2,6 мм СОУДНО ПРИОН 7 НЕИ 4 в дар 1 1 80 м 10 мкс, 10 мкс 30 50 май 1,3 В. Цyfrovoй 50 май 10 мкс 10 мкс 0,079 (2 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 800 nm 500NA 2 ММ 0,2 ма

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.