Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Материал | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Расстояние внедрения | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Длина волны | Длина волны — Пик | Пиковая длина волны | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ881Т55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, винт, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SG3 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Панель, припой, сквозное отверстие | Припой | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesg3b-datasheets-7699.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 25,4 мм | 30 мА | 11,7 мм | 6,35 мм | Без свинца | 9 недель | Неизвестный | 4 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 1 | 100мВт | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,142 (3,6 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,6 мм | 2мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SJ5-B | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesj5b-datasheets-8176.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 14 недель | Неизвестный | 4 | да | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 1 | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 850 нм | 200нА | 5 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1081 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1081-datasheets-8188.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 13,7 мм | 50 мА | 10 мм | 5 мм | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 4 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 1 | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 5 мм | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ830W11Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 23,75 мм | 50 мА | 10,54 мм | 23,75 мм | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 880 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ840W55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 4 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 880 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1035 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1035-datasheets-8080.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 30 мА | Без свинца | 7 недель | Нет СВХК | 4 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 1 | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 10 В | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,205 (5,2 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 5,2 мм | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ865Т51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 мА | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ810W55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 8 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ365Т55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 24,61 мм | 20 мА | 10,8 мм | 24,7 мм | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | 1 | 100мВт | 30 В | 50 мА | 1,3 В | 10 мкс | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ810W51Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 11,1 мм | 30,99 мм | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | Нет | 100мВт | 1 | 30 мА | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 20 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ806 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb806-datasheets-8119.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 26,42 мм | 1,7 В | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 20 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 50 мА | 2В | 935 нм | 935 нм | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX952-R 1М | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2015 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1018 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1018-datasheets-8134.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 30 мА | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 4 | да | 1 | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 20 мА | 30 В | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 2 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ840Л11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 10,8 мм | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 4 | Пластик | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ825А | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, винт, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb825r-datasheets-8024.pdf | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | 0,160 (4,06 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ857Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb857z-datasheets-8162.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 3 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,150 (3,81 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ840Л51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 23,75 мм | 50 мА | 10,54 мм | 23,75 мм | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | НПН | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ370Н51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | Без свинца | 10 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCST1103 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcst1202-datasheets-7916.pdf | 1,25 В | Модуль со слотами, 4-выводный, двухрядный | Пересечение объекта | 11,9 мм | 60 мА | 11,1 мм | 6,3 мм | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 4 | Серебро, Олово | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 10 мкс, 8 мкс | 1 | 100°С | 85°С | 100 мА | 70В | 4мА | 60 мА | 1,25 В | 10 мкс | 10 с | 8 с | 8 мкс | 0,122 (3,1 мм) | Фототранзистор | 6В | 70В | 400мВ | 70В | 4мА | 60 мА | 6В | 20 % | 950 нм | 70В | 4мА | ||||||||||||||||||||||||||
| TCST1202 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcst1202-datasheets-7916.pdf | 1,25 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 11,9 мм | 60 мА | 11,1 мм | 6,3 мм | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 4 | Серебро, Олово | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 10 мкс, 8 мкс | 1 | 70В | 60 мА | 1,25 В | Фототранзистор | 10 с | 8 с | 0,122 (3,1 мм) | Фототранзистор | 6В | 70В | 70В | 200 мА | 60 мА | 6В | 10 % | 950 нм | 70В | 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ870Н11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12,32 мм | 10,8 мм | 6,35 мм | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ880Т55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, винт, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | Без свинца | 8 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 30 мА | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCST1030 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcst1030-datasheets-7960.pdf | 70В | Модуль со слотами, 4-выводный, двухрядный | Пересечение объекта | 60 мА | 16 недель | 4 | Серебро, Олово | Нет | 1 | 250 мВт | 15 мкс, 10 мкс | 1 | 70В | 60 мА | 1,2 В | 60 мА | 0,122 (3,1 мм) | Фототранзистор | 6В | 70В | 70В | 100 мА | 60 мА | 950 нм | 70В | 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ360Т51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 24,61 мм | 20 мА | 10,8 мм | 6,35 мм | 12 недель | 4 | 1 | 100мВт | 30 В | 50 мА | 1,3 В | 20 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22A1 | ООО «Изоком Компонентс 2004» | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | Без свинца | 2 недели | неизвестный | 1 | 75мВт | 8 мкс, 50 мкс | 0,06А | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 60 мА | 30 В | 100 нА | 30 В | 3мА | 1,9 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ818 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb818-datasheets-7978.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 50 мА | 15,24 мм | 1,7 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 20 мА | 1,7 В | 0,210 (5,33 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ866Т55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 24,61 мм | 20 мА | 10,8 мм | 6,35 мм | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ865Н11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 50 мА | 11,1 мм | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 2 | Пластик | Нет | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 880 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ825 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb825r-datasheets-8024.pdf | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 10,67 мм | 20 мА | 11,43 мм | 10,67 мм | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,6 В | 0,160 (4,06 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА |
