Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Рабочий ток питания | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Материал | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Ведущая презентация | Код Pbfree | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Минимальное напряжение питания (постоянный ток) | Длина результата | Достичь соответствия кода | Количество функций | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Выходная мощность | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Угол обзора | Время подъема | Осень (тип.) | Материал корпуса | Длина или диаметр тела | Расстояние внедрения | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Длина волны — Пик | Пиковая длина волны | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ825 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb825r-datasheets-8024.pdf | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 10,67 мм | 20 мА | 11,43 мм | 10,67 мм | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,6 В | 0,160 (4,06 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ855 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb855-datasheets-8006.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 7,11 мм | Без свинца | 8 недель | 4 | Пластик | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,3 В | 0,205 (5,21 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 935 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1105 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1105-datasheets-8013.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 50 мА | 2,6 мм | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 4 | да | 1 | 1 | 80мВт | 10 мкс, 10 мкс | 30 В | 50 мА | 1,3 В | Цифровой | 50 мА | 10 мкс | 10 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 5В | 30 В | 30 В | 30 мА | 5В | 800 нм | 500нА | 2 мм | 0,2 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ370Н55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | Без свинца | 8 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ100Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Прикрепить | Оснастка | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb100sz-datasheets-7450.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 2 | 250мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 20 мА | 1,7 В | 25° | 12 (304,8 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 В | 50 мА | 100 мА | 880 нм | 880 нм | 30 В | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1031 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1031-datasheets-7773.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 30 мА | 24В | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 8 | да | Нет | 2 | 2 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | 2 НПН | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 3,4 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ840W11Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 23,75 мм | 50 мА | 10,54 мм | 23,75 мм | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | Нет | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 880 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ880Т51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, винт, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 24,63 мм | 20 мА | 15,75 мм | 6,35 мм | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ610 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb621-datasheets-0525.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 50 мА | 8,38 мм | 8,89 мм | 1,6 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | Нет | 200мВт | 1 | 30 мА | Инфракрасный (ИК) | 25 В | 50 мА | 1,6 В | 0,15 (3,8 мм) | Транзистор, резистор база-эмиттер | 3В | 24В | 24В | 30 мА | 50 мА | 3В | 890 нм | 890 нм | 24В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SA105 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~70°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesa105-datasheets-7809.pdf | Плунжер | 9,4 мм | 30 мА | 6,2 мм | 4,4 мм | Без свинца | 12 недель | Неизвестный | 4 | 2,5 мм | да | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 1,4 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ350Л187 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПБ350 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ocb350l187z-datasheets-5332.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Жидкость | Без свинца | 10 недель | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,188 (4,78 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 50 мА | 50 мА | 890 нм | 890 нм | 30 В | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ350 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПБ350 | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ocb350l187z-datasheets-5332.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Жидкость | 11,68 мм | 50 мА | 10,8 мм | 11,68 мм | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | 8,128 мм | Нет | 5,25 В | 4,75 В | 8,38 мм | 100мВт | 100мВт | 1 | 6мА | 50 мА | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 50 мА | 50 мА | 890 нм | 890 нм | 30 В | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCPT1350X01 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcpt1350x01-datasheets-7841.pdf | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 4,15 мм | Без свинца | 18 недель | Неизвестный | Нет | 1,4 В | 1В | 37,5 мВт | 9 мкс, 16 мкс | 1 | 140°С | 125°С | 20 мА | 25 мА | 1,2 В | 150 мкс | 150 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 5В | 20 В | 20 В | 20 В | 20 мА | 15 мА | 5В | 950 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S396HCPSF | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 мкА | Соответствует RoHS | Модуль | Пересечение объекта | Без свинца | 16 недель | неизвестный | 30 мкс | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,047 (1,2 мм) | НПН — открытый коллектор | 35В | 35В | 20 мА | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ350W187Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПБ350 | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ocb350l187z-datasheets-5332.pdf | 30 В | Модуль предварительно смонтированный | Жидкость | 29,59 мм | 13,34 мм | 7,62 мм | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | Нет | 5,25 В | 4,75 В | 1 | 100мВт | 1 | 100мВт | 50 мА | 50 мА | Пластик | 0,188 (4,78 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 50 мА | 50 мА | 890 нм | 890 нм | 30 В | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCPT1600X01 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcpt1600x01-datasheets-7873.pdf | Модуль, без результата, тип слота | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | неизвестный | 9 мкс, 16 мкс | 25 мА | 1,2 В | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 20 В | 20 В | 20 мА | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ350W125Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПБ350 | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ocb350l187z-datasheets-5332.pdf | Модуль, выводы проводов, тип слота | Жидкость | 8 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 50 мА | 35 мкс | 250 мкс | Пластик | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 50 мА | 50 мА | 30 В | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCST1230 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcst1230-datasheets-7890.pdf | 1,25 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 8,3 мм | 60 мА | 8,15 мм | 4,7 мм | 12 недель | Неизвестный | 4 | Серебро, Олово | Нет | 250мВт | 1 | 250мВт | 15 мкс, 10 мкс | 1 | 70В | 60 мА | 1,25 В | Фототранзистор | 15 мкс | 10 мкс | 0,110 (2,8 мм) | Фототранзистор | 6В | 70В | 70В | 100 мА | 60 мА | 6В | 950 нм | 70В | 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCST5250 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, под углом | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcst5250-datasheets-7896.pdf | 1,25 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 14,3 мм | 60 мА | 11 мм | 6 мм | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 4 | Серебро, Олово | Нет | 250мВт | 1 | 250мВт | 15 мкс, 10 мкс | 1 | 70В | 70В | 1,5 мА | 60 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 20 мА | 0,106 (2,7 мм) | Фототранзистор | 6В | 70В | 70В | 100 мА | 60 мА | 6В | 950 нм | 70В | 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX954-W 1M | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2009 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ801W55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | Без свинца | 10 недель | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ830W55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 23,75 мм | 50 мА | 10,54 мм | 23,75 мм | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | Нет | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 880 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1103 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1103-datasheets-7651.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 50 мА | 5,4 мм | 4,2 мм | Без свинца | 13 недель | Неизвестный | 4 | да | Нет | 1 | 80мВт | 1 | 80мВт | 10 мкс, 10 мкс | 85°С | 30 мА | 30 В | 50 мА | 1,3 В | 50 мА | 10 мкс | 10 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 5В | 5В | 30 В | 30 В | 30 мА | 5В | 950 нм | 500нА | 2 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1140 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1140-datasheets-7663.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 50 мА | 5 мм | 9 недель | Неизвестный | 4 | да | 100мВт | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 20 мА | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 23 мм | 0,551 (14 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ880П51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 18,47 мм | 20 мА | 15,75 мм | 6,35 мм | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ817Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпус, панель, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb817z-datasheets-7687.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 1,8 В | Без свинца | 8 недель | 4 | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,8 В | 0,200 (5,08 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SG3-B | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesg3b-datasheets-7699.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 25,4 мм | 30 мА | 11,7 мм | 6,35 мм | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | 100мВт | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 1 | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,142 (3,6 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 4В | 940 нм | 30 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЭ-SJ3-D | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesj3d-datasheets-7712.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 7 недель | 4 | да | неизвестный | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 1 | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 0,1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ350W062Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПБ350 | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ocb350l187z-datasheets-5332.pdf | 30 В | Модуль предварительно смонтированный | Жидкость | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | 5,25 В | 4,75 В | 100мВт | 1 | 50 мА | 50 мА | 0,063 (1,6 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 50 мА | 50 мА | 890 нм | 890 нм | 30 В | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX951-R 1М | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2015 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА |
