Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (макс.) | Код JEDEC-95 | Конфигурация коммутатора | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Частота переключения-Макс. | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДМН61Д8ЛВТ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn61d8lvt7-datasheets-1664.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 17 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 820мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 630 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 820мВт | 0,63 А | 2,4 Ом | 2 N-канала (двойной) | 12,9 пФ при 12 В | 1,8 Ом при 150 мА, 5 В | 2 В при 1 мА | 0,74 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ8822УТС-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmg8822uts13-datasheets-3570.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | 20 недель | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 870мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 7,8 нс | 21,1 нс | 10,1 нс | 38,6 нс | 4,9А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 841пФ при 10 В | 25 мОм при 8,2 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 4,9А Та | 9,6 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМ6К2Т110 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/rohmsemiconductor-sm6k2t110-datasheets-3520.pdf | 60В | 200 мА | СК-74, СОТ-457 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 2,4 Ом | 6 | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *К2 | 6 | Двойной | 10 | 300мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 5нс | 5 нс | 12 нс | 200 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,2 А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 15пФ @ 10В | 2,4 Ом при 200 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н56ФЭ,ЛМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 150 мВт | ES6 | 55пФ | 800мА | 20 В | 150 мВт | 2 N-канала (двойной) | 55пФ при 10В | 235 мОм при 800 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 800мА | 1 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | 235 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4210DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-si4210dyt1ge3-datasheets-3574.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | 2,7 Вт | СИ4210 | 2 | Двойной | 1,78 Вт | 2 | 8-СО | 445пФ | 12 нс | 55нс | 8 нс | 1 нс | 6,5 А | 20 В | 30 В | 2,5 В | 2,7 Вт | 35,5 мОм | 2 N-канала (двойной) | 445пФ при 15В | 35,5 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 6,5 А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 35,5 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3032LFDBQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn3032lfdbq7-datasheets-3621.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 23 недели | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | АЭК-Q101 | 1 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | 6,2А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт | 0,03 Ом | 2 N-канала (двойной) | 500пФ при 15В | 30 мОм при 5,8 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 10,6 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG6898LSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmg6898lsdq13-datasheets-7254.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,28 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMG6898LSD | 8 | 40 | 1,28 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 11,67 нс | 12,49 нс | 12,33 нс | 35,89 нс | 9,5А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30А | 0,016Ом | 2 N-канала (двойной) | 1149пФ при 10 В | 16 мОм при 9,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД310708SCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/advancedlineardeviceinc-ald310708scl-datasheets-3649.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | да | неизвестный | 8В | 500мВт | 4 P-канала, согласованная пара | 2,5 пФ при 5 В | 780 мВ при 1 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS8947 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-nds8947-datasheets-3666.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 900мВт | 2 P-канала (двойной) | 690пФ при 15 В | 65 мОм при 4 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 4А | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТТ8К1ТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-tt8k1tr-datasheets-3219.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 10 недель | да | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 1 Вт | 260 | 8 | 10 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф8 | 2,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт | 0,09 Ом | 2 N-канала (двойной) | 260пФ при 10В | 72 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 3,6 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCCD2004-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-mccd2004tp-datasheets-3506.pdf | 6-WFDFN Открытая площадка | 12 недель | да | 260 | 10 | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1955 пФ при 10 В | 10 мОм при 8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 10А | 18,5 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД1102САЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/advancedlineardevicesinc-ald1102sal-datasheets-3509.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-СОИК | 16 мА | -13,2 В | 10,6 В | 500мВт | 180Ом | -12В | 2 P-канальных (двойных) согласованных пар | 10пФ при 5В | 270 Ом при 5 В | 1,2 В @ 10 мкА | Стандартный | 270 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ912ДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sib912dkt1ge3-datasheets-3512.pdf | PowerPAK® SC-75-6L двойной | 1,6 мм | 750 мкм | 1,6 мм | 6 | 14 недель | 95,991485мг | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | 3,1 Вт | 260 | СИБ912 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 10 нс | 10 нс | 24 нс | 1,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВ | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 95пФ при 10 В | 216 мОм при 1,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3 нк @ 8 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3611 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon3611-datasheets-0970.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 18 недель | 8 | 2,5 Вт | Другие транзисторы | 6А | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,1 Вт 2,5 Вт | 6А | N и P-каналы, общий сток | 170пФ при 15В | 50 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 5А 6А | 10 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TT8J11TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohmsemiconductor-tt8j11tcr-datasheets-3431.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 10 недель | да | EAR99 | 650мВт | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Ф8 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 650мВт | 12А | 0,043Ом | 2 P-канала (двойной) | 2600пФ при 6В | 43 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si1024xt1ge3-datasheets-3402.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 8,193012мг | Неизвестный | 700мОм | 6 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Олово | Нет | е3 | 250мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ1024 | 6 | 1 | Двойной | 40 | 250мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 600 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 450 мВ | 0,485А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 700 мОм при 600 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 485 мА | 0,75 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN2050LFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmn2050lfdb7-datasheets-3412.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 20 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | АЭК-Q101 | 730мВт | 260 | 30 | 2 | Полномочия общего назначения FET | С-ПДСО-Н6 | 5 нс | 8нс | 8 нс | 25 нс | 3,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,5 А | 0,045 Ом | 2 N-канала (двойной) | 389пФ при 10 В | 45 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD86336Q3DT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 3,3 мм | 3,3 мм | 8 | 8 недель | да | не_совместимо | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | CSD86336 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-Н8 | 25В | 6 Вт | 12 В | 22В | БАК | 1500 кГц | 2 Н-канала (полумост) | 494 пФ при 12,5 В 970 пФ при 12,5 В | 9,1 мОм при 20 А, 5 В, 3,4 м Ом при 20 А, 5 В | 1,9 В при 250 мкА, 1,6 В при 250 мкА | 20А Та | 3,8 нк при 45 В, 7,4 нк при 45 В | Ворота логического уровня, привод 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ1563AEH-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/vishaysiliconix-sq1563aeht1ge3-datasheets-3427.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 12 недель | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 20 В | 1,5 Вт | N и P-канал | 89пФ при 10В 84пФ при 10В | 280 мОм при 850 мА, 4,5 В, 575 мОм при 800 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 850 мА Тс | 1,25 нк при 4,5 В, 1,33 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н24ТУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСIII | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | 30 В | 500мВт Та | 2 N-канала (двойной) | 245пФ при 10В | 145 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,1 В при 100 мкА | 500 мА Та | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ50АМ38СТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm50am38stg-datasheets-3455.pdf | SP4 | 10 | 16 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННАЯ ЭНЕРГИЯ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 694 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 10 | 694 Вт | 2 | Р-XUFM-X10 | 18 нс | 35 нс | 77 нс | 87 нс | 90А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 360А | 2 Н-канала (полумост) | 11200пФ при 25В | 45 мОм при 45 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 246 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMDXB550UNEZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-pmdxb550unez-datasheets-3360.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | 6 | 4 недели | МЭК-60134 | 285мВт | НЕТ ЛИДЕСА | 6 | 2 | Р-ПДСО-Н6 | 590 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 285мВт | 0,59 А | 0,9 Ом | 2 N-канала (двойной) | 30,3 пФ при 15 В | 670 мОм при 590 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 1,05 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6П35ФЭ(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | неизвестный | 150 мВт | ССМ6П35 | 100 мА | 20 В | 150 мВт | 2 P-канала (двойной) | 12,2 пФ при 3 В | 8 Ом при 50 мА, 4 В | 1 В @ 1 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishay-si1023xt1ge3-datasheets-0962.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 8,193012мг | Неизвестный | 1,2 Ом | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ1023 | 6 | Двойной | 40 | 250мВт | 2 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Ф6 | -350 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -450мВ | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1,2 Ом при 350 мА, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 370 мА | 1,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS4935 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-fds4935-datasheets-3468.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 7А | 30А | 0,023Ом | 2 P-канала (двойной) | 1233пФ при 15 В | 23 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7А | 21 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2562Т1Х-Т1-АТ | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-uda1341tsn1512-datasheets-4273.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8-ВСОФ | 30 В | 2,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 475пФ при 10 В | 55 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 4,5 А | 5,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД1103СБЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald1103sbl-datasheets-3485.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 14 | 500мВт | 500мВт | 14-СОИК | 10пФ | 16 мА | 13,2 В | 10,6 В | 500мВт | 270Ом | -12В | Согласованная пара из 2 N и 2 P-каналов | 10пФ при 5В | 75 Ом при 5 В | 1 В @ 10 мкА | 40 мА 16 мА | Стандартный | 75 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7103QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-auirf7103qtr-datasheets-2890.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 26 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5,1 нс | 1,7 нс | 2,3 нс | 15 нс | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 3А | 0,13 Ом | 50В | 2 N-канала (двойной) | 255пФ при 25В | 130 мОм при 3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД1117ПАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald1107sbl-datasheets-9190.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | 8 недель | 8 | да | EAR99 | неизвестный | 500мВт | 500мВт | 2 | 2мА | -13,2 В | КРЕМНИЙ | ОБЩАЯ ПОДЛОЖКА, 2 ЭЛЕМЕНТА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10,6 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -12В | 2 P-канальных (двойных) согласованных пар | 3пФ @ 5В | 1800 Ом при 5 В | 1 В @ 1 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7910TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/infineontechnologies-irf7910trpbf-datasheets-2765.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 15МОм | 8 | да | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7910PBF | Одинокий | 30 | 2 Вт | 2 | 9,4 нс | 22нс | 6,3 нс | 16 нс | 10А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МС-012АА | 12 В | 2 N-канала (двойной) | 1730пФ при 6В | 15 мОм при 8 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 26 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня |
