Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФДМБ3900АН | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmb3900an-datasheets-4690.pdf | 8-PowerWDFN | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 6 | 23 недели | 60 мкг | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 800мВт | Двойной | 1,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 6 нс | 3нс | 3 нс | 15 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 25В | 2 N-канала (двойной) | 890пФ при 13В | 23 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6318P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fdc6318p-datasheets-4856.pdf | -12В | -2,5 А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 90МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 960мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 960мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 9 нс | 14нс | 14 нс | 21 нс | -2,5 А | 8В | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -700мВ | 700мВт | -12В | 2 P-канала (двойной) | 455пФ при 6В | 700 мВ | 90 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,5 А | 8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP6050SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmp6050ssd13-datasheets-4820.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 23 недели | 8 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 4,8А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 Вт | 0,055 Ом | 2 P-канала (двойной) | 1293пФ при 30 В | 55 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 24 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP4047SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmp4047ssd13-datasheets-4695.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | 18 недель | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | 260 | 30 | 1,8 Вт | 2 | 8,7 нс | 19,6 нс | 25,5 нс | 34,9 нс | 5,1А | 20 В | 40В | 2 P-канала (двойной) | 1154пФ при 20В | 45 мОм при 4,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 21,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD88539ND | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 540,001716мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 1,58 мм | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Золото | Нет | е4 | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | CSD88539 | Двойной | 2,1 Вт | 2 | 6 нс | 9нс | 4 нс | 5 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 6,3А | 46А | 0,034Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 741пФ при 30 В | 28 мОм при 5 А, 10 В | 3,6 В при 250 мкА | 9,4 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5515CDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si5515cdct1e3-datasheets-6614.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 14 недель | 84,99187мг | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 3,1 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | СИ5515 | 8 | 30 | 1,3 Вт | 2 | 4А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВ | 4А | 0,036Ом | N и P-канал | 632пФ при 10 В | 36 мОм при 6 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 11,3 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87502Q2T | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 6-WDFN Открытая площадка | 2 мм | 2 мм | Без свинца | 6 | 12 недель | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 750 мкм | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,3 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | CSD87502 | Двойной | 2 | 5А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 5А | 23А | 29 пФ | 3,1 мДж | 2 N-канала (двойной) | 353пФ при 15В | 32,4 мОм при 4 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 6 нк @ 10 В | Ворота логического уровня, привод 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3552DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si3552dvt1e3-datasheets-4526.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 14 недель | 19,986414мг | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,15 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3552 | 6 | 2 | 30 | 1,15 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,105 Ом | 30 В | N и P-канал | 1 В | 105 мОм при 2,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 3,2 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС9948 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-nds9948-datasheets-4787.pdf | -60В | -2,3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 20 недель | 187 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6 нс | 9нс | 3 нс | 16 нс | 2,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,5 В | 900мВт | 10А | 15 мДж | -60В | 2 P-канала (двойной) | 394пФ при 30 В | -1,5 В | 250 мОм при 2,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDME1034CZT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 6-УФДФН Открытая площадка | 1,6 мм | 500 мкм | 1,6 мм | 6 | 16 недель | 25,2 мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,4 Вт | Двойной | 1,3 Вт | 2 | Другие транзисторы | 4,8 нс | 16 нс | 33 нс | 3,8А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВ | 600мВт | 3,4А | 40 пФ | -20В | N и P-канал | 300пФ при 10В | 700 мВ | 66 мОм при 3,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,8 А 2,6 А | 4,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ3987EV-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-sq3987evt1ge3-datasheets-4406.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 12 недель | неизвестный | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,67 Вт | 3А | 0,185 Ом | 74 пФ | 2 P-канала (двойной) | 570пФ при 15 В | 133 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 12,2 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2008ЛФУ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmn2008lfu7-datasheets-4596.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | 6 | 17 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Н6 | 14,5А | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт | 0,0096Ом | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1418пФ при 10 В | 5,4 мОм при 5,5 А, 4,5 В | 1,5 В при 250 А | 42,3 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA921EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sia921edjt1ge3-datasheets-4545.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | 59МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 7,8 Вт | 260 | 6 | Двойной | 40 | 1,9 Вт | 2 | Другие транзисторы | 5 нс | 12нс | 10 нс | 25 нс | -4,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 59 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4,5 А | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3552DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-si3552dvt1e3-datasheets-4526.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | 19,986414мг | Неизвестный | 200мОм | 6 | Нет | 1,15 Вт | СИ3552 | 2 | Одинокий | 1,15 Вт | 2 | 6-ЦОП | 8 нс | 12нс | 7 нс | 12 нс | 51А | 20 В | 30 В | 1В | 1,15 Вт | 85мОм | 30 В | N и P-канал | 1 В | 105 мОм при 2,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 2,5 А | 3,2 нк при 5 В | Ворота логического уровня | 105 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6961A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fds6961a-datasheets-4664.pdf | 30 В | 3,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 230,4 мг | Нет СВХК | 90мОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 3 нс | 11нс | 3 нс | 7 нс | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 В | 900мВт | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 220пФ при 15В | 1,8 В | 90 мОм при 3,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4532CDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4532cdyt1ge3-datasheets-4680.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 89мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2,78 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4532 | 8 | 2 | 30 | 2,78 Вт | 2 | 150°С | 5,5 нс | 13нс | 7,7 нс | 17 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 6А | 30 В | N и P-канал | 305пФ при 15В | 1 В | 47 мОм при 3,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А 4,3А | 9 нк @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD75207W15 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | -0,8 | Соответствует ROHS3 | 9-УФБГА, ДСБГА | 1,75 мм | 625 мкм | 1,75 мм | Без свинца | 12 недель | 9 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | Медь, Серебро, Олово | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 700мВт | НИЖНИЙ | МЯЧ | CSD75207 | Другие транзисторы | 12,8 нс | 8,6 нс | 16 нс | 32,1 нс | 3,9А | -6В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 P-канала (двойной), общий источник | 595пФ при 10 В | 162 мОм при 1 А, 1,8 В | 1,1 В @ 250 мкА | 3,7 нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7507TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/infineon-irf7507trpbf-datasheets-1231.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 860 мкм | 3 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 270мОм | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7507PBF | 40 | 1,25 Вт | 2 | 38 нс | 2,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВ | 19А | 20 В | N и P-канал | 260пФ при 15В | 700 мВ | 140 мОм при 1,7 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 2,4 А 1,7 А | 8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA1029PZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdma1029pz-datasheets-4699.pdf | -20В | -3,1А | 6-ВДФН Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 40мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | е4 | 1,4 Вт | Двойной | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | 13 нс | 11нс | 11 нс | 37 нс | 3,1А | 12 В | -20В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 700мВт | 0,095Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 540пФ при 10В | -1 В | 95 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 10 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMB2307NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdmb2307nz-datasheets-4741.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 3 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 12,0024 мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | е4 | 800мВт | ФДМБ2307 | 2,2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 1,76 нФ | 12 нс | 34 нс | 17 нс | 32 нс | 8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 9,7А | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 28 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6930B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-fds6930b-datasheets-4682.pdf | 30 В | 5,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | Нет СВХК | 38МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | 55А | е3 | Олово (Вс) | 30 В | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 6 нс | 6нс | 2 нс | 16 нс | 5,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 В | 900мВт | 60 пФ | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 412пФ при 15 В | 1,9 В | 38 мОм при 5,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,8 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC1028UFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmc1028ufdb7-datasheets-4767.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 15 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,36 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | 3,4А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 12 В 20 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 0,025 Ом | N и P-канал | 787пФ при 6В | 25 мОм при 5,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6А 3,4А | 18,5 НК при 8 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG4822SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmg4822ssd13-datasheets-4717.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,42 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМГ4822 | 8 | Двойной | 40 | 1,42 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 2,9 нс | 7,9 нс | 3,1 нс | 14,6 нс | 10А | 25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 478,9 пФ при 16 В | 20 мОм при 8,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4936CDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4936cdyt1ge3-datasheets-4603.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 40мОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2,3 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4936 | 8 | 30 | 2,3 Вт | 2 | 12 нс | 13нс | 13 нс | 16 нс | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 5А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 325пФ при 15В | 40 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,8А | 9 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMC10A816N8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/diodesincorporated-zxmc10a816n8tc-datasheets-4076.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 4,3 нс | 5,2 нс | 12 нс | 20 нс | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 А | 9,4А | 100 В | N и P-канал | 497пФ при 50 В | 230 мОм при 1 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 9,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФД4902НФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntmfd4902nft1g-datasheets-4144.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 8 | 17 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 1,16 Вт | ПЛОСКИЙ | 8 | Двойной | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 13,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 Вт 1,16 Вт | 13,5А | 60А | 0,01 Ом | 2 N-канала (двойной), Шоттки | 1150пФ при 15В | 6,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 10,3 А 13,3 А | 9,7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ968EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj968ept1ge3-datasheets-4319.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4 | 12 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | 25 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 25 Вт | 2 | Р-ПССО-Г4 | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 42 Вт Тс | 0,0336Ом | 4 мДж | 2 N-канала (двойной) | 714пФ при 30 В | 33,6 мОм при 4,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 23,5 А Тс | 18,5 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sq4940aeyt1ge3-datasheets-4275.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 12 недель | 506,605978мг | EAR99 | неизвестный | 4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г8 | 8 нс | 13нс | 9 нс | 20 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 55 пФ | 2 N-канала (двойной) | 741пФ при 20 В | 24 мОм при 5,3 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 43 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7980DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7980dpt1ge3-datasheets-4445.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 6 | 12 недель | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 21,9 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7980 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 3,4 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C6 | 18 нс | 18нс | 10 нс | 25 нс | 8А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 19,8 Вт 21,9 Вт | 8А | 30А | 20 В | 2 Н-канала (полумост) | 1010пФ при 10В | 22 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 27 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA910EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sia910edjt1ge3-datasheets-4467.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 28МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 7,8 Вт | 260 | SIA910E | 6 | 2 | Двойной | 40 | 1,9 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 12нс | 12 нс | 25 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВ | 12 В | 2 N-канала (двойной) | 455пФ при 6В | 400 мВ | 28 мОм при 5,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 16 НК при 8 В | Ворота логического уровня |
