Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Время восстановления | Выходной ток-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMLDM7484 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmldm7484trpbfree-datasheets-6432.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 24 недели | ДА | Другие транзисторы | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 0,35 Вт | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 мВт | 0,45 А | Дополняющие N и P-каналы | 45пФ при 25В | 460 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 450 мА | 0,79 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЗД3154НТ5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntzd3154nt1g-datasheets-3038.pdf | 20 В | 540 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 10 недель | 400МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 250мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НТЗД3154Н | 6 | Двойной | 40 | 250мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 4нс | 4 нс | 16 нс | 540 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 20 пФ | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS6J11TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-qs6j11tr-datasheets-6460.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 8 | 20 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е1 | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *J11 | 6 | 2 | Двойной | 10 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г8 | 10 нс | 17нс | 35 нс | 65 нс | 2А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 8А | 0,105 Ом | 2 P-канала (двойной) | 770пФ при 6В | 105 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 6,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5513CDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si5513cdct1ge3-datasheets-6399.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 14 недель | 84,99187мг | Неизвестный | 150 мОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 3,1 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | СИ5513 | 8 | 2 | 30 | 1,7 Вт | 2 | 4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 20 В | N и P-канал | 285пФ при 10В | 600 мВ | 55 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4А 3,7А | 4,2 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHC5513T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-nthc5513t1g-datasheets-6522.pdf | 20 В | 3,1А | 8-СМД, плоский вывод | 3,1 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 8 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | NTHC5513 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 7 нс | 13нс | 33 нс | 3,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600мВ | 10А | -20В | N и P-канал | 180пФ при 10В | 600 мВ | 80 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2,9 А 2,2 А | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA537EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-sia537edjt1ge3-datasheets-6486.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 6 | EAR99 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 7,8 Вт | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | SIA537 | 2 | НЕ УКАЗАН | 2 | 15 нс | 15нс | 10 нс | 30 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 12 В 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | -20В | N и P-канал | 455пФ при 6В | 28 мОм при 5,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 16 НК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2016ЛФГ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmn2016lfg7-datasheets-6549.pdf | 8-PowerUDFN | Без свинца | 5 | 16 недель | Нет СВХК | 18мОм | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | АЭК-Q101 | 770мВт | 260 | ДМН2016Л | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н5 | 2,6 нс | 13,2 нс | 46,8 нс | 84,5 нс | 5,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1472пФ при 10 В | 18 мОм при 6 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 16 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| US6J2TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-us6j2tr-datasheets-6579.pdf | -20В | -1А | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | 10 недель | 390МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 1 Вт | 260 | *J2 | 6 | Двойной | 10 | 1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 9 нс | 8нс | 10 нс | 25 нс | 1А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 150пФ при 10В | 390 мОм при 1 А, 4,5 В | 2 В @ 1 мА | 2,1 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS6K21TR | РОМ Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-qs6k21tr-datasheets-6390.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 12 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е1 | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | *К21 | 6 | Двойной | 1,25 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 8нс | 8 нс | 16 нс | 1А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 45В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1А | 300мОм | 45В | 2 N-канала (двойной) | 1,5 В при 1 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1902DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si1902dlt1e3-datasheets-4051.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 14 недель | 7,512624 мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ1902 | 6 | Двойной | 270мВт | 2 | 10 нс | 16 нс | 10 нс | 10 нс | 660 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,385 Ом | 2 N-канала (двойной) | 385 мОм при 660 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,2 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUD3A260PZTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-ntlud3a260pztbg-datasheets-1373.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | 1,6 мм | 500 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 500мВт | 6 | Двойной | 800мВт | 2 | Другие транзисторы | 17,4 нс | 32,3 нс | 74 нс | 149 нс | 1,7 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,3А | 2 P-канала (двойной) | 300пФ при 10В | 200 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,3А | 4,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD85302L | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 4-XFLGA | 1,35 мм | 1,35 мм | Без свинца | 4 | 6 недель | 4 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 200 мкм | EAR99 | 1,7 Вт | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | CSD85302 | 2 | 37 нс | 54нс | 99 нс | 173 нс | 7А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 79 пФ | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 7,8 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2100УФУ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/diodesincorporated-dmp2100ufu7-datasheets-6328.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | 15 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 900мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5,7А | 20 В | 900мВт | 2 P-канала (двойной) | 906пФ при 10 В | 38 мОм при 3,5 А, 10 В | 1,4 В при 250 мкА | 21,4 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ6М1Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/rohmsemiconductor-em6m1t2r-datasheets-6247.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6М1 | 6 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | Другие транзисторы | 200 мА | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В 20В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,1 А | 8Ом | 30 В | N и P-канал | 13пФ @ 5В | 8 Ом при 10 мА, 4 В | 100 мА 200 мА | 0,9 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLDM7003TG TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmldm7003ttr-datasheets-1403.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 42 недели | ДА | Полевой транзистор общего назначения | 0,35 Вт | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350мВт | 0,28 А | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 1,5 Ом при 50 мА, 5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 280 мА | 0,76 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1035X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1035xt1ge3-datasheets-6271.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 32,006612мг | 8Ом | 6 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ1035 | 6 | 30 | 250мВт | 2 | Другие транзисторы | 180 мА | 5В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,18А | 20 В | N и P-канал | 5 Ом при 200 мА, 4,5 В | 400 мВ при 250 мкА (мин) | 180 мА 145 мА | 0,75 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntjd4105ct2g-datasheets-6244.pdf | 630 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 8 недель | 220мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTJD4105C | 6 | Двойной | 40 | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | 23нс | 36 нс | 50 нс | 775 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20В 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1А | 5 пФ | -8В | N и P-канал | 46пФ при 20 В | 375 мОм при 630 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 630 мА 775 мА | 3nC @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМК2004ВК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmc2004vk7-datasheets-6300.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 19 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 900мОм | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 400мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДМС2004ВК | 6 | 2 | 40 | 1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 670 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 450мВт | 20 В | N и P-канал | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 670 мА 530 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6308П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdg6308p-datasheets-6256.pdf | -20В | -600мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | 400МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 5 нс | 15нс | 15 нс | 7 нс | 600 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -20В | 2 P-канала (двойной) | 153пФ при 10 В | 400 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1965DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si1965dht1e3-datasheets-1509.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 390мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1965 | 6 | 2 | Двойной | 30 | 740 МВт | 2 | Другие транзисторы | 12 нс | 27нс | 10 нс | 15 нс | 1,14А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,3А | -12В | 2 P-канала (двойной) | 120пФ при 6В | -400 мВ | 390 мОм при 1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,3А | 4,2 НК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI4020H-117P | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-irfi4020h117p-datasheets-6348.pdf | ТО-220-5 Полный пакет | 10,6172 мм | 9,02 мм | 4826 мм | Без свинца | 5 | 12 недель | Нет СВХК | 100МОм | 5 | EAR99 | Нет | 21 Вт | ОДИНОКИЙ | Двойной | 21 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8,4 нс | 8нс | 4 нс | 18 нс | 9,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | УСИЛИТЕЛЬ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,9 В | 110 нс | 36А | 130 мДж | 200В | 2 N-канала (двойной) | 1240пФ при 25В | 4,9 В | 100 мОм при 5,5 А, 10 В | 4,9 В при 100 мкА | 29 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVJD4401NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ntjd4401nt1g-datasheets-3295.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 4 недели | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 270мВт | 6 | Двойной | 550 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 83 нс | 227 нс | 506 нс | 786 нс | 910 мА | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,91А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 46пФ при 20 В | 375 мОм при 630 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 630 мА | 3nC @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ8601УФГ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmg8601ufg7-datasheets-6381.pdf | 8-PowerUDFN | Без свинца | 5 | 16 недель | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Золото | е4 | 920 МВт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | DMG8601UFG | 8 | 2 | 40 | 2 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н5 | 53 нс | 78нс | 234 нс | 562 нс | 6,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 143пФ при 10 В | 23 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,05 В @ 250 мкА | 8,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМК2004ЛПК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmc2004lpk7-datasheets-6208.pdf | 6-СМД, без свинца | 1,6 мм | 480 мкм | 1,2 мм | 6 | 16 недель | 21,092045мг | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 500мВт | НИЖНИЙ | 260 | 6 | 40 | 500мВт | 2 | Другие транзисторы | 600 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,75 А | 0,55 Ом | 20 В | N и P-канал | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 750 мА 600 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4816BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4816bdyt1e3-datasheets-1915.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 18,5 мОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4816 | 8 | 2 | 30 | 2 | 150°С | 13 нс | 9нс | 9 нс | 31 нс | 5,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 1 Вт 1,25 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 18,5 мОм при 6,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,8 А 8,2 А | 10 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП58Д0СВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmp58d0sv7-datasheets-6215.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 19 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 8Ом | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 400мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Двойной | 40 | 400мВт | 2 | Другие транзисторы | 160 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 P-канала (двойной) | 27пФ при 25В | 8 Ом при 100 мА, 5 В | 2,1 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ963EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj963ept1ge3-datasheets-5777.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | 8 | Нет | 27 Вт | 2 | Двойной | 27 Вт | 2 | PowerPAK® SO-8 двойной | 11 нс | 13нс | 8 нс | 36 нс | 8А | 20 В | 60В | 27 Вт Тс | 115мОм | 2 P-канала (двойной) | 1140пФ при 30В | 85 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 40 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФК6546010Р | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-fc6546010r-datasheets-6053.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 600 мкм | 1,25 мм | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | 150 мВт | НЕ УКАЗАН | ФК654601 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 100 нс | 100 нс | 100 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 0,1 А | 15Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 12пФ при 3В | 1,2 В | 12 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 1 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7002ВА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-2n7002v-datasheets-1455.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 4 недели | 32мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250мВт | ПЛОСКИЙ | Двойной | 250мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5,85 нс | 12,5 нс | 280 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7 пФ | 60В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 7,5 Ом при 50 мА, 5 В | 2,5 В @ 250 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD88584Q5DCT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 22-PowerTFDFN | 6 мм | 5 мм | 22 | 8 недель | 22 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 850 мкм | не_совместимо | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 10 В | CSD88584 | 16 В | 4,5 В | КОНТРОЛЛЛЕР БЕСЩЕТОЧНОГО ДВИГАТЕЛЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА | НЕ УКАЗАН | 40В | 12 Вт | 50А | 2 Н-канала (полумост) | 12400пФ при 20В | 0,95 мОм при 30 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 88 НК при 4,5 В | Стандартный |
