Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIL2301-TP | Микро Коммерческая Компания | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-sil2301tp-datasheets-8339.pdf | СОТ-23-6 | 12 недель | 260 | 10 | 20 В | 350 мВт | 2 P-канала (двойной) | 405пФ при 10В | 90 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,3А | 10 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС138DWQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/diodesincorporated-bss138dwq7-datasheets-8493.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 15 недель | 6 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 200мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200 мА | 50В | 200мВт | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 3,5 Ом при 220 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н43ФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 6 | EAR99 | неизвестный | 200мВт | 500 мА | 20 В | 200мВт | 2 N-канала (двойной) | 46пФ при 10В | 630 мОм при 200 мА, 5 В | 1 В при 1 мА | 1,23 НК при 4 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX138BKSX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/nexperiausainc-nx138bksx-datasheets-7925.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 320мВт | 0,21 А | 2 N-канала (двойной) | 20пФ при 30В | 3,5 Ом при 200 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 210 мА Та | 0,7 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВТЖД4001НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntjd4001nt1g-datasheets-3034.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 10 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | 272 МВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | Двойной | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 17 нс | 23нс | 82 нс | 94 нс | 250 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,25 А | 2,5 Ом | 12 пФ | 2 N-канала (двойной) | 33пФ при 5В | 1,5 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | 1,3 нк при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX7002AKS,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-nx7002aks115-datasheets-7861.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 4 недели | 6 | Нет | 220мВт | 2 | Двойной | 6-ЦСОП | 17пФ | 6 нс | 7нс | 14 нс | 20 нс | 170 мА | 1,6 В | 60В | 60В | 220мВт | 3Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 17пФ при 10В | 4,5 Ом при 100 мА, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 170 мА | 0,43 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 4,5 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmc31d5udj7b-datasheets-1124.pdf | СОТ-963 | 22,2 пФ | 16 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 350 мВт | 260 | 2 | 30 | 3,5 нс | 5,2 нс | 8,7 нс | 18,8 нс | 200 мА | 12 В | 30В | N и P-канал | 22,6 пФ при 15 В | 1,5 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 220 мА 200 мА | 0,38 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6316П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fdg6316p-datasheets-8484.pdf | -12В | -700мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 270МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 5 нс | 13нс | 13 нс | 8 нс | -700мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -600мВ | 0,7 А | -12В | 2 P-канала (двойной) | 146пФ при 6В | 270 мОм при 700 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 700 мА | 2,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG6317NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 20 В | 700 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 560МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 150°С | 5,5 нс | 7нс | 2,5 нс | 7,5 нс | 700 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 0,7 А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 66,5 пФ при 10 В | 400 мОм при 700 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН32Д2ЛДФ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-dmn32d2ldf7-datasheets-8160.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 5 | 16 недель | Нет СВХК | 5 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 280мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5 | 2 | 40 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 400 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,4 А | 30В | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 39пФ при 3В | 1,2 Ом при 100 мА, 4 В | 1,2 В @ 250 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7002БКС,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-2n7002bks115-datasheets-8142.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 295мВт | 0,3 А | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 1,6 Ом при 500 мА, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 300 мА | 0,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЗД5110НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntzd5110nt1g-datasheets-8130.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 | 4 недели | 1,6 Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 900мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НТЗД5110Н | 6 | Двойной | 40 | 250мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 12 нс | 7,3 нс | 7,3 нс | 63,7 нс | 294 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60В | 2 N-канала (двойной) | 24,5 пФ при 20 В | 1,6 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 0,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН61Д9УДВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn61d9udw7-datasheets-8247.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 16 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 320мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 350 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 320мВт | 0,35 А | 3,5 Ом | 2 N-канала (двойной) | 28,5 пФ при 30 В | 2 Ом при 50 мА, 5 В | 1 В при 250 мкА | 0,4 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6L09FUTE85LF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 300мВт | 2 | Двойной | Другие транзисторы | 85 нс | 85 нс | 200 мА | -1,8 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,4 А | 30В | N и P-канал | 20пФ при 5В | 700 мОм при 200 мА, 10 В | 1,8 В @ 100 мкА | 400 мА 200 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC2450UV-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmc2450uv7-datasheets-8253.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 16 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 450мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 30 | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 1,03А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,74 А | 0,7 Ом | N и P-канал | 37,1 пФ при 10 В | 480 мОм при 200 мА, 5 В | 900 мВ при 250 мкА | 1,03 А 700 мА | 0,5 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМГД280УН,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nexperiausainc-pmgd280un115-datasheets-8262.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 400мВт | 2 | 870 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВт | 0,87А | 0,34 Ом | 2 N-канала (двойной) | 45пФ при 20В | 340 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 0,89 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМ6К31НТН | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohmsemiconductor-2sa1774ebtlr-datasheets-4143.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 16 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 2 | 10 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 3,5 нс | 5нс | 28 нс | 18 нс | 250 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60В | 2 N-канала (двойной) | 15пФ при 25В | 2,4 Ом при 250 мА, 10 В | 2,3 В при 1 мА | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTND31015NZTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ntnd31015nztag-datasheets-8281.pdf | 6-XFLGA | Без свинца | 6 | 5 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 125 МВт | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 200 мА | КРЕМНИЙ | ОТДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 125 МВт | 0,2 А | 2 N-канала (двойной) | 12,3 пФ при 15 В | 1,5 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/infineontechnologies-bsd223ph6327xtsa1-datasheets-8135.pdf | -20В | -350 мА | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 800 мкм | 1,25 мм | Содержит свинец | 6 | 10 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 8541.21.00.95 | АЭК-Q101 | Без галогенов | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БСД223 | НЕ УКАЗАН | 2 | 3,8 нс | 5нс | 5,1 нс | 390 мА | 12 В | -20В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,39 А | 22 пФ | 2 P-канала (двойной) | 56пФ при 15В | 1,2 Ом при 390 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 1,5 мкА | 0,62 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX3008NBKV,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/nexperiausainc-nx3008nbkv115-datasheets-7953.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 4 недели | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | 6 | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,39 Вт | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500мВт | 0,4 А | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 15В | 1,4 Ом при 350 мА, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 400 мА | 0,68 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ1016В-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmg1016v7-datasheets-8316.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 700мОм | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 530мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | ДМГ1016В | 6 | 530мВт | 2 | 5,1 нс | 8,1 нс | 20,7 нс | 28,4 нс | 640 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,87А | N и P-канал | 60,67 пФ при 16 В | 400 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 870 мА 640 мА | 0,74 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМГД290XN,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nexperiausainc-pmgd290xn115-datasheets-8187.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 410мВт | 2 | 860 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 410мВт | 0,35 Ом | 2 N-канала (двойной) | 34пФ при 20В | 350 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 0,72 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДТ290ЮНЕ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/nexperiausainc-pmdt290une115-datasheets-8335.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 6 | Двойной | 390мВт | 2 | 6 нс | 4нс | 31 нс | 86 нс | 800мА | 8В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500мВт | 0,8 А | 0,38 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 83пФ при 10 В | 380 мОм при 500 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 0,68 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntjd4105ct2g-datasheets-6244.pdf | 630 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 19 недель | Нет СВХК | 220мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTJD4105C | 6 | Двойной | 40 | 550 мВт | 2 | Другие транзисторы | 83 нс | 23нс | 36 нс | 50 нс | 775 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20В 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 920 мВ | 5 пФ | -8В | N и P-канал | 46пФ при 20 В | 920 мВ | 375 мОм при 630 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 630 мА 775 мА | 3nC @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmc3400sdw13-datasheets-7674.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | 6 | 15 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 310мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | 30 | 310мВт | 2 | 150°С | Р-ПДСО-Г6 | 450 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,65 А | 0,4 Ом | N и P-канал | 55пФ при 15В | 400 мОм при 590 мА, 10 В | 1,6 В при 250 мкА | 650 мА 450 мА | 1,4 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmn53d0ldw13-datasheets-5922.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 16 недель | 6,010099мг | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 310мВт | 260 | 2 | Двойной | 30 | 2,7 нс | 2,5 нс | 11 нс | 19 нс | 360 мА | 20 В | 50В | 50В | 2 N-канала (двойной) | 46пФ при 25В | 1,6 Ом при 500 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 0,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФК6946010Р | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-fc6946010r-datasheets-7847.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 500 мкм | 1,2 мм | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | 125 МВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ФК694601 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 125 МВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 100 нс | 100 нс | 100 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 0,1 А | 15Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 12пФ при 3В | 1,2 В | 12 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 1 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2200UDW-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ДВОЙНЫЕ ВОРОТА, РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmp2200udw13-datasheets-0928.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 15 недель | 6 | EAR99 | Олово | е3 | 450мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 2 | 9,8 нс | 88нс | 45 нс | 24,4 нс | 900 мА | 8В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,9 А | 2 P-канала (двойной) | 184пФ при 10В | 260 мОм при 880 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2,1 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7324TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7324trpbf-datasheets-6998.pdf | -20В | -9А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,75 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 18мОм | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7324PBF | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 17 нс | 36нс | 190 нс | 170 нс | -9А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 270 нс | 9А | 71А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 2940пФ при 15В | 18 мОм при 9 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 9А | 63 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N7002CFU,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 285мВт | 170 мА | 60В | 285мВт | 2 N-канала (двойной) | 17пФ при 10В | 3,9 Ом при 100 мА, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 0,35 НК при 4,5 В | Стандартный |
