Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMC1229UFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmc1229ufdb7-datasheets-9217.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 2,08 мм | 555 мкм | 2,075 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 6 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Золото | Нет | е4 | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | 2 | 30 | 2 | Другие транзисторы | 5,7 нс | 11,5 нс | 26,4 нс | 27,8 нс | 3,8А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | N и P-канал | 914пФ при 6В | 29 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5,6 А 3,8 А | 19,6 НК при 8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC3025LSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmc3025lsd13-datasheets-9268.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMC3025 | 2 | 30 | 2 | Другие транзисторы | 6,8 нс | 4,9 нс | 12,4 нс | 28,4 нс | 4,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5,3А | -30В | N и P-канал | 501пФ при 15В | 20 мОм при 7,4 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 6,5 А 4,2 А | 9,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ3989EV-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sq3989evt1ge3-datasheets-9239.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 12 недель | 6-ЦОП | 30 В | 1,67 Вт | 2 P-канала (двойной) | 155 мОм при 400 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 11,1 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN6070SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmn6070ssd13-datasheets-9350.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | 8 | 23 недели | 73,992255мг | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | Двойной | 30 | 1,5 Вт | 2 | 3,5 нс | 4,1 нс | 11 нс | 35 нс | 3,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 Вт | 5,9 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 588пФ при 30 В | 80 мОм при 12 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 12,3 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2215УДМ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-dmn2215udm7-datasheets-9276.pdf | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 19 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | е3 | 650мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН2215УДМ | 6 | Двойной | 40 | 650мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | 8 нс | 3,8 нс | 3,8 нс | 19,6 нс | 2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 0,1 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 188пФ при 10В | 100 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA931DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sia931djt1ge3-datasheets-9285.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 800 мкм | 14 недель | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | C-07431-ДВОЙНОЙ | 7,8 Вт | 2 | Двойной | 1,9 Вт | 150°С | 8 нс | 18нс | 5 нс | 20 нс | -4,3А | 20 В | 30 В | -30В | 2 P-канала (двойной) | 445пФ при 15В | 65 мОм при 3 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 4,5 А | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6304P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdc6304p-datasheets-9372.pdf | -25В | -460 мА | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 1,1 Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 700мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 900мВт | 2 | Другие транзисторы | 7 нс | 8нс | 8 нс | 55 нс | -460 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -860мВ | -25В | 2 P-канала (двойной) | 62пФ при 10 В | 1,1 Ом при 500 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 460 мА | 1,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ9926УДМ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmg9926udm7-datasheets-9379.pdf | СОТ-23-6 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 980 МВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMG9926UDM | 6 | 40 | 980 МВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 8,4 нс | 8,2 нс | 8,9 нс | 40,4 нс | 4,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 856пФ при 10 В | 28 мОм при 8,2 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 8,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3993CDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si3993cdvt1ge3-datasheets-9330.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 14 недель | 19,986414мг | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Олово | неизвестный | е3 | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1,14 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 10 нс | 16 нс | 12 нс | 17 нс | -2,9 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,2 В | МО-193АА | 0,111 Ом | -30В | 2 P-канала (двойной) | 210пФ при 15В | -1,2 В | 111 мОм при 2,5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 2,9 А | 8 нк @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3585CDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si3585cdvt1ge3-datasheets-9435.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 1,1 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 19,986414мг | Нет СВХК | 195мОм | 6 | EAR99 | Олово | неизвестный | е3 | 1,3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 2 | 30 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 150°С | 3 нс | 10 нс | 7 нс | 13 нс | 2,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 1,4 Вт 1,3 Вт | МО-193АА | 3,9А | N и P-канал | 150пФ при 10В | 58 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,9 А 2,1 А | 4,8 нк при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-ntjd4158ct1g-datasheets-8583.pdf | 250 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 1,5 Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTJD4158C | 6 | Двойной | 40 | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | 15 нс | 6,5 нс | 3,5 нс | 13,5 нс | 880 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В 20В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | -20В | N и P-канал | 33пФ при 5В | 1,5 Ом @ 10 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 100 мкА | 250 мА 880 мА | 1,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD4102PT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-nthd4102pt1g-datasheets-9202.pdf | -20В | -7,3А | 8-СМД, плоский вывод | 3,1 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 64МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 8 часов назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | NTHD4102P | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 5,5 нс | 12нс | 12 нс | 32 нс | 4,1А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,5 В | -20В | 2 P-канала (двойной) | 750пФ при 16В | -1,5 В | 80 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,9 А | 8,6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC3601N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdc3601n-datasheets-9221.pdf | 100 В | 1А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 5 недель | 36мг | Нет СВХК | 500МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 960мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 960мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 8 нс | 4нс | 4 нс | 11 нс | 1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,6 В | 700мВт | 1А | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 153пФ при 50В | 500 мОм при 1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMCPB5530X,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-pmcpb5530x115-datasheets-9212.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 490мВт | 6 | 2 | Двойной | 2 | 4 нс | 15нс | 16 нс | 40 нс | 3,4А | -650мВ | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 0,034Ом | 20 В | N и P-канал | 660пФ при 10 В | 34 мОм при 3 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 4А Та 3,4А Та | 21,7 НК при 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ1922EEH-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-sq1922eeht1ge3-datasheets-9023.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | 6 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | 1,5 Вт | 2 | 175°С | Р-ПДСО-Г6 | 10 нс | 15 нс | 840 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,84 А | 0,6 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 350 мОм при 400 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 840 мА Тс | 1,2 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ30ХН,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-pmdpb30xn115-datasheets-9038.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 8 недель | 8 | Нет | 490мВт | 2 | Двойной | 6-ХУСОН-ЭП (2х2) | 660пФ | 40 нс | 15нс | 16 нс | 4 нс | 4А | 650 мВ | 20 В | 490мВт | 32мОм | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 10 В | 40 мОм при 3 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 4А | 21,7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 40 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6321C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fdc6321c-datasheets-9030.pdf | 680 мА | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 450мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 900мВт | 2 | Другие транзисторы | 3 нс | 9нс | 9 нс | 55 нс | 460 мА | 8В | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВ | 700мВт | 9 пФ | 25 В | N и P-канал | 50пФ при 10В | 800 мВ | 450 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 680 мА 460 мА | 2,3 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC62D0SVQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmc62d0svq7-datasheets-9009.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 16 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В 50В | 510мВт Та | Дополняющие N и P-каналы | 30пФ при 25В 26пФ при 25В | 1,7 Ом при 500 мА, 10 В, 6 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 571 мА Та 304 мА Та | 0,4 нк при 4,5 В, 0,3 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3135LVT-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmn3135lvt7-datasheets-9063.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 15 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 840мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 2 | 40 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 2,6 нс | 4,6 нс | 2,5 нс | 13,1 нс | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,3А | 0,047Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 305пФ при 15В | 60 мОм при 3,1 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 4,1 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6608 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | СК-74, СОТ-457 | 18 недель | 6-ЦОП | 30В 20В | 1,25 Вт Та | Дополняющие N и P-каналы | 235пФ при 15В 510пФ при 10В | 60 мОм при 3,4 А, 10 В, 75 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 1,5 В при 250 мкА, 1 В при 250 мкА | 3,4 А Та 3,3 А Та | 3 нк при 4,5 В, 10 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ58УПЕ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-pmdpb58upe115-datasheets-9106.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 8 недель | 6 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 515 МВт | 6 | 2 | 7 нс | 15нс | 14 нс | 41 нс | 3,6А | 8В | -20В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 14,4А | 2 P-канала (двойной) | 804пФ при 10 В | 67 мОм при 2 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 9,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8697R-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ech8697rtlw-datasheets-8979.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1,5 Вт | 2 | Двойной | 160 нс | 230 нс | 23,6 мкс | 19,7 мкс | 10А | 12,5 В | 24В | 24В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 11,6 мОм при 5 А, 4,5 В | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2019УТС-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmn2019uts13-datasheets-8805.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 16 недель | 157,991892мг | Нет СВХК | 18,5 мОм | 8 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 780мВт | ДМН2019 | 2 | Двойной | Полномочия общего назначения FET | 53 нс | 78нс | 234 нс | 562 нс | 5,4А | 12 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 143пФ при 10 В | 18,5 мОм при 7 А, 10 В | 950 мВ при 250 мкА | 8,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7810 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon7810-datasheets-2170.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8 | 3,1 Вт | 2 | 6А | 20 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 542пФ при 15В | 14 мОм при 6 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 12,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6305N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | 20 В | 2,7А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 80мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 960мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 900мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 150°С | 5 нс | 8,5 нс | 8,5 нс | 11 нс | 2,7А | 8В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900 мВ | 700мВт | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 310пФ при 10 В | 80 мОм при 2,7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UM6J1NTN | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-um6j1ntn-datasheets-8965.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 16 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *J1 | 6 | 10 | 2 | Другие транзисторы | 8 нс | 5нс | 40 нс | 30 нс | 200 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,2 А | 2 P-канала (двойной) | 30пФ при 10В | 1,4 Ом при 200 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3032LFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn3032lfdb7-datasheets-8864.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 23 недели | 1 Вт | U-DFN2020-6 (Тип Б) | 500пФ | 6,2А | 30 В | 1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 500пФ при 15В | 30 мОм при 5,8 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 6,2А | 10,6 НК при 10 В | Стандартный | 30 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ70XPE,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-pmdpb70xpe115-datasheets-8990.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 8 недель | 6 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 515 МВт | 6 | 2 | Двойной | 7 нс | 16 нс | 15 нс | 33 нс | 3А | -1В | -20В | 20 В | -20В | 2 P-канала (двойной) | 600пФ при 10В | 79 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ6968УДМ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmg6968udm7-datasheets-8999.pdf | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | Нет СВХК | 24мОм | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 850мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMG6968UDM | 6 | Двойной | 40 | 850мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 53 нс | 78нс | 234 нс | 562 нс | 6,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 143пФ при 10 В | 24 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 8,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N815R,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСVIII-H | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | 100 В | 1,8 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 290пФ при 15В | 103 мОм при 2 А, 10 В | 2,5 В при 100 мкА | 2А Та | 3,1 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 4 В |
