Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Выходное напряжение | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (макс.) | Техника управления | Конфигурация коммутатора | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Частота переключения-Макс. | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NX3020NAKV,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-nx3020nakv115-datasheets-7482.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 4 недели | 6 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 375 МВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 | Двойной | 2 | 5 нс | 5нс | 17 нс | 34 нс | 200 мА | 1,2 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 375 МВт | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 13пФ при 10В | 4,5 Ом при 100 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 0,44 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002DW-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-2n7002dwtp-datasheets-8042.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 10 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 0,2 Вт | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 200мВт | 0,115А | 13,5 Ом | 5 пФ | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 7,5 Ом при 50 мА, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 115 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМГД780СН,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-pmgd780sn115-datasheets-0957.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | Нет СВВК | 6 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 410мВт | 2 | 490 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 410мВт | 0,49 А | 0,92 Ом | 2 N-канала (двойной) | 23пФ при 30В | 920 мОм при 300 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 1,05 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7002ПС,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-2n7002ps125-datasheets-7999.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 4 недели | 1,6 Ом | 6 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | ДА | 420мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | Двойной | 320мВт | 2 | 3 нс | 4нс | 4 нс | 10 нс | 320 мА | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 420мВт | 60В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 1,6 Ом при 500 мА, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 0,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN62D0UDW-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn62d0udw7-datasheets-8038.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 16 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 320мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 350 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 320мВт | 0,35 А | 2Ом | 2 N-канала (двойной) | 32пФ при 30В | 2 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 0,5 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH4253DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfh4253dtrpbf-datasheets-7189.pdf | 8-PowerVDFN | 6 мм | 900 мкм | 5 мм | Без свинца | 14 недель | Нет СВВК | 8 | EAR99 | Нет | 50 Вт | Двойной | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 145А | 20 В | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 31 Вт 50 Вт | 35А | 2 N-канала (двойной) | 1314пФ при 13В | 3,2 мОм при 30 А, 10 В | 2,1 В при 35 мкА | 64А 145А | 15 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N44FE,ЛМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 600 мкм | 6 | 16 недель | 6 | Нет | СОН6-П-0,50 | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | ССМ6Н44 | 2 | Двойной | 150 мВт | 2 | 150°С | 50 нс | 200 нс | 100 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,1 А | 7Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 8,5 пФ при 3 В | 4 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmc3400sdw13-datasheets-7674.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | 6 | 15 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 310мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | 30 | 310мВт | 2 | 150°С | Р-ПДСО-Г6 | 450 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,65 А | 0,4 Ом | N и P-канал | 55пФ при 15В | 400 мОм при 590 мА, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 650 мА 450 мА | 1,4 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmn53d0ldw13-datasheets-5922.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 16 недель | 6,010099мг | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 310мВт | 260 | 2 | Двойной | 30 | 2,7 нс | 2,5 нс | 11 нс | 19 нс | 360 мА | 20 В | 50В | 50В | 2 N-канала (двойной) | 46пФ при 25В | 1,6 Ом при 500 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 0,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФК6946010Р | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-fc6946010r-datasheets-7847.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 500 мкм | 1,2 мм | 6 | 10 недель | Нет СВВК | 6 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | 125 МВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ФК694601 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 125 МВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 100 нс | 100 нс | 100 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 0,1 А | 15Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 12пФ @ 3В | 1,2 В | 12 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 1 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002DWQ-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-2n7002dwq7f-datasheets-7748.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | 6 | 16 недель | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | е3 | АЭК-Q101 | 310мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | 40 | 310мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | Р-ПДСО-Г6 | 7 нс | 11 нс | 230 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5 пФ | 70В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 7,5 Ом при 50 мА, 5 В | 2 В @ 250 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC2700UDM-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmc2700udm7-datasheets-7650.pdf | СОТ-23-6 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 17 недель | Нет СВВК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,12 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMC2700UDM | 6 | 40 | 1,12 Вт | 2 | Другие транзисторы | 5,1 нс | 28,4 нс | 1,14А | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,34А | 0,4 Ом | 20 В | N и P-канал | 60,67 пФ при 16 В | 400 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,34 А 1,14 А | 0,74 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВТ6М1Т2CR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/rohmsemiconductor-vt6m1t2cr-datasheets-7492.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | 16 недель | EAR99 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 120 мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | 6 | 10 | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 100 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 120 мВт | 0,1 А | 4,2 Ом | N и P-канал | 7,1 пФ при 10 В | 3,5 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | Ворота логического уровня, привод 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMHC3A01T8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmhc3a01t8ta-datasheets-7162.pdf | 3,1А | 8-СМД, Крыло Чайки | 6,7 мм | 1,6 мм | 3,7 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | Нет СВВК | 210мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | ZXMHC3A01T8 | 8 | 30 | 1,7 Вт | 4 | 2,3 нс | 2,3 нс | 12,1 нс | 3,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 2,7А | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 190пФ при 25В | 120 мОм при 2,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,7 А 2 А | 3,9 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD86350Q5D | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerLDFN | 5 мм | 1,5 мм | 6 мм | Содержит свинец | 9 | 6 недель | Нет СВВК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 1,5 мм | EAR99 | Золото, Олово | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 13 Вт | 260 | 1,27 мм | CSD86350 | 9 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | Двойной | 13 Вт | 40 мА | 1,3 В | 9 нс | 23нс | 21 нс | 24 нс | 40А | 8В | 25 В | 1,4 В | 12 В | 22В | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | БАК | 1500 кГц | 25 В | 2 Н-канала (полумост) | 1870пФ при 12,5 В | 1,3 В | 6 м Ом при 20 А, 8 В | 2,1 В @ 250 мкА | 10,7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН65Д8ЛДВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmn65d8ldw7-datasheets-7571.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1,1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 6,010099мг | Нет СВВК | 6Ом | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН65Д8ЛДВ | 6 | 40 | 300мВт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 150°С | 3,3 нс | 3,2 нс | 6,3 нс | 12 нс | 180 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,15 А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 22пФ при 25В | 6 Ом при 115 мА, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 0,87 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н37ФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 20 В | 300мВт | 2 N-канала (двойной) | 12пФ @ 10В | 2,2 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 250 мА Та | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н7002КФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002kfulf-datasheets-7489.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 12 недель | да | АЭК-Q101 | 285мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 300 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 285мВт | 0,3 А | 1,75 Ом | 2 N-канала (двойной) | 40пФ при 10В | 1,5 Ом при 100 мА, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 0,6 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmn3190ldw7-datasheets-3156.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 6 | 15 недель | 6 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 320мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 2 | 4,5 нс | 8,9 нс | 15,6 нс | 30,3 нс | 1А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1А | 0,19 Ом | 2 N-канала (двойной) | 87пФ при 20 В | 190 мОм при 1,3 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС138БКС,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/nexperiausainc-bss138bksh-datasheets-0821.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 445 МВт | 0,32 А | 2 N-канала (двойной) | 56пФ при 10В | 1,6 Ом при 320 мА, 10 В | 1,6 В при 250 мкА | 320 мА | 0,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKDM8005 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkdm8005trpbfree-datasheets-6362.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | 0,35 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350мВт | 0,65 А | 2 P-канала (двойной) | 100пФ при 16В | 360 мОм при 350 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 650 мА | 1,2 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н15АФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 12 недель | неизвестный | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 300мВт | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 100 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,1 А | 6Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 13,5 пФ при 3 В | 3,6 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС84АКВ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nexperiausainc-bss84akv115-datasheets-7928.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | ДА | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 6 | 330мВт | 2 | 13 нс | 11нс | 25 нс | 48 нс | 170 мА | 20 В | -50В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,17 А | 8,5 Ом | -50В | 2 P-канала (двойной) | 36пФ при 25В | 7,5 Ом при 100 мА, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 0,35 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВТ6К1Т2CR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-vt6k1t2cr-datasheets-7529.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | 16 недель | 6 | EAR99 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 120 мВт | 260 | 6 | 2 | 10 | 2 | 5 нс | 4нс | 38 нс | 20 нс | 100 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,1 А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 7,1 пФ при 10 В | 3,5 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | Ворота логического уровня, привод 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX3008CBKS,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-nx3008cbks115-datasheets-7695.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | НИЗКИЙ ПОРОГ | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 445 МВт | 0,35 А | N и P-канал | 50пФ при 15В | 1,4 Ом при 350 мА, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 350 мА 200 мА | 0,68 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX3008NBKS,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-nx3008nbksh-datasheets-0814.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | 6 | 4 недели | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 | 445 МВт | 2 | 150°С | 150°С | Р-ПДСО-Г6 | 15 нс | 69 нс | 350 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,35 А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 15В | 1,4 Ом при 350 мА, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 0,68 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7540ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si7540adpt1ge3-datasheets-7127.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | 14 недель | EAR99 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,5 Вт | 8А | 35А | 0,015 Ом | N и P-канал | 1310пФ при 10 В | 28 мОм при 12 А, 10 В | 1,4 В при 250 мкА | 12А 9А | 48 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСМ120Д12П2К005 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-bsm120d12p2c005-datasheets-7460.pdf | Модуль | 122 мм | 21,1 мм | 45,6 мм | 8 | 25 недель | Неизвестный | 10 | не_совместимо | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полномочия общего назначения FET | Р-XUFM-X8 | 120А | 22В | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,7 В | 240А | 2 Н-канала (полумост) | 14000пФ при 10В | 2,7 В | 2,7 В @ 22 мА | 120А Ц | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLA5064 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-sla5064-datasheets-7477.pdf | 12-СИП | 12 | 12 недель | да | EAR99 | неизвестный | 8541.29.00.95 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 6 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т12 | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5 Вт | 10А | 15А | 0,14 Ом | 3 Н и 3 П-канала (3-фазный мост) | 460пФ при 10 В | 140 мОм при 5 А, 4 В | 10А | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-nvjd5121nt1g-datasheets-9702.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | Нет СВВК | 1,6 Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Олово | Нет | е3 | ДА | 266мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | NTJD5121N | 6 | Двойной | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 22 нс | 34 нс | 32 нс | 34 нс | 295мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 В | 250мВт | 60В | 2 N-канала (двойной) | 26пФ при 20В | 1,7 В | 1,6 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 0,9 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня |
