Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Минимальное напряжение проба | Максимальный сток (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Рассеиваемая мощность, окружающая среда-Макс. | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDG6301N-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdg6301nf085-datasheets-8717.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | 6 | 42 недели | 28мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 150°С | 5 нс | 4,5 нс | 3,2 нс | 4 нс | 220 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 850 мВ | 4Ом | 25 В | 2 N-канала (двойной) | 9,5 пФ при 10 В | 4 Ом при 220 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 0,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1553cdlt1ge3-datasheets-8652.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 0,34 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 340мВт | 0,7 А | 0,39 Ом | N и P-канал | 38пФ при 10В | 0,29 Вт | 390 мОм при 700 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 700 мА 500 мА | 1,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2005ДЛП4К-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmn2005dlp4k7-datasheets-8658.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | 1,3 мм | 350 мкм | 1 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 400мВт | НИЖНИЙ | 260 | ДМН2005ДЛП4К | 6 | Двойной | 40 | 400мВт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 300 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,5 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1,5 Ом при 10 мА, 4 В | 900 мВ при 100 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4630 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8-СО | 30 В | 2 Вт | Дополняющие N и P-каналы | 670пФ при 15 В | 28 мОм при 7 А, 10 В | 1,45 В @ 250 мкА | 5А 7А | 20 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН601ДМК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dmn601dmk7-datasheets-8928.pdf | 60В | 305 мА | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | НИЗКАЯ ЕМКОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 700мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН601ДМК | 6 | Двойной | 40 | 980 МВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 3,9 нс | 3,4 нс | 9,9 нс | 15,7 нс | 510 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,305А | 4Ом | 5 пФ | 60В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 2,4 Ом при 200 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 304 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UM6J1NTN | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-um6j1ntn-datasheets-8965.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 16 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *J1 | 6 | 10 | 2 | Другие транзисторы | 8 нс | 5нс | 40 нс | 30 нс | 200 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,2 А | 2 P-канала (двойной) | 30пФ при 10В | 1,4 Ом при 200 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3032LFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn3032lfdb7-datasheets-8864.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 23 недели | 1 Вт | U-DFN2020-6 (Тип Б) | 500пФ | 6,2А | 30 В | 1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 500пФ при 15В | 30 мОм при 5,8 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 6,2А | 10,6 НК при 10 В | Стандартный | 30 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ70XPE,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-pmdpb70xpe115-datasheets-8990.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 8 недель | 6 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 515 МВт | 6 | 2 | Двойной | 7 нс | 16 нс | 15 нс | 33 нс | 3А | -1В | -20В | 20 В | -20В | 2 P-канала (двойной) | 600пФ при 10В | 79 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ6968УДМ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmg6968udm7-datasheets-8999.pdf | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | Нет СВХК | 24мОм | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 850мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMG6968UDM | 6 | Двойной | 40 | 850мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 53 нс | 78нс | 234 нс | 562 нс | 6,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 143пФ при 10 В | 24 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 8,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N815R,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСVIII-H | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | 100 В | 1,8 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 290пФ при 15В | 103 мОм при 2 А, 10 В | 2,5 В при 100 мкА | 2А Та | 3,1 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП1046УФДБ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmp1046ufdb7-datasheets-8579.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 15 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,4 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | 3,8А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | 0,061 Ом | 2 P-канала (двойной) | 915пФ при 6В | 61 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 17,9 НК при 8 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6303N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-fdc6303n-datasheets-8572.pdf | 25 В | 680 мА | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 450мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 900мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 150°С | 3 нс | 8,5 нс | 13 нс | 17 нс | 680 мА | 8В | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВ | 700мВт | 25 В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 800 мВ | 450 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN1029UFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn1029ufdb7-datasheets-8654.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 15 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,4 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | 5,6А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | 0,029 Ом | 2 N-канала (двойной) | 914пФ при 6В | 29 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 19,6 НК при 8 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC2990UDJ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/diodesincorporated-dmc2990udj7-datasheets-8285.pdf | СОТ-963 | 1,05 мм | 450 мкм | 850 мкм | Без свинца | 6 | 16 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | ДМС2990 | 2 | 2 | 5,8 нс | 5,7 нс | 16,4 нс | 31,1 нс | 310 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,31 А | 0,99 Ом | 20 В | N и P-канал | 27,6 пФ при 15 В | 990 мОм при 100 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 450 мА 310 мА | 0,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC2038LVTQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmc2038lvt7-datasheets-3225.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 14 недель | Нет СВХК | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВт Та | 3,7А | 0,035 Ом | 100 пФ | Дополняющие N и P-каналы | 530 пФ при 10 В 705 пФ при 10 В | 35 мОм при 4 А, 4,5 В, 74 м Ом при 3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,7 А Та 2,6 А Та | 5,7 нк при 4,5 В, 10 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6320С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdg6320c-datasheets-8663.pdf | 220 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 4Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 5 нс | 8нс | 8 нс | 9 нс | 220 мА | 8В | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 850 мВ | 25 В | N и P-канал | 9,5 пФ при 10 В | 4 Ом при 220 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 220 мА 140 мА | 0,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2004ВК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmp2004vk7-datasheets-8508.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 900мОм | 6 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР, НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 400мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | ДМП2004ВК | 6 | Двойной | 40 | 400мВт | 2 | Другие транзисторы | 530 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,53 А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 175пФ при 16В | 900 мОм при 430 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДЦ7003П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ndc7003p-datasheets-8727.pdf | -50В | -220 мА | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 23 недели | 36мг | Нет СВХК | 5Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 960мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 960мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 3,2 нс | 10 нс | 10 нс | 8 нс | -340 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 700мВт | 60В | 0,34 А | -60В | 2 P-канала (двойной) | 66пФ при 25В | -1,9 В | 5 Ом при 340 мА, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 340 мА | 2,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2004ДМК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmn2004dmk7-datasheets-8756.pdf | 20 В | 540 мА | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 225 МВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН2004ДМК | 6 | Двойной | 40 | 225 МВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 540 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 0,55 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ1024УВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-dmg1024uv7-datasheets-8456.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 10Ом | 6 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 530мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | DMG1024UV | 6 | Двойной | 40 | 530мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 5,1 нс | 7,4 нс | 12,3 нс | 26,7 нс | 1,38А | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,39А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 60,67 пФ при 16 В | 450 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 0,74 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1967DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si1967dht1e3-datasheets-1153.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 490МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1967 | 6 | Двойной | 30 | 740мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 2 нс | 27нс | 10 нс | 12 нс | -1А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 1А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 110пФ при 10В | 490 мОм при 910 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,3А | 4нК@8В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1926DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si1926dlt1ge3-datasheets-1035.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Нет СВХК | 1,4 Ом | 6 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 510мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1926 | 6 | Двойной | 40 | 300мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 6,5 нс | 12нс | 12 нс | 13 нс | 370 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 0,34 А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 18,5 пФ при 30 В | 1,4 Ом при 340 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 1,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСД235НХ6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsd235nh6327xtsa1-datasheets-8196.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСД235 | 500мВт | 2 | 150°С | 3,8 нс | 3,6 нс | 4,5 нс | 950 мА | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВ | 0,95 А | 0,35 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 63пФ при 10 В | 350 мОм при 950 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 1,6 мкА | 0,32 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDY4000CZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdy4000cz-datasheets-8562.pdf | 600В | 600 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 500 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 32мг | Нет СВХК | 700МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ЭСР ЗАЩИТА | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | ПЛОСКИЙ | Двойной | 625 МВт | 2 | Другие транзисторы | 13нс | 13 нс | 8 нс | 600 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600мВ | 446мВт | -20В | N и P-канал | 60пФ при 10В | 700 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 600 мА 350 мА | 1,1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmc31d5udj7b-datasheets-1124.pdf | СОТ-963 | 22,2 пФ | 16 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 350 мВт | 260 | 2 | 30 | 3,5 нс | 5,2 нс | 8,7 нс | 18,8 нс | 200 мА | 12 В | 30 В | N и P-канал | 22,6 пФ при 15 В | 1,5 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 220 мА 200 мА | 0,38 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6316П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fdg6316p-datasheets-8484.pdf | -12В | -700мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 270МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 5 нс | 13нс | 13 нс | 8 нс | -700мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -600мВ | 0,7 А | -12В | 2 P-канала (двойной) | 146пФ при 6В | 270 мОм при 700 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 700 мА | 2,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG6317NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 20 В | 700 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 560МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 150°С | 5,5 нс | 7нс | 2,5 нс | 7,5 нс | 700 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 0,7 А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 66,5 пФ при 10 В | 400 мОм при 700 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMCXB900UEZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-pmcxb900uez-datasheets-8216.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | 6 | 4 недели | 6 | Нет | ДА | 265мВт | ДВОЙНОЙ | 6 | 2 | 500 мА | 8В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | Дополняющие N и P-каналы | 21,3 пФ при 10 В | 620 мОм при 600 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 600 мА 500 мА | 0,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ1023УВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmg1023uv7-datasheets-8380.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 750мОм | 6 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 530мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | DMG1023UV | 6 | Двойной | 530мВт | 2 | Другие транзисторы | 5,1 нс | 8,1 нс | 20,7 нс | 28,4 нс | 1,03А | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | -20В | 2 P-канала (двойной) | 59,76 пФ при 16 В | 750 мОм при 430 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 0,62 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДТ290УСЕ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pmdt290uce115-datasheets-8183.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 6 | Двойной | 330мВт | 2 | 30 нс | 72 нс | 550 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,8 А | 0,38 Ом | -20В | N и P-канал | 83пФ при 10 В | 380 мОм при 500 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 800 мА 550 мА | 0,68 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня |
