Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СИЗ300ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-siz300dtt1ge3-datasheets-4806.pdf | 8-PowerWDFN | 3 мм | 750 мкм | 3 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 31 Вт | 260 | СИЗ300 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 80нс | 40 нс | 28А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 16,7 Вт 31 Вт | 11А | 30А | 7 мДж | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 400пФ при 15В | 24 мОм при 9,8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 11А 28А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4340CDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4340cdyt1e3-datasheets-4887.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 186,993455мг | 14 | 5,4 Вт | СИ4340 | 2 | 14-СОИК | 1,3 нФ | 22 нс | 10 нс | 10 нс | 32 нс | 11,5А | 16 В | 20 В | 3 Вт 5,4 Вт | 9,4 мОм | 2 N-канала (двойной) | 1300пФ при 10В | 9,4 мОм при 11,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14,1А 20А | 32 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 9,4 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMC3A16DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-zxmc3a16dn8tc-datasheets-5510.pdf | 30 В | 6,4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 48мОм | 8 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 2,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3 нс | 6,4 нс | 9,4 нс | 21,6 нс | 6,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 1,25 Вт | 4,9А | 30 В | N и P-канал | 796пФ при 25 В | 35 мОм при 9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 4,9 А 4,1 А | 17,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si5902bdct1e3-datasheets-1153.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 1,1 мм | Без свинца | 14 недель | 84,99187мг | Нет СВХК | 65мОм | 8 | Нет | 3,12 Вт | СИ5902 | 2 | Двойной | 1,5 Вт | 2 | 150°С | 1206-8 ЧипFET™ | 220пФ | 4 нс | 10 нс | 3,7А | 20 В | 30 В | 1,5 В | 3,12 Вт | 53мОм | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 220пФ при 15В | 1,5 В | 65 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4А | 7 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | 65 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ704ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-siz704dtt1ge3-datasheets-4818.pdf | 6-PowerPair™ | 6 мм | 750 мкм | 3,73 мм | 6 | 14 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 30 Вт | 260 | СИЗ704 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 15 нс | 12нс | 10 нс | 13 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 Вт 30 Вт | 9,4А | 30А | 5 мДж | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 435пФ при 15В | 24 мОм при 7,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12А 16А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4900DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4900dyt1e3-datasheets-5430.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4900 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 15 нс | 65нс | 10 нс | 15 нс | 5,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 3,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 665пФ при 15В | 58 мОм при 4,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMC4559DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-zxmc4559dn8tc-datasheets-1836.pdf | 4,7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 105мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3,5 нс | 4,1 нс | 10 нс | 35 нс | 4,7А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 1,25 Вт | 3,6А | 60В | N и P-канал | 1063пФ при 30 В | 1 В | 55 мОм при 4,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 3,6 А 2,6 А | 20,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТХ4007СПДК-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmth4007spdq13-datasheets-4851.pdf | 8-PowerTDFN | 23 недели | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,6 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 14,2А | 40В | 2,6 Вт | 2 N-канала (двойной) | 2026пФ при 30 В | 8,6 мОм при 17 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 41,9 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJB40EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqjb40ept1ge3-datasheets-4689.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 14 недель | PowerPAK® SO-8 двойной | 40В | 34 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1900пФ при 25В | 8мОм при 8А, 10В | 2,5 В @ 250 мкА | 30А Ц | 35 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К8Р7-40ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk9k8r740ex-datasheets-4725.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | Без свинца | 6 | 12 недель | 8 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 53 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | Двойной | 53 Вт | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 10,8 нс | 19,8 нс | 18,2 нс | 20,5 нс | 30А | 15 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0094Ом | 40В | 2 N-канала (двойной) | 2110пФ при 25 В | 8 м Ом при 10 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 15,7 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87501LT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 10-XFLGA | 3,37 мм | 1,47 мм | Без свинца | 10 | 6 недель | Нет СВХК | 10 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 200 мкм | 2,5 Вт | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD87501 | НЕ УКАЗАН | 2 | 164 нс | 260 нс | 712 нс | 709 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 В | 6,6 мОм | 198 пФ | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 2,3 В @ 250 мкА | 40 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8K13TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohmsemiconductor-qs8k13tcr-datasheets-4730.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 20 недель | да | EAR99 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 550 мВт | 260 | 8 | 10 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф8 | 6А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 550 мВт | 6А | 18А | 0,039 Ом | 2 N-канала (двойной) | 390пФ при 10В | 28 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 20 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ940EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sqj940ept1ge3-datasheets-4787.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 4 | 12 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | PowerPAK SO-8L двойной асимметричный | 43 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 2 | Р-ПССО-Г4 | 7,7 нс | 9,5 нс | 13,5 нс | 47 нс | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 48 Вт 43 Вт | 15А | 60А | 0,016Ом | 2 N-канала (двойной) | 896пФ при 20 В | 16 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та 18А Ц | 20 НК при 20 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К5Р6-30ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-buk9k5r630ex-datasheets-4814.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 4 | 64 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 40А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 64 Вт | 305А | 0,0058Ом | 169 мДж | 2 N-канала (двойной) | 2480пФ при 25В | 5,8 мОм при 10 А, 5 В | 2,1 В при 1 мА | 22,6 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJB60EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sqjb60ept1ge3-datasheets-4698.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4 | 14 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | неизвестный | ДА | 48 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г4 | 30А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 84А | 0,012 Ом | 2 N-канала (двойной) | 1600пФ при 25В | 12 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 30А Ц | 30 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN2029USD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmn2029usd13-datasheets-8935.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | 8 | 23 недели | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 2 | 16,5 нс | 33,3 нс | 53,5 нс | 119,3 нс | 5,8А | 8В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,025 Ом | 2 N-канала (двойной) | 1171пФ при 10 В | 25 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 18,6 НК при 8 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD4508NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-nthd4508nt1g-datasheets-9437.pdf | 20 В | 3,1А | 8-СМД, плоский вывод | 3,1 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | NTHD4508N | 8 | Двойной | 40 | 1,13 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 5 нс | 15нс | 15 нс | 10 нс | 4,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 10А | 0,075 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 180пФ при 10В | 75 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3А | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2035УТС-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-dmp2035uts13-datasheets-9502.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 15 недель | 157,991892мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 890мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМП2035УТС | 8 | 40 | 890мВт | 2 | Другие транзисторы | 16,8 нс | 12,4 нс | 42,4 нс | 94,1 нс | 6.04А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,045 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) с общим стоком | 1610пФ при 10 В | 35 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 15,4 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-bsl215ch6327xtsa1-datasheets-4311.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 1,1 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | 500мВт | 2 | 1,5 А | 12 В | -20В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -900мкВ | 0,14 Ом | 9 пФ | Дополняющие N и P-каналы | 143пФ при 10 В | 140 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,2 В @ 3,7 мкА | 0,73 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6310P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fdc6310p-datasheets-9460.pdf | -20В | -2,2 А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 125МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 960мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 960мВт | 2 | Другие транзисторы | 9 нс | 12нс | 12 нс | 10 нс | 2,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 700мВт | -20В | 2 P-канала (двойной) | 337пФ при 10 В | 125 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS6M3TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 1,5 А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 25 недель | Нет СВХК | 360МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е1 | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *М3 | 6 | Двойной | 10 | 1,25 Вт | 2 | Другие транзисторы | 12нс | 12 нс | 45 нс | 1,5 А | 12 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В 20В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | -20В | N и P-канал | 80пФ при 10В | 1,5 В | 230 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 1,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2016УТС-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmn2016uts13-datasheets-9473.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,5 мм | 1025 мм | 3,1 мм | Без свинца | 8 | 16 недель | 157,991892мг | Нет СВХК | 14,5 мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 880мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | ДМН2016У | 8 | Двойной | 880мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10,39 нс | 11,66 нс | 16,27 нс | 59,38 нс | 8,58А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1495пФ при 10В | 14,5 мОм при 9,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 16,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8693R-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ech8693rtlw-datasheets-9482.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 17 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е6 | 1,4 Вт | 8 | 2 | 2 | 545 нс | 525 нс | 22,2 мкс | 18,65 мкс | 14А | 12,5 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 24В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60А | 0,0091Ом | 24В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 7 мОм при 5 А, 4,5 В | 13 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC3016LSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmc3016lsd13-datasheets-9403.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 23 недели | 73,992255мг | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | 30 | 2 | 9,7 нс | 17,1 нс | 40,4 нс | 60,5 нс | 6,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,016Ом | 30 В | N и P-канал | 1415пФ при 15В | 16 мОм при 12 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 8,2А 6,2А | 25,1 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6320C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-fdc6320c-datasheets-9317.pdf | 220 мА | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 4Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 700мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 900мВт | 2 | Другие транзисторы | 6нс | 6 нс | 7,4 нс | 220 мА | 8В | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 850 мВ | 25 В | N и P-канал | 9,5 пФ при 10 В | 850 мВ | 4 Ом при 400 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 220 мА 120 мА | 0,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC1030UFDBQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmc1030ufdbq7-datasheets-9390.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 15 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,36 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2 | С-ПДСО-Н6 | 5,1А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,36 Вт | 0,034Ом | Дополняющие N и P-каналы | 1003пФ при 6В | 34 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 23,1 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC3032LSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-dmc3032lsd13-datasheets-9196.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 15 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 2 | Другие транзисторы | 10,1 нс | 6,5 нс | 22,2 нс | 50,1 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -30В | N и P-канал | 404,5 пФ при 15 В | 32 мОм при 7 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 8,1А 7А | 9,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN6070SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmn6070ssd13-datasheets-9350.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | 8 | 23 недели | 73,992255мг | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | Двойной | 30 | 1,5 Вт | 2 | 3,5 нс | 4,1 нс | 11 нс | 35 нс | 3,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 Вт | 5,9 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 588пФ при 30 В | 80 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12,3 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2215УДМ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-dmn2215udm7-datasheets-9276.pdf | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 19 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | е3 | 650мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН2215УДМ | 6 | Двойной | 40 | 650мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 8 нс | 3,8 нс | 3,8 нс | 19,6 нс | 2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 0,1 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 188пФ при 10В | 100 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA931DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sia931djt1ge3-datasheets-9285.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 800 мкм | 14 недель | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | C-07431-ДВОЙНОЙ | 7,8 Вт | 2 | Двойной | 1,9 Вт | 150°С | 8 нс | 18нс | 5 нс | 20 нс | -4,3А | 20 В | 30 В | -30В | 2 P-канала (двойной) | 445пФ при 15В | 65 мОм при 3 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 4,5 А | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
