Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Расстояние между строками | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7319TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7319trpbf-datasheets-5882.pdf | 6,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 29мОм | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7319PBF | 2 Вт | 2 | 13нс | 32 нс | 34 нс | 6,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | 1В | 30А | 30 В | N и P-канал | 650пФ при 25В | 1 В | 29 мОм при 5,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 33 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ974EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj974ept1ge3-datasheets-6081.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | PowerPAK® SO-8 двойной | 100 В | 48 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1050пФ при 25В | 25,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 30А Ц | 30 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA76413DK8T | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УльтраФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-hufa76413dk8t-datasheets-6084.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 Вт | 5,1А | 0,049 Ом | 260 мДж | 2 N-канала (двойной) | 620пФ при 25В | 49 мОм при 5,1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5,1А | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM250N02DCQ РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm250n02dcqrfg-datasheets-6056.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 6 | 18 недель | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | 2 | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 620мВт | 5,8А | 0,025 Ом | 50 пФ | 2 N-канала (двойной) | 775пФ при 10 В | 25 мОм при 4 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 5,8 А Тс | 7,7 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD5838NLR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntmd5838nlr2g-datasheets-5840.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 52 недели | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | Двойной | 2,1 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 11 нс | 23нс | 4 нс | 17 нс | 7,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 В | 35А | 40В | 2 N-канала (двойной) | 785пФ при 20 В | 25 мОм при 7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7316TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7316trpbf-datasheets-5874.pdf | -30В | -4,9А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,75 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 58мОм | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7316PBF | 2 | Двойной | 2 Вт | 2 | 150°С | 13 нс | 13нс | 32 нс | 34 нс | -4,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 66 нс | 30А | 140 мДж | -30В | 2 P-канала (двойной) | 710пФ при 25 В | -1 В | 58 мОм при 4,9 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4,9А | 34 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7997DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7997dpt1ge3-datasheets-5919.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 1,12 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 5,5 мОм | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 46 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7997 | 8 | Двойной | 40 | 3,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 150°С | Р-XDSO-C5 | 15 нс | 40 нс | 115 нс | -20,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -2,2 В | 60А | 100А | 45 мДж | -30В | 2 P-канала (двойной) | 6200пФ при 15В | 5,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 60А | 160 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMA5131 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/sanken-sma5131-datasheets-5922.pdf | 12-СИП | Без свинца | 12 | 12 недель | да | EAR99 | неизвестный | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 6 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т12 | 2А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 В | 250 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 1,8 Ом | 3 Н и 3 П-канала (3-фазный мост) | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7328TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7328trpbf-datasheets-5865.pdf | -30В | -8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,75 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 21МОм | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7328PBF | 2 | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 13 нс | 15нс | 98 нс | 198 нс | -8А | 20 В | -30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | -1В | 56 нс | 8А | -30В | 2 P-канала (двойной) | 2675пФ при 25 В | -2,5 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А | 78 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9936DY | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-si9936dy-datasheets-5721.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900мВт | 5А | 40А | 0,05 Ом | 2 N-канала (двойной) | 525пФ при 15В | 50 мОм при 5 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 5А | 35 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ960EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sqj960ept1ge3-datasheets-5136.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 12 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 40мОм | 8 | Нет | 34 Вт | 2 | Двойной | 34 Вт | 1 | PowerPAK® SO-8 двойной | 735пФ | 6 нс | 8нс | 7 нс | 19 нс | 8А | 20 В | 60В | 2В | 34 Вт | 30мОм | 2 N-канала (двойной) | 735пФ при 25В | 36 мОм при 5,3 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 36 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4805 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | 2 Вт | 9А | 30 В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 2600пФ при 15В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 39 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4882 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,75 мм | Без свинца | 18 недель | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 150°С | 4 нс | 15 нс | 8А | 20 В | 40В | 40В | 2 N-канала (двойной) | 415пФ при 20 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS4559 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fds4559-datasheets-5774.pdf | 4,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 8 недель | 187 мг | Нет СВХК | 55МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 175°С | 10 нс | 12 нс | 19 нс | 4,5 А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,2 В | 1 Вт | 90 мДж | 60В | N и P-канал | 650пФ при 25В | 2,2 В | 55 мОм при 4,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4,5 А 3,5 А | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C650NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c650nlwft1g-datasheets-5813.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 3,5 Вт Та 125 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 2546пФ при 25 В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В при 98 мкА | 21А Та 111А Ц | 16 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8601M-TL-H | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-ech8601mtlh-datasheets-5830.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8-ЭКХ | 24В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 23 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 8А Та | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5К446НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c446nlwft1g-datasheets-5767.pdf | 8-PowerTDFN | 1,1 мм | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 175°С | 14,8 нс | 34,9 нс | 20 В | 3,5 Вт Та | 40В | 2 N-канала (двойной) | 3170пФ при 25 В | 2,65 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В при 90 мкА | 25А Та 145А Ц | 25 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC4040SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmc4040ssd13-datasheets-5835.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | АЭК-Q101 | 1,8 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMC4040 | 8 | 40 | 2,14 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6,9 нс | 14,7 нс | 30,9 нс | 53,7 нс | 7,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5,7А | 0,04 Ом | -40В | N и P-канал | 1790пФ при 20В | 25 мОм при 3 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 6,8А | 37,6 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9926CDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si9926cdyt1e3-datasheets-1229.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 18мОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 3,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ9926 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 150°С | 15 нс | 12нс | 10 нс | 35 нс | 8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 8А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1200пФ при 10В | 18 мОм при 8,3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 33 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6968BEDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si6968bedqt1e3-datasheets-5597.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1,2 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 157,991892мг | 22МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6968 | 8 | Двойной | 30 | 1 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 150°С | 245 нс | 330 нс | 330 нс | 860 нс | 5,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 22 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,6 В при 250 мкА | 18 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-ipg20n04s4l07atma1-datasheets-5559.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 8 | 12 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 65 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 9 нс | 4нс | 25 нс | 50 нс | 20А | 16 В | 40В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 65 Вт | 0,0072Ом | 230 мДж | 2 N-канала (двойной) | 3980пФ при 25В | 7,2 мОм при 17 А, 10 В | 2,2 В @ 30 мкА | 50 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ6602СВТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmg6602svt7-datasheets-5649.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9 мм | 1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 95мОм | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 840мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМГ6602 | 6 | 40 | 840мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 3 нс | 5нс | 3 нс | 13 нс | 2,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,4А | 13А | 30 В | N и P-канал | 400пФ при 15В | 60 мОм при 3,1 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 3,4 А 2,8 А | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLA5075 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-sla5075-datasheets-5663.pdf | 15-SIP Открытая вкладка, сформированные выводы | 15 | 12 недель | да | 8541.29.00.95 | 5 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 15 | НЕ УКАЗАН | 6 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т15 | 5А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5 Вт | 5А | 10А | 45 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 770пФ при 10 В | 1,4 Ом при 2,5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4840 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Нет | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 6А | 20 В | 40В | 2 N-канала (двойной) | 650пФ при 20В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 10,8 нк при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG8842CZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-fdg8842cz-datasheets-5670.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 400МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 360мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 16 нс | 16 нс | 35 нс | 750 мА | -8В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,75 А | 25 В | N и P-канал | 120пФ при 10В | 1 В | 400 мОм при 750 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 750 мА 410 мА | 1,44 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7501TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-irf7501trpbf-datasheets-5385.pdf | 20 В | 2,4А | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 860 мкм | 3 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 135 мОм | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7501PBF | Двойной | 1,25 Вт | 2 | 5,7 нс | 24 нс | 16 нс | 15 нс | 2,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВ | 19А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 260пФ при 15В | 700 мВ | 135 мОм при 1,7 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7301TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7301trpbf-datasheets-5527.pdf | 20 В | 5,2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 50мОм | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7301PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | 9 нс | 42нс | 51 нс | 32 нс | 5,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | 700мВ | 44 нс | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 15 В | 700 мВ | 50 мОм при 2,6 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7343QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirf7343qtr-datasheets-5535.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 26 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 4,7А | 0,05 Ом | 55В | N и P-канал | 740пФ при 25В | 1 В | 50 мОм при 4,7 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4,7 А 3,4 А | 36 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6982S | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-fds6982s-datasheets-5557.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900мВт | 6,3А | 20А | 0,028 Ом | 2 N-канала (двойной) | 2040пФ при 10В | 28 мОм при 6,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6,3 А 8,6 А | 12 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7907TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-irf7907trpbf-datasheets-5590.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7907PBF | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15 мДж | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 850пФ при 15 В | 16,4 мОм при 9,1 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 9,1А 11А | 10 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня |
