Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АПТМ120А15ФГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm120a15fg-datasheets-9513.pdf | СП6 | 7 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 1,25 кВт | 2 | Р-XUFM-X7 | 20 нс | 15нс | 45 нс | 160 нс | 60А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 0,175 Ом | 3000 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 20600пФ при 25В | 175 мОм при 30 А, 10 В | 5 В @ 10 мА | 748 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||
| APTM50HM35FG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50hm35fg-datasheets-9515.pdf | СП6 | 12 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 781 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 781 Вт | 4 | Р-XUFM-X12 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 99А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,039 Ом | 3000 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 14000пФ при 25В | 39 мОм при 49,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 280 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||
| АПТМ50АМ17ФГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50am17fg-datasheets-9517.pdf | СП6 | Без свинца | 7 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 1,25 кВт | 2 | Р-XUFM-X7 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 180А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 0,017Ом | 3000 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 28000пФ при 25В | 20 мОм при 90 А, 10 В | 5 В @ 10 мА | 560 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||
| APTMC60TLM55CT3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/microsemicorporation-aptmc60tlm55ct3ag-datasheets-9519.pdf | SP3 | Без свинца | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | EAR99 | 250 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 12 нс | 14 нс | 18 нс | 23 нс | 55А | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 N-канала (трехуровневый инвертор) | 1900пФ при 1000В | 49 мОм при 40 А, 20 В | 2,2 В @ 2 мА (тип.) | 48А ТЦ | 98 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||
| APTMC60TL11CT3AG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptmc60tl11ct3ag-datasheets-9520.pdf | SP3 | Без свинца | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | EAR99 | 125 Вт | 1 | Другие транзисторы | 12 нс | 14 нс | 18 нс | 23 нс | 28А | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 N-канала (трехуровневый инвертор) | 950пФ при 1000В | 98 мОм при 20 А, 20 В | 2,2 В при 1 мА | 28А ТЦ | 49 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100TA35SCTPG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/microsemicorporation-aptm100ta35sctpg-datasheets-9521.pdf | Модуль | Без свинца | 22 недели | EAR99 | 390 Вт | 3 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 18 нс | 12нс | 40 нс | 155 нс | 22А | 30В | 1000В 1кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 5200пФ при 25В | 420 мОм при 11 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 186 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60TAM21SCTPAG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptc60tam21sctpag-datasheets-9522.pdf | Модуль | Без свинца | 36 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 625 Вт | 3 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 116А | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 625 Вт | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 13000пФ при 100В | 21 мОм при 88 А, 10 В | 3,6 В @ 6 мА | 580 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10HM05FG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm10hm05fg-datasheets-9478.pdf | СП6 | 12 | 36 недель | 12 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 780 Вт | 4 | 80 нс | 165 нс | 135 нс | 280 нс | 278А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1100А | 0,005 Ом | 3000 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 20000пФ при 25В | 5 мОм при 125 А, 10 В | 4 В при 5 мА | 700 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||
| APTM20AM06SG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm20am06sg-datasheets-9451.pdf | СП6 | 7 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 1,25 кВт | 2 | Р-XUFM-X7 | 28 нс | 56нс | 99 нс | 81 нс | 300А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 1300 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 18500пФ при 25В | 7,2 мОм при 150 А, 10 В | 5 В при 6 мА | 325 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||
| APTM50AM38SCTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptm50am38sctg-datasheets-9453.pdf | SP4 | 10 | 36 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 694 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 10 | 694 Вт | 2 | Р-XUFM-X10 | 18 нс | 35 нс | 77 нс | 87 нс | 90А | 30В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 360А | 0,038Ом | 2 Н-канала (полумост) | 11200пФ при 25В | 45 мОм при 45 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 246 НК при 10 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||
| ВММ90-09П | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМК120АМ55CT1AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc120am55ct1ag-datasheets-9454.pdf | СП1 | Без свинца | 12 | 22 недели | 1 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 55А | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,049 Ом | 2 Н-канала (полумост) | 1900пФ при 1000В | 49 мОм при 40 А, 20 В | 2,2 В @ 2 мА (тип.) | 55А Ц | 98 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||
| АПТМ100А13ДГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-aptm100a13dg-datasheets-9455.pdf | СП6 | 4 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 1,25 кВт | 2 | Р-XUFM-X4 | 9 нс | 9нс | 24 нс | 50 нс | 65А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 1300 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 15200пФ при 25В | 156 мОм при 32,5 А, 10 В | 5 В при 6 мА | 562 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||
| MCB60P1200TLB-ТУБ | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 9-PowerSMD | 28 недель | 1200В | 4 Н-канала (полумост) | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ20ТАМ16ФПГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm20tam16fpg-datasheets-9461.pdf | СП6 | 21 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 21 | 390 Вт | 6 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XUFM-X21 | 32 нс | 64нс | 116 нс | 88 нс | 104А | 30В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,019 Ом | 3000 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 7220пФ при 25 В | 19 мОм при 52 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 140 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||
| АПТМ100ТА35ФПГ | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptm100ta35fpg-datasheets-9463.pdf | СП6 | 21 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 21 | 390 Вт | 6 | Р-XUFM-X21 | 18 нс | 12нс | 40 нс | 155 нс | 22А | 30В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 88А | 0,42 Ом | 3000 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 5200пФ при 25В | 420 мОм при 11 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 186 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||
| APTM20HM08FG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm20hm08fg-datasheets-9465.pdf | СП6 | 12 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 781 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 781 Вт | 4 | Не квалифицированный | Р-XUFM-X12 | 32 нс | 64нс | 116 нс | 88 нс | 208А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 832А | 0,01 Ом | 3000 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 14400пФ при 25В | 10 мОм при 104 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 280 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||
| АПТМ10ДУМ02Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm10dum02g-datasheets-9467.pdf | СП6 | 7 | 36 недель | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 1,25 кВт | 2 | Р-XUFM-X7 | 160 нс | 240 нс | 160 нс | 500 нс | 495А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 1900А | 3000 мДж | 2 N-канала (двойной) | 40000пФ при 25В | 2,5 мОм при 200 А, 10 В | 4 В при 10 мА | 1360 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||
| АПТМЛ602U12R020T3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptml602u12r020t3ag-datasheets-9469.pdf | SP3 | 32 | 36 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Нет | 568 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 32 | 568 Вт | 2 | 45А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,15 Ом | 2 N-канала (двойной) | 7600пФ при 25 В | 150 мОм при 22,5 А, 10 В | 4 В @ 2,5 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||
| APTM50HM38FG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm50hm38fg-datasheets-9475.pdf | СП6 | 12 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 694 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 694 Вт | 4 | Р-XUFM-X12 | 18 нс | 35 нс | 77 нс | 87 нс | 90А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2500 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 11200пФ при 25В | 45 мОм при 45 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 246 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||
| АПТМ120А20ДГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-aptm120a20dg-datasheets-9477.pdf | СП6 | 7 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 7 | НЕ УКАЗАН | 1,25 кВт | 2 | Не квалифицированный | Р-XUFM-X7 | 10 нс | 36 нс | 68 нс | 50А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 1300 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 15200пФ при 25В | 240 мОм при 25 А, 10 В | 5 В при 6 мА | 600 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||
| ММПА60П1000ТЛА | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ММПА60П1000ТЛА | Крепление на шасси | Y3-Ли | 28 недель | 1000В | 2 N канал (фазовая ветвь) | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10TAM09FPG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm10tam09fpg-datasheets-9428.pdf | СП6 | 21 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 21 | 390 Вт | 6 | Р-XUFM-X21 | 35 нс | 70нс | 125 нс | 95 нс | 139А | 30В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 430А | 0,01 Ом | 3000 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 9875пФ при 25 В | 10 мОм при 69,5 А, 10 В | 4 В @ 2,5 мА | 350 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||
| АПТМ50ТАМ65ФПГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm50tam65fpg-datasheets-9449.pdf | СП6 | 21 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 21 | 390 Вт | 6 | Р-XUFM-X21 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 51А | 30В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 204А | 0,078Ом | 3000 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 7000пФ при 25В | 78 мОм при 25,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 140 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||
| APTM10DHM05G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm10dhm05g-datasheets-9391.pdf | СП6 | 8 | 36 недель | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 8 | 780 Вт | 2 | Р-XUFM-X8 | 80 нс | 165 нс | 135 нс | 280 нс | 278А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1100А | 0,005 Ом | 3000 мДж | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 20000пФ при 25В | 5 мОм при 125 А, 10 В | 4 В при 5 мА | 700 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||
| APTC60AM24SCTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptc60am24sctg-datasheets-9393.pdf | SP4 | 9 | 36 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 462 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 10 | 2 | Р-XUFM-X9 | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 95А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1900 мДж | 2 N канал (фазовая ветвь) | 14400пФ при 25В | 24 мОм при 47,5 А, 10 В | 3,9 В при 5 мА | 300 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||
| АПТМ20ДУМ05Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm20dum05g-datasheets-9394.pdf | СП6 | 7 | 36 недель | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1136 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 2 | Р-XUFM-X7 | 28 нс | 56нс | 99 нс | 81 нс | 317А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1136 Вт | 2 N-канала (двойной) | 27400пФ при 25В | 6 мОм при 158,5 А, 10 В | 5 В @ 10 мА | 448 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||
| MCB40P1200LB-TRR | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MCB40P1200LB | Поверхностный монтаж | 9-PowerSMD | 28 недель | 1200В | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 58А | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCB40P1200LB-ТУБ | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Трубка | /files/ixys-mcb40p1200lbtub-datasheets-9397.pdf | Модуль питания 9-СМД | 28 недель | 1200В 1,2кВ | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 58А | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60TAM35PG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptc60tam35pg-datasheets-9411.pdf | СП6 | 21 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 416 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 21 | НЕ УКАЗАН | 416 Вт | 6 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-XUFM-X21 | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 72А | 20 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 200А | 0,035 Ом | 1800 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 14000пФ при 25В | 35 мОм при 72 А, 10 В | 3,9 В @ 5,4 мА | 518 НК при 10 В | Стандартный |
