Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMWD26UN,518 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nxpusainc-pmwd26un518-datasheets-9717.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | EAR99 | неизвестный | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт | МО-153АБ | 5,2А | 7800Ом | 2 N-канала (двойной) | 1366пФ при 16 В | 30 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 700 мВ при 1 мА | 7,8А | 23,6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ65УП,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nxpusainc-pmdpb65up115-datasheets-9704.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | ПМДПБ65УП | 6 | 20 В | 520мВт | 2 P-канала (двойной) | 380пФ при 10В | 70 мОм при 1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,5 А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS3C2F100 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts3c2f100-datasheets-9737.pdf | 100 В | 3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | EAR99 | Нет | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС3D | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 20нс | 7,5 нс | 33 нс | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 0,145 Ом | 100 В | N и P-канал | 460пФ при 25В | 145 мОм при 1,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS2DPF80 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts2dpf80-datasheets-9639.pdf | -80В | -2,3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 250мОм | 8 | EAR99 | неизвестный | 2,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СТС2Д | 8 | 2,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 18нс | 13 нс | 32 нс | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 8А | -80В | 2 P-канала (двойной) | 739пФ при 25 В | 250 мОм при 1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS5DPF20L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ II | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts5dpf20l-datasheets-9649.pdf | -20В | -5А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | EAR99 | Нет | 1,6 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СТС5Д | 8 | 1,6 Вт | 2 | Другие транзисторы | 25 нс | 35 нс | 35 нс | 125 нс | 5А | 16 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 0,075Ом | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 1350пФ при 16В | 55 мОм при 2,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STC5DNF30V | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stc5dnf30v-datasheets-9630.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 8 | EAR99 | Нет | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | 1,3 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | STC5DNF | 8 | 10 | 1,3 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 7 нс | 33нс | 33 нс | 27 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,04 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 460пФ при 25В | 35 мОм при 2,3 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА | 11,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS3DPF60L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts3dpf60l-datasheets-9592.pdf | -60В | -3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС3D | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 54нс | 14,5 нс | 39 нс | 3А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 0,16 Ом | -60В | 2 P-канала (двойной) | 630пФ при 25В | 120 мОм при 1,5 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 15,7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD2102PT1 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ntljd2104ptbg-datasheets-3010.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | да | неизвестный | е0 | Оловянный свинец | ДА | С ИЗГИБ | 240 | 8 | 30 | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-XDSO-C8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 Вт | 3,4А | 4,6А | 0,058 Ом | 2 P-канала (двойной) | 715пФ при 6,4 В | 58 мОм при 3,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,4А | 16 НК при 2,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL20DNF06LAG | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 6 | EAR99 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | СТЛ20 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 75 Вт | 20А | 80А | 0,05 Ом | 210 мДж | 2 N-канала (двойной) | 670пФ при 25В | 40 мОм при 4 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 20А | 22,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТЛ60Н32Н3ЛЛ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stl60n32n3ll-datasheets-9670.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 4 | 8 | EAR99 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 50 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | СТЛ60 | 8 | Двойной | 30 | 50 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н4 | 30 нс | 12 нс | 37 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 23 Вт 50 Вт | 32А | 0,12 Ом | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 950пФ при 25В | 9,2 мОм при 6,8 А, 10 В | 1 В @ 1 мкА | 32А 60А | 6,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS4DNF60 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts4dnf60-datasheets-9638.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СТС4Д | 8 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 7 нс | 18нс | 6 нс | 17 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 16А | 0,09 Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 315пФ при 25В | 90 мОм при 2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120ДУ15Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm120du15g-datasheets-9612.pdf | СП6 | 7 | 36 недель | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 1,25 кВт | 2 | Р-XUFM-X7 | 20 нс | 15нс | 45 нс | 160 нс | 60А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 0,175 Ом | 3000 мДж | 2 N-канала (двойной) | 20600пФ при 25В | 175 мОм при 30 А, 10 В | 5 В при 10 мА | 748 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ65УП,115 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-pn2222anlbu-datasheets-1910.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | ДФН2020-6 | 20 В | 520мВт | 2 P-канала (двойной) | 380пФ при 10В | 70 мОм при 1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,5 А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STC6NF30V | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ II | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stc6nf30v-datasheets-9593.pdf | 30В | 6А | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 8 | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | STC6NF | 8 | 10 | 1,5 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 20 нс | 25нс | 25 нс | 32 нс | 6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 0,03 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 800пФ при 25В | 25 мОм при 3 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА | 9 нк @ 2,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60TAM24TPG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc60tam24tpg-datasheets-9620.pdf | СП6 | 36 недель | 23 | EAR99 | Нет | 462 Вт | 3 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 95А | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 462 Вт | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 14400пФ при 25В | 24 мОм при 47,5 А, 10 В | 3,9 В при 5 мА | 300 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS7C4F30L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-sts7c4f30l-datasheets-9614.pdf | 7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 8 | 8 | EAR99 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | STS7C4 | 8 | 30 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 35 нс | 4А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 0,026Ом | N и P-канал | 1050пФ при 25В | 22 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 7А 4А | 23 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2501NZ | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-fdy2001pz-datasheets-2722.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | да | е3 | ИНН | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600мВт | МО-153АА | 5,5 А | 0,018Ом | 2 N-канала (двойной) | 1286пФ при 10 В | 18 мОм при 5,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5,5 А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS8DNH3LL | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ III | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts8dnh3ll-datasheets-9642.pdf | 30В | 8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 22мОм | 8 | да | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС8ДН | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 14,5 нс | 8 нс | 23 нс | 8А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 857пФ при 25 В | 22 мОм при 4 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 10 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STC5NF30V | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ II | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stc5nf30v-datasheets-9646.pdf | 30В | 5А | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 8 | 8 | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | STC5NF | 8 | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 33нс | 33 нс | 27 нс | 5А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 0,035 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 460пФ при 15В | 31 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА | 11,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9358PBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irf9358pbf-datasheets-9588.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 30В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1740пФ при 25В | 16,3 мОм при 9,2 А, 10 В | 2,4 В @ 25 мкА | 9,2А | 38 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС9959 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-nds9959-datasheets-9590.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900мВт | 2А | 8А | 0,3 Ом | 2 N-канала (двойной) | 250пФ при 25В | 300 мОм при 1,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2А | 15 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2407-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-emh2407tlh-datasheets-9554.pdf | СМД/СМТ | 2 мм | 750 мкм | 1,7 мм | Без свинца | 4 недели | 8 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1,4 Вт | 8 | Двойной | 1,4 Вт | 580пФ | 310 нс | 1,02 мкс | 2,25 мкс | 3 мкс | 6А | 12 В | 20 В | 39мОм | 25 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100АМ90ФГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm100am90fg-datasheets-9596.pdf | СП6 | Без свинца | 7 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 7 | НЕ УКАЗАН | 1,25 кВт | 2 | Не квалифицированный | Р-XUFM-X7 | 18 нс | 12нс | 40 нс | 155 нс | 78А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 0,105 Ом | 3000 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 20700пФ при 25В | 105 мОм при 39 А, 10 В | 5 В при 10 мА | 744 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2601NZ | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-fdw2601nz-datasheets-9603.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8-ЦСОП | 30В | 1,6 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1840пФ при 15В | 15 мОм при 8,2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 8,2А | 30 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS4DNF30L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts4dnf30l-datasheets-9576.pdf | 30В | 4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 50мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС4Д | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 11 нс | 100 нс | 22 нс | 25 нс | 4А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 16А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 330пФ при 25В | 50 мОм при 2 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 9 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS4C3F60L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts4c3f60l-datasheets-9578.pdf | 4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | STS4C | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 54нс | 14,5 нс | 39 нс | 530 мА | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 16А | 0,065 Ом | 60В | N и P-канал | 1030пФ при 25В | 55 мОм при 2 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4А 3А | 20,4 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТС5ДНФ20В | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ II | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts5dnf20v-datasheets-9611.pdf | 20 В | 5А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,65 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 40мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС5Д | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 7 нс | 33нс | 10 нс | 27 нс | 5А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,7 В | 5А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 460пФ при 25В | 40 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА | 11,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7380PBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irf7380pbf-datasheets-9565.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 80В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 25В | 73 мОм при 2,2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,6А | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМК170АМ30CT1AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc170am30ct1ag-datasheets-9567.pdf | СП1 | 36 недель | 1 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 700 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 нс | 40 нс | 70 нс | 150 нс | 106А | 1700В 1,7кВ | 2 N канал (фазовая ветвь) | 6160пФ при 1000В | 30 мОм при 100 А, 20 В | 2,3 В @ 5 мА (тип.) | 100А Ц | 380 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC120TAM33CTPAG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc120tam33ctpag-datasheets-9568.pdf | СП6 | 23 | 22 недели | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 370 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 6 | Р-XUFM-X23 | 78А | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 155А | 0,033Ом | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 2850пФ при 1000В | 33 мОм при 60 А, 20 В | 2,2 В @ 3 мА (тип.) | 78А Тк | 148 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) |
