Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7380PBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irf7380pbf-datasheets-9565.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 80В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 25В | 73 мОм при 2,2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,6А | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМК170АМ30CT1AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc170am30ct1ag-datasheets-9567.pdf | СП1 | 36 недель | 1 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 700 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 нс | 40 нс | 70 нс | 150 нс | 106А | 1700В 1,7кВ | 2 N канал (фазовая ветвь) | 6160пФ при 1000В | 30 мОм при 100 А, 20 В | 2,3 В @ 5 мА (тип.) | 100А Ц | 380 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC120TAM33CTPAG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc120tam33ctpag-datasheets-9568.pdf | СП6 | 23 | 22 недели | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 370 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 6 | Р-XUFM-X23 | 78А | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 155А | 0,033Ом | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 2850пФ при 1000В | 33 мОм при 60 А, 20 В | 2,2 В @ 3 мА (тип.) | 78А Тк | 148 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD4N03R2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ntmd4n03r2-datasheets-9574.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | е0 | Оловянный свинец | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 8 | 30 | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 4А | 12А | 0,06 Ом | 80 мДж | 2 N-канала (двойной) | 400пФ при 20В | 60 мОм при 4 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4А | 16 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ70РУ,115 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-pn2222arlra-datasheets-7038.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6-ХУСОН-ЭП (2х2) | 30В | 510мВт | 2 N-канала (двойной) | 130пФ при 15В | 57 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 3,5 А | 4,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC120TAM12CTPAG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc120tam12ctpag-datasheets-9545.pdf | СП6 | 36 недель | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 925 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 нс | 40 нс | 70 нс | 150 нс | 220А | 1200В 1,2кВ | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 8400пФ при 1000В | 12 мОм при 150 А, 20 В | 2,4 В при 30 мА (тип.) | 220А Ц | 483 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100Х18ФГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm100h18fg-datasheets-9546.pdf | СП6 | 12 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 780 Вт | 4 | Р-XUFM-X12 | 18 нс | 12нс | 40 нс | 155 нс | 43А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 172А | 0,21 Ом | 3000 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 10400пФ при 25В | 210 мОм при 21,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 372 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||
| IRF7319PBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irf7319pbf-datasheets-9548.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 30В | 2 Вт | N и P-канал | 650пФ при 25В | 29 мОм при 5,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 33 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTQD6968N | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ntqd6968nr2-datasheets-2743.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | да | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е0 | Оловянный свинец | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,39 Вт | 6,2А | 18А | 0,03 Ом | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 16 В | 22 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 6,2А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||
| PMDPB38UNE,115 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-pn200rm-datasheets-6825.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | ДФН2020-6 | 20 В | 510мВт | 2 N-канала (двойной) | 268пФ при 10 В | 46 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А | 4,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ95XNE,115 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-pmdpb95xne115-datasheets-9553.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | ДФН2020-6 | 30В | 475 МВт | 2 N-канала (двойной) | 143пФ при 15В | 120 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,4А | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMDPB42UN,115 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-pn2222ag-datasheets-7378.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | ДФН2020-6 | 20 В | 510мВт | 2 N-канала (двойной) | 185пФ при 10В | 50 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,9 А | 3,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80AM75SCG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptc80am75scg-datasheets-9558.pdf | СП6 | 7 | 22 недели | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 568 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 568 Вт | 2 | Р-XUFM-X7 | 10 нс | 13нс | 35 нс | 83 нс | 56А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,075Ом | 2 Н-канала (полумост) | 9015пФ при 25 В | 75 мОм при 28 А, 10 В | 3,9 В при 4 мА | 364 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||
| АПТМК170АМ60CT1AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc170am60ct1ag-datasheets-9523.pdf | СП1 | 36 недель | 1 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 350 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 нс | 40 нс | 70 нс | 150 нс | 53А | 1700В 1,7кВ | 2 N канал (фазовая ветвь) | 3080пФ при 1000В | 60 мОм при 50 А, 20 В | 2,3 В @ 2,5 мА (тип.) | 50А Ц | 190 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМГД130УН,115 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-pn2369-datasheets-1938.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6-ЦСОП | 20 В | 390мВт | 2 N-канала (двойной) | 83пФ при 10 В | 145 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,2А | 1,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМК120ТАМ34CT3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc120tam34ct3ag-datasheets-9524.pdf | Модуль | 36 недель | SP3 | 1200В 1,2кВ | 375 Вт | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 2788пФ при 1000В | 34 мОм при 50 А, 20 В | 4 В при 15 мА | 74А Тк | 161 НК при 5 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC120TAM17CTPAG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc120tam17ctpag-datasheets-9562.pdf | СП6 | 36 недель | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 625 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 нс | 40 нс | 70 нс | 150 нс | 147А | 1200В 1,2кВ | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 5600пФ при 1000В | 17 мОм при 100 А, 20 В | 2,4 В при 20 мА (тип.) | 147А Тк | 322 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМК120АМ12CT3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc120am12ct3ag-datasheets-9525.pdf | SP3 | 36 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 925 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 нс | 40 нс | 70 нс | 150 нс | 220А | 1200В 1,2кВ | 2 N канал (фазовая ветвь) | 8400пФ при 1000В | 12 мОм при 150 А, 20 В | 2,4 В при 30 мА (тип.) | 220А Ц | 483 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМГД175СН,115 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-pn2907ta-datasheets-4153.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6-ЦСОП | 30В | 390мВт | 2 N-канала (двойной) | 75пФ при 15В | 225 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 900 мА | 1,1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120Х29ФГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm120h29fg-datasheets-9526.pdf | СП6 | 12 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 780 Вт | 4 | Р-XUFM-X12 | 20 нс | 15нс | 45 нс | 160 нс | 34А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3000 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 10300пФ при 25В | 348 мОм при 17 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 374 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||
| АПТМК120АМ09CT3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc120am09ct3ag-datasheets-9528.pdf | SP3 | 36 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 1,25 кВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 нс | 40 нс | 70 нс | 150 нс | 295А | 1200В 1,2кВ | 1250 Вт | 2 N канал (фазовая ветвь) | 11000пФ при 1000В | 9 м Ом при 200 А, 20 В | 2,4 В при 40 мА (тип.) | 295А Ц | 644 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМК120АМ16CD3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc120am16cd3ag-datasheets-9529.pdf | Модуль Д-3 | 22 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 625 Вт | 20нс | 131А | 1200В 1,2кВ | 2 Н-канала (полумост) | 4750пФ при 1000В | 20 м Ом при 100 А, 20 В | 2,2 В при 5 мА (тип.) | 131А Ц | 246 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC60TLM14CAG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/microsemicorporation-aptmc60tlm14cag-datasheets-9530.pdf | СП6 | Без свинца | 36 недель | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | EAR99 | 925 Вт | 1 | Другие транзисторы | 35 нс | 40 нс | 70 нс | 150 нс | 219А | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 215А | 4 N-канала (трехуровневый инвертор) | 8400пФ при 1000В | 12 мОм при 150 А, 20 В | 2,4 В при 30 мА (тип.) | 219А Тк | 483 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 203 518 филиппинских песо | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-phn203518-datasheets-9537.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 560пФ при 20В | 30 мОм при 7 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 6,3А | 14,6 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120А20СГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-aptm120a20sg-datasheets-9497.pdf | СП6 | 7 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 1,25 кВт | 2 | Р-XUFM-X7 | 10 нс | 10 нс | 36 нс | 68 нс | 50А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 1300 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 15200пФ при 25В | 240 мОм при 25 А, 10 В | 5 В при 6 мА | 600 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||
| АПТМ120А15ФГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm120a15fg-datasheets-9513.pdf | СП6 | 7 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 1,25 кВт | 2 | Р-XUFM-X7 | 20 нс | 15нс | 45 нс | 160 нс | 60А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 0,175 Ом | 3000 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 20600пФ при 25В | 175 мОм при 30 А, 10 В | 5 В при 10 мА | 748 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||
| APTM50HM35FG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50hm35fg-datasheets-9515.pdf | СП6 | 12 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 781 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 781 Вт | 4 | Р-XUFM-X12 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 99А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,039 Ом | 3000 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 14000пФ при 25В | 39 мОм при 49,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 280 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||
| АПТМ50АМ17ФГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50am17fg-datasheets-9517.pdf | СП6 | Без свинца | 7 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 1,25 кВт | 2 | Р-XUFM-X7 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 180А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 0,017Ом | 3000 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 28000пФ при 25В | 20 мОм при 90 А, 10 В | 5 В при 10 мА | 560 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||
| APTMC60TLM55CT3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/microsemicorporation-aptmc60tlm55ct3ag-datasheets-9519.pdf | SP3 | Без свинца | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | EAR99 | 250 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 12 нс | 14 нс | 18 нс | 23 нс | 55А | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 N-канала (трехуровневый инвертор) | 1900пФ при 1000В | 49 мОм при 40 А, 20 В | 2,2 В @ 2 мА (тип.) | 48А ТЦ | 98 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC60TL11CT3AG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptmc60tl11ct3ag-datasheets-9520.pdf | SP3 | Без свинца | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | EAR99 | 125 Вт | 1 | Другие транзисторы | 12 нс | 14 нс | 18 нс | 23 нс | 28А | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 N-канала (трехуровневый инвертор) | 950пФ при 1000В | 98 мОм при 20 А, 20 В | 2,2 В при 1 мА | 28А ТЦ | 49 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) |
