Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (макс.) | Техника управления | Конфигурация коммутатора | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Частота переключения-Макс. | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АПТМ20ДУМ04Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm20dum04g-datasheets-9426.pdf | СП6 | 7 | 36 недель | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 1,25 кВт | 2 | Р-XUFM-X7 | 32 нс | 64нс | 116 нс | 88 нс | 372А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 1488А | 0,005 Ом | 3000 мДж | 2 N-канала (двойной) | 28900пФ при 25В | 5 мОм при 186 А, 10 В | 5 В при 10 мА | 560 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10TAM09FPG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm10tam09fpg-datasheets-9428.pdf | СП6 | 21 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 21 | 390 Вт | 6 | Р-XUFM-X21 | 35 нс | 70нс | 125 нс | 95 нс | 139А | 30В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 430А | 0,01 Ом | 3000 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 9875пФ при 25 В | 10 мОм при 69,5 А, 10 В | 4 В @ 2,5 мА | 350 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ50ТАМ65ФПГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm50tam65fpg-datasheets-9449.pdf | СП6 | 21 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 21 | 390 Вт | 6 | Р-XUFM-X21 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 51А | 30В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 204А | 0,078Ом | 3000 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 7000пФ при 25В | 78 мОм при 25,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 140 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMT3020LSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmt3020lsdq13-datasheets-7033.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 22 недели | 30В | 1 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 393пФ при 15 В | 20 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16А Ц | 7 нк @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К23-80ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/nexperiausainc-buk7k2380ex-datasheets-6904.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 12 недель | совместимый | 8 | 80В | 53 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1542пФ при 25В | 23 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 17А Та | 22,8 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMP3A16DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-zxmp3a16dn8ta-datasheets-7057.pdf | -30В | -5,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 45мОм | 8 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 2,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3,8 нс | 6,5 нс | 21,4 нс | 37,1 нс | 5,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 Вт | -30В | 2 P-канала (двойной) | 1022пФ при 15 В | 45 мОм при 4,2 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 4,2А | 29,6 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3668С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms3668s-datasheets-6989.pdf | 8-PowerTDFN | 5 мм | 1,1 мм | 5,9 мм | Без свинца | 6 | 13 недель | 171 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 7,7 нс | 19 нс | 18А | 12 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13А | 70 пФ | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1765пФ при 15В | 8 мОм при 13 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 13А 18А | 29 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSD21313C | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30В | 1,7 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1100пФ при 15В | 32 мОм при 5,7 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5,7А Та | 33 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87355Q5D | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /хранилище/загрузить/CSD87355Q5D.pdf | 8-PowerLDFN | 5 мм | 6 мм | Содержит свинец | 8 | 16 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 1,5 мм | EAR99 | не_совместимо | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 12 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 1,27 мм | CSD87355 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | 45А | 30В | 1,9 В | 12 В | 27В | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | БАК | 3,9 мОм | 1500 кГц | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1860пФ при 15В | 1,9 В @ 250 мкА | 13,7 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMP6A16DN8QTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/diodesincorporated-zxmp6a16dn8qta-datasheets-6772.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 15 недель | 73,992255мг | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,81 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | Двойной | 30 | 2 | 3,5 нс | 4,1 нс | 10 нс | 35 нс | 2,9 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 P-канала (двойной) | 1021пФ при 30 В | 85 мОм при 2,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 24,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-ff6mr12w2m1b11boma1-datasheets-7053.pdf | Модуль | 16 недель | 1200В | 20мВт Тс | 2 N-канала (двойной) | 14700пФ при 800В | 5,63 мОм при 200 А, 15 В | 5,55 В при 10 мА | 200А ТДж | 496 НК при 15 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К17-80ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/nexperiausainc-buk7k1780ex-datasheets-6860.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 12 недель | совместимый | 8 | 80В | 64 Вт | 12,5 мОм | 2 N-канала (двойной) | 4 В при 1 мА | 21А Та | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEC2616-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-vec2616tlw-datasheets-6453.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | не_совместимо | 1 Вт | 2,5 А | 60В | 2,6 В | N и P-канал | 505пФ при 20В | 80 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 3А 2,5А | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К5Р1-30ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-buk9k5r130ex-datasheets-6787.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 4 | 68 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 40А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 68 Вт | 329А | 0,0053Ом | 2 N-канала (двойной) | 3065пФ при 25 В | 5,3 мОм при 10 А, 5 В | 2,1 В @ 1 мА | 26,7 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSD21311C | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30В | 1,7 Вт | 2 P-канала (двойной) | 720пФ при 15В | 42 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5А Та | 23 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIRB40DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sirb40dpt1ge3-datasheets-6987.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 46,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 4290пФ при 20 В | 3,25 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 40А Ц | 45 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К5Р6-30Э,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7k5r630e115-datasheets-6927.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | не_совместимо | е3 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | 64 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Двойной | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 9,2 нс | 10 нс | 12,9 нс | 17,9 нс | 40А | 20 В | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 64 Вт | 314А | 0,0056Ом | 2 N-канала (двойной) | 1969 пФ при 25 В | 5,6 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 29,7 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6J1T2R | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-em6j1t2r-datasheets-6505.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 16 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | *J1 | 6 | 10 | 150 мВт | 2 | Другие транзисторы | 6 нс | 4нс | 17 нс | 17 нс | 200 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,2 А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 115пФ при 10В | 1,2 Ом при 200 мА, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | 1,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТТ8J3TR | РОМ Полупроводник | 1,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,25 Вт | 2,5 А | 0,084Ом | 2 P-канала (двойной) | 460пФ при 15В | 84 мОм при 2,5 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 2,5 А | 4,8 нк при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8K11TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 20 недель | да | EAR99 | ДА | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Ф8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 Вт | 3,5 А | 12А | 0,07 Ом | 2 N-канала (двойной) | 180пФ при 10В | 50 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 3,5 А | 3,3 нк при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД110800ПКЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardevicesinc-ald110900apal-datasheets-3190.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 16 | 500мВт | 500мВт | 16-ПДИП | 2,5 пФ | 10 нс | 12 мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 4 N-канала, согласованная пара | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 4 В | 20 мВ @ 1 мкА | Стандартный | 500 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К17-60ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7k1760ex-datasheets-6667.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 4 | 12 недель | 8 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 53 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | 2 | Р-ПССО-Г4 | 30А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 164А | 0,014 Ом | 55 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 1578пФ при 25 В | 14 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 23,6 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К25-40Э,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7k2540e115-datasheets-6619.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | 32 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Двойной | 32 Вт | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 4,4 нс | 4,5 нс | 5,2 нс | 8,3 нс | 27А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 107А | 10 мДж | 40В | 2 N-канала (двойной) | 525пФ при 25В | 25 мОм при 5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 7,9 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД1102АСАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/advancedlineardevicesinc-ald1102sal-datasheets-3509.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-СОИК | -16 мА | -13,2 В | 10,6 В | 500мВт | 180Ом | -12В | 2 P-канальных (двойных) согласованных пар | 270 Ом при 5 В | 1,2 В @ 10 мкА | Стандартный | 270 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSD32334C | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30В | 1,7 Вт | 2 N-канала (двойной) | 600пФ при 15В | 20 мОм при 7 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 7А Та | 20 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6913DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si6913dqt1ge3-datasheets-3011.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 157,991892мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6913 | 8 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 45 нс | 80нс | 80 нс | 130 нс | 4,9А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 P-канала (двойной) | 21 мОм при 5,8 А, 4,5 В | 900 мВ при 400 мкА | 28 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD111933SAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/advancedlineardevicesinc-ald111933sal-datasheets-6940.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 недель | 8 | да | EAR99 | неизвестный | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 500мВт | 2 | 10 нс | 6,9 мА | 10,6 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 5,9 В | 3,35 В @ 1 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2028УФУ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn2028ufu7-datasheets-6923.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | 16 недель | EAR99 | 900мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 7,5 А | 20 В | 900мВт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 887пФ при 10 В | 20,2 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 18,4 НК при 8 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД110900АСАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | $5,21 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancedlineardevicesinc-ald110900apal-datasheets-3190.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-СОИК | 2,5 пФ | 10 нс | 12 мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 4 В | 10 мВ @ 1 мкА | Стандартный | 500 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Л36ТУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 6 | 12 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500мВт Та | 0,5 А | 0,85 Ом | N и P-канал | 46пФ 43пФ при 10В | 630 мОм при 200 мА, 5 В, 1,31 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 500 мА Та 330 мА Та | 1,23 нк, 1,2 нк при 4 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В |
