Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АЛД110900АСАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | $5,21 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancedlineardevicesinc-ald110900apal-datasheets-3190.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-СОИК | 2,5 пФ | 10 нс | 12 мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 4 В | 10 мВ @ 1 мкА | Стандартный | 500 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C674NLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c674nlwft1g-datasheets-9508.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт Та 37 Вт Тс | 119А | 0,0204Ом | 61 мДж | 2 N-канала (двойной) | 640пФ при 25В | 14,4 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 25 мкА | 11А Та 42А Ц | 4,7 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA918EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sia918edjt1ge3-datasheets-6820.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30В | 7,8 Вт | 2 N-канала (двойной) | 58 мОм при 3 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 4,5 А Тс | 5,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К32-100ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk9k32100ex-datasheets-6681.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 4 | 12 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 64 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Двойной | 2 | Р-ПССО-Г4 | 12,6 нс | 22нс | 23,1 нс | 39,5 нс | 26А | 15 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 106А | 0,033Ом | 74 мДж | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 3168пФ при 25 В | 31 мОм при 5 А, 10 В | 2,1 В @ 1 мА | 27,3 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД212900АПАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | $6,16 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancedlineardevicesinc-ald212900pal-datasheets-3035.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 500мВт | 8-ПДИП | 30пФ | 80 мА | 10,6 В | 500мВт | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 30пФ при 5В | 14Ом | 10 мВ @ 20 мкА | 80 мА | Ворота логического уровня | 14 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SH8J65TB1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | 2 Вт | *J65 | 2 Вт | 8-СОП | 1,2 нФ | 7А | 30В | 2 Вт | 31мОм | -30В | 2 P-канала (двойной) | 1200пФ при 10В | 29 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 7А | 18 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 29 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50H14FT3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50h14ft3g-datasheets-6866.pdf | SP3 | 73,4 мм | 11,5 мм | 40,8 мм | 25 | 16 недель | 32 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 1 | Одинокий | 208 Вт | 4 | Р-XUFM-X25 | 10 нс | 17нс | 41 нс | 50 нс | 26А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 N-канала (H-мост) | 3259пФ при 25 В | 168 мОм при 13 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 72 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К17-60ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-buk9k1760ex-datasheets-6870.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 53 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 26А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 53 Вт | 0,017Ом | 64 мДж | 2 N-канала (двойной) | 2223пФ при 25 В | 15,6 мОм при 10 А, 10 В | 2,1 В @ 1 мА | 16,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4214DDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4214ddyt1ge3-datasheets-6200.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 19,5 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 3,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 150°С | 7 нс | 45нс | 12 нс | 15 нс | 8,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 7,5 А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 15 В | 19,5 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 22 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К6Р2-40ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7k6r240ex-datasheets-6701.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | Без свинца | 6 | 12 недель | 8 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 68 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 9,5 нс | 16 нс | 17 нс | 21 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 157 мДж | 40В | 2 N-канала (двойной) | 2210пФ при 25 В | 5,8 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 32,3 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA1027P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdma1027p-datasheets-6557.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | 6 | 16 недель | 40мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 800мВт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 9 нс | 11нс | 11 нс | 15 нс | 2,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -20В | 2 P-канала (двойной) | 435пФ при 10 В | 120 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 3А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД110900САЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardevicesinc-ald110900apal-datasheets-3190.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-СОИК | 2,5 пФ | 10 нс | 12 мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 4 В | 20 мВ @ 1 мкА | Стандартный | 500 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM6502CR РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm6502crrlg-datasheets-6720.pdf | 8-PowerTDFN | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 40 Вт | N и P-канал | 1159пФ при 30В 930пФ при 30В | 34 мОм при 5,4 А, 10 В, 68 м Ом при 4 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 24А Тк 18А Тк | 10,3 нк при 4,5 В, 9,5 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJQ900E-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sqjq900et1ge3-datasheets-6735.pdf | PowerPAK® 8 x 8 двойной | Без свинца | 4 | 12 недель | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 75 Вт | 60А | 400А | 0,0039Ом | 125 мДж | 2 N-канала (двойной) | 5900пФ при 20 В | 3,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 100А Ц | 120 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К5Р1-30Э,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7k5r130e115-datasheets-6723.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | не_совместимо | е3 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | 68 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Двойной | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 9,5 нс | 12,5 нс | 13 нс | 19,5 нс | 40А | 20 В | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 68 Вт | 0,0051Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 2352пФ при 25 В | 5,1 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 31,1 нк при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMTH6010LPDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmth6010lpdq13-datasheets-6741.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 23 недели | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,8 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 47,6А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13,1А | 90А | 0,016Ом | 20 мДж | 2 N-канала (двойной) | 2615пФ при 30 В | 11 мОм при 20 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 13,1 А Та 47,6 А Тс | 40,2 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMD63N03XTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmd63n03xta-datasheets-6758.pdf | 30В | 2,4А | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,1 мм | 950 мкм | 3,1 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 139,989945мг | Нет СВХК | 135 мОм | 8 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,04 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 1,25 Вт | 2 | 2,5 нс | 4,1 нс | 4,1 нс | 9,6 нс | 2,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30В | 2 N-канала (двойной) | 290пФ при 25В | 135 мОм при 1,7 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 8 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8695R-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ech8695rtlw-datasheets-6520.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 6 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | не_совместимо | е6 | 1,4 Вт | НЕ УКАЗАН | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | 300 нс | 320 нс | 22,3 мкс | 19,7 мкс | 11А | 12,5 В | 24В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 24В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 9,1 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 10 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN4026SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmn4026ssd13-datasheets-6578.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | Без свинца | 18 недель | 73,992255мг | 8 | Нет | 1,8 Вт | 2 | Двойной | 1,8 Вт | 2 | 8-СО | 1,06 нФ | 5,3 нс | 7,1 нс | 4,8 нс | 15,1 нс | 7А | 20 В | 40В | 1,3 Вт | 20мОм | 2 N-канала (двойной) | 1060пФ при 20В | 24 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 7А | 19,1 нк при 10 В | Ворота логического уровня | 24 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4807 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao4807-datasheets-4477.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 6А | 20 В | 30В | 2 P-канала (двойной) | 760пФ при 15 В | 35 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 16 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К52-60ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7k5260ex-datasheets-6624.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 32 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 4,3 нс | 5,1 нс | 5,4 нс | 8,4 нс | 15,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 71А | 0,045 Ом | 11,6 мДж | 2 N-канала (двойной) | 535пФ при 25В | 45 мОм при 5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 9,2 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМ6К33НТН | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-um6k33ntn-datasheets-5987.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 16 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | 120 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 10 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 4 нс | 6нс | 55 нс | 15 нс | 200 мА | 8В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,2 А | 2,4 Ом | 2 N-канала (двойной) | 25пФ при 10В | 2,2 Ом при 200 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | Ворота логического уровня, привод 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТЛ36ДН6Ф7 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stl36dn6f7-datasheets-6664.pdf | 8-PowerVDFN | 1 мм | 6 | 38 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | PowerFLATTM_8256945_DI_typeC | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 260 | STL36 | 2 | НЕ УКАЗАН | 58 Вт | 2 | 175°С | Р-ПДСО-Ф6 | 7,85 нс | 12,1 нс | 33А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 36А | 144А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 420пФ при 30В | 27 мОм при 4,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 33А Тц | 8 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMN10A08DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmn10a08dn8ta-datasheets-6694.pdf | 100 В | 2,1А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 250мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 1,8 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 3,4 нс | 2,2 нс | 2,2 нс | 8 нс | 2,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,25 Вт | 9А | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 405пФ при 50В | 250 мОм при 3,2 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА (мин) | 1,6А | 7,7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС9600С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdms9600s-datasheets-6370.pdf | 8-PowerWDFN | 5 мм | 825 мкм | 6 мм | Без свинца | 8 | 16 недель | 9мг | 13МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | е4 | 1 Вт | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 11нс | 32 нс | 54 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 375 пФ | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1705пФ при 15В | 8,5 мОм при 12 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 12А 16А | 13 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5513CDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si5513cdct1ge3-datasheets-6399.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 84,99187мг | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 3,1 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | СИ5513 | 8 | 30 | 1,7 Вт | 2 | 19 нс | 40 нс | 40 нс | 15 нс | 3,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 0,055 Ом | N и P-канал | 285пФ при 10В | 55 мОм при 4,3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4А 3,7А | 4,2 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСМ080Д12П2К008 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | 175°С, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | Модуль | 8 | 25 недель | 10 | EAR99 | не_совместимо | НЕТ | 600 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-XUFM-X8 | 80А | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 160А | 2 N-канала (двойной) | 800пФ при 10В | 4 В при 13,2 мА | 80А Ц | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM500P02DCQ RFG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm500p02dcqrfg-datasheets-6487.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 18 недель | 6-ТДФН (2х2) | 20 В | 620мВт | 2 P-канала (двойной) | 1230пФ при 10В | 50 мОм при 3 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 4,7 А Тс | 9,6 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QH8MA2TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-qh8ma2tcr-datasheets-6430.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 20 недель | да | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф8 | 3А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,5 А | 12А | 0,0056Ом | 1,5 мДж | N и P-канал | 365пФ при 10 В | 35 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 4,5 А 3 А | 8,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ4511СК4-13 | Диодс Инкорпорейтед | 1,59 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmg4511sk413-datasheets-6541.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 6,7 мм | 2,39 мм | 6,2 мм | Без свинца | 15 недель | Нет СВХК | 3 | 1,54 Вт | ДМГ4511 | 2 | 4,1 Вт | 2 | ТО-252-4Л | 850пФ | 5,4 нс | 2,8 нс | 35,6 нс | 33,2 нс | 5А | 20 В | 35В | 1,54 Вт | 65мОм | N и P-каналы, общий сток | 850пФ при 25В | 35 мОм при 8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5,3А 5А | 18,7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 35 мОм |
