Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | мощность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Расстояние между строками | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БСМ250Д17П2Е004 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-bsm250d17p2e004-datasheets-6547.pdf | Модуль | 25 недель | 1700В 1,7кВ | 1800 Вт Тс | 2 Н-канала (полумост) | 30000пФ при 10В | 4 В при 66 мА | 250А Ц | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ946EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj946ept1ge3-datasheets-6555.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4 | 12 недель | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 27 Вт | 15А | 40А | 0,033Ом | 6 мДж | 2 N-канала (двойной) | 600пФ при 25В | 33 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Ц | 20 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К6Р8-40Э,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7k6r840e115-datasheets-6213.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 12 недель | 8 | Олово | 64 Вт | 2 | Двойной | 64 Вт | 2 | LFPAK56D | 1,947 нФ | 8,9 нс | 15,4 нс | 16,5 нс | 19,4 нс | 40А | 20 В | 40В | 40В | 64 Вт | 5,8 мОм | 40В | 2 N-канала (двойной) | 1947пФ при 25В | 6,8 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 40А | 28,9 НК при 10 В | Стандартный | 6,8 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C672NLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c672nlwft1g-datasheets-8712.pdf | 8-PowerTDFN | 1,1 мм | 6 | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ПЛОСКИЙ | 260 | 2 | 30 | 3,1 Вт | 2 | 175°С | Р-ПДСО-Ф6 | 11 нс | 22 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт Та 45 Вт Тс | 146А | 0,0168Ом | 66 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 793пФ при 25 В | 11,9 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 30 мкА | 12А Та 49А Ц | 5,7 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002DW-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-2n7002dwq7f-datasheets-7748.pdf | 60В | 115 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 20 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 7,5 Ом | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 200мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 7 нс | 11 нс | 115 мА | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 310мВт | 0,115А | 5 пФ | 70В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 2 В | 7,5 Ом при 50 мА, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 230 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM4953DCS РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm4953dcsrlg-datasheets-5819.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8-СОП | 30 В | 2,5 Вт | 2 P-канала (двойной) | 745пФ при 15В | 60 мОм при 4,9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4,9А Та | 28 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMHT6016LFJ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmht6016lfj13-datasheets-6350.pdf | 12-ВДФН Открытая площадка | 24 недели | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | 4 N-канала | 864пФ при 30 В | 22 мОм при 10 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 14,8А Та | 8,4 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФС45МР12В1М1Б11БОМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-fs45mr12w1m1b11boma1-datasheets-6390.pdf | Модуль | 16 недель | 1200В | 20мВт Тс | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 1840пФ при 800В | 45 мОм при 25 А, 15 В (тип.) | 5,55 В при 10 мА | 25А Тдж | 62 НК при 15 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5К650НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c650nlwft1g-datasheets-5813.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 3,5 Вт Та 125 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 2546пФ при 25 В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В при 98 мкА | 21А Та 111А Ц | 16 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3660АС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdms3660as-datasheets-6377.pdf | 8-PowerTDFN | 5 мм | 1,1 мм | 5,9 мм | 6 | 13 недель | 171 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2,5 Вт | ПЛОСКИЙ | 2,5 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 5нс | 5 нс | 38 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЕРИЯ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт | МО-240АА | 13А | 70 пФ | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 2230пФ при 15В | 8 мОм при 13 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 13А 30А | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4803А | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-ao4803a-datasheets-4409.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 5А | 20 В | 30 В | 2 P-канала (двойной) | 520пФ при 15В | 46 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 11 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7304TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7304trpbf-datasheets-6191.pdf | -20В | -4,3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 90мОм | 8 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | 2 Вт | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7304PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | 8,4 нс | 26нс | 33 нс | 51 нс | -4,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -700мВ | 84 нс | 3,6А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 610пФ при 15 В | -700 мВ | 90 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 4,3А | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7306TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7306trpbf-datasheets-6230.pdf | -30В | -3,6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,75 мм | 4,05 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 100мОм | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7306PBF | 2 | Двойной | 2 Вт | 2 | 150°С | 11 нс | 17нс | 18 нс | 25 нс | -3,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | -1В | 80 нс | 14А | -30В | 2 P-канала (двойной) | 440пФ при 25В | -1 В | 100 мОм при 1,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 3,6А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ570EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj570ept1ge3-datasheets-6239.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | PowerPAK® SO-8 двойной | 100 В | 27 Вт | N и P-канал | 650пФ при 25В 600пФ при 25В | 45 мОм при 6 А, 10 В, 146 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15 А Тс 9,5 А Тс | 20 нк при 10 В, 15 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C680NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c680nlt1g-datasheets-5075.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 3 Вт Та 19 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 350пФ при 25В | 28 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 13 мкА | 7,5 А Та 26 А Тс | 2 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К25-40ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk9k2540ex-datasheets-6150.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 12 недель | 8 | 32 Вт | LFPAK56D | 701пФ | 18,2А | 40В | 32 Вт | 19мОм | 2 N-канала (двойной) | 701пФ при 25 В | 24 мОм при 5 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 18,2А | 6,3 нк при 5 В | Ворота логического уровня | 24 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7314TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7314trpbf-datasheets-6218.pdf | -20В | -5,3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 58мОм | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7314PBF | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 15 нс | 40 нс | 49 нс | 41 нс | -5,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | -700мВ | 71 нс | 150 мДж | -20В | 2 P-канала (двойной) | 780пФ при 15В | -700 мВ | 58 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 5,3А | 29 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7212DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7212dnt1e3-datasheets-2260.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 6 | 14 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7212 | 8 | Двойной | 30 | 1,3 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | S-XDSO-C6 | 10 нс | 12нс | 10 нс | 30 нс | 4,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,036Ом | 5 мДж | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 36 мОм при 6,8 А, 10 В | 1,6 В при 250 мкА | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ974EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj974ept1ge3-datasheets-6081.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | PowerPAK® SO-8 двойной | 100 В | 48 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1050пФ при 25В | 25,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 30А Ц | 30 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA76413DK8T | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УльтраФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-hufa76413dk8t-datasheets-6084.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 Вт | 5,1А | 0,049 Ом | 260 мДж | 2 N-канала (двойной) | 620пФ при 25В | 49 мОм при 5,1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5,1А | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM250N02DCQ РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm250n02dcqrfg-datasheets-6056.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 6 | 18 недель | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | 2 | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 620мВт | 5,8А | 0,025 Ом | 50 пФ | 2 N-канала (двойной) | 775пФ при 10 В | 25 мОм при 4 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 5,8 А Тс | 7,7 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM2537CQ РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm2537cqrfg-datasheets-6108.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 20 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | 6,25 Вт | N и P-канал | 677пФ при 10 В 744 пФ при 10 В | 30 мОм при 6,4 А, 4,5 В, 55 м Ом при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 11,6 А Ц 9А Ц | 9,1 нк при 4,5 В, 9,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4614Б | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 5А | 20 В | 40В | N и P-канал | 650пФ при 20В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6А 5А | 10,8 нк при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJD3119CTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | µCool™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-ntljd3119ctbg-datasheets-6132.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 9 недель | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 710мВт | 260 | NTLJD3119C | 6 | Двойной | 40 | 710мВт | 2 | Другие транзисторы | 5,2 нс | 13,2 нс | 13,2 нс | 13,7 нс | 4,6А | 8В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВ | 3,8А | 18А | -20В | N и P-канал | 271пФ при 10 В | 700 мВ | 65 мОм при 3,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,6 А 2,3 А | 3,7 нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7105TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/infineontechnologies-irf7105trpbf-datasheets-6154.pdf | 3,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,75 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 100мОм | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7105PBF | 2 | 2 Вт | 2 | 150°С | 7 нс | 13нс | 37 нс | 45 нс | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 14А | 25 В | N и P-канал | 330пФ при 15В | 3 В | 100 мОм при 1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3,5 А 2,3 А | 27 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPIC1502DW | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-tpic1502dw-datasheets-6170.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 24-СОИК | 20 В | 2,86 Вт | 98пФ при 14В | 300 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,2 В при 1 мА | 1,5 А | 2,1 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7342TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/infineontechnologies-irf7342trpbf-datasheets-5781.pdf | -55В | -3,4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,75 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 105мОм | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7342PBF | 2 | Двойной | 2 Вт | 2 | 150°С | 14 нс | 10 нс | 22 нс | 43 нс | -3,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | -1В | 80 нс | 114 мДж | -55В | 2 P-канала (двойной) | 690пФ при 25 В | -1 В | 105 мОм при 3,4 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 3,4А | 38 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SH8J66TB1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-sh8j66tb1-datasheets-5844.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 20 недель | 8 | 2 Вт | НЕ УКАЗАН | *J66 | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 9А | 30 В | -30В | 2 P-канала (двойной) | 3000пФ при 10В | 18,5 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 35 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ918ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-siz918dtt1ge3-datasheets-5816.pdf | 8-PowerWDFN | 6 мм | 750 мкм | 5 мм | 6 | 14 недель | Неизвестный | 10 | EAR99 | Нет | 100 Вт | СИЗ918 | 2 | Двойной | 2 | Р-ПДСО-Н6 | 40 нс | 28А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 29 Вт 100 Вт | 16А | 50А | 16 мДж | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 790пФ при 15 В | 12 мОм при 13,8 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 16А 28А | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM8568CS РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm8568csrlg-datasheets-5810.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 2 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6 Вт | 8А | 60А | 0,02 Ом | 21,6 мДж | N и P-канал | 646пФ при 15В 1089пФ при 15В | 16 мОм при 8 А, 10 В, 24 м Ом при 7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Тк 13А Тк | 7 нк при 4,5 В, 11 нк при 4,5 В | Стандартный |
