Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Тип интерфейса микросхемы | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD8424H-F085A | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-fdd8424hf085a-datasheets-5336.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | ТО-252-4Л | 40В | 1,3 Вт | N и P-канал | 1000пФ при 20В | 24 мОм при 9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 9А 6,5А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7104PBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irf7104pbf-datasheets-5338.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 20 В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 290пФ при 15В | 250 мОм при 1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,3А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К12-60ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7k1260ex-datasheets-4998.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 12 недель | 8 | 68 Вт | 2 | Двойной | LFPAK56D | 617пФ | 9,1 нс | 12,5 нс | 15 нс | 23 нс | 40А | 20 В | 60В | 68 Вт | 9,3 мОм | 60В | 2 N-канала (двойной) | 617пФ при 25 В | 9,3 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 40А | 10,4 НК при 10 В | Стандартный | 43 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJQ910EL-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-sqjq910elt1ge3-datasheets-5218.pdf | PowerPAK® 8 x 8 двойной | 12 недель | 4 | PowerPAK® 8 x 8 двойной | 100 В | 187 Вт | 2 N-канала (двойной) | 2832пФ при 50 В | 8,6 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 70А Ц | 58 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М24ФРАТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 45В | 45В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 4,5 А | 18А | 0,064Ом | N и P-канал | 550пФ при 10В 1700пФ при 10В | 46 мОм при 4,5 А, 10 В, 63 м Ом при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4,5 А Та 3,5 А Та | 9,6 нк при 5 В, 18,2 нк при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIZF920DT-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sizf920dtt1ge3-datasheets-5085.pdf | 8-PowerWDFN | 14 недель | 8-PowerPair® (6x5) | 30В | 3,9 Вт Ta 28 Вт Tc 4,5 Вт Ta 74 Вт Tc | 2 N-канала (двойной), Шоттки | 1300пФ при 15В 5230пФ при 15В | 3,07 мОм при 10 А, 10 В, 1,05 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА, 2,2 В при 250 мкА | 28А Та 76А Ц 49А Та 197А Ц | 29 нк при 10 В, 125 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS4DPF20L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | -20В | -4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,25 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 80мОм | 8 | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС4Д | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 25 нс | 35 нс | 35 нс | 125 нс | 4А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 1,6 Вт | 4А | 16А | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 1350пФ при 25В | 80 мОм при 2 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2107 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2107-datasheets-5106.pdf | 9-ВФБГА | 14 недель | 9-БГА (1,35х1,35) | 100 В | 3 N-канала (полумост + синхронная загрузка) | 16пФ при 50В 7пФ при 50В | 320 мОм при 2 А, 5 В, 3,3 Ом при 2 А, 5 В | 2,5 В при 100 мкА, 2,5 В при 20 мкА | 1,7 А 500 мА | 0,16 нКл при 5 В, 0,044 нКл при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4204DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4204dyt1ge3-datasheets-5103.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 3,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4204 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 18 нс | 24 нс | 13 нс | 26 нс | 19,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 3,25 Вт | 0,0046Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 2110пФ при 10 В | 4,6 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 45 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISF20DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sisf20dnt1ge3-datasheets-5035.pdf | PowerPAK® 1212-8SCD | 14 недель | PowerPAK® 1212-8SCD | 60В | 5,2 Вт Ta 69,4 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 1290пФ при 30 В | 13 мОм при 7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 14А Та 52А Ц | 33 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5908DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si5908dct1e3-datasheets-5599.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 14 недель | 84,99187мг | 8 | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | Чистая матовая банка (Sn) | 1,1 Вт | 260 | СИ5908 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 | Полномочия общего назначения FET | 20 нс | 36нс | 12 нс | 30 нс | 4,4А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,04 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 40 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7923DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si7923dnt1e3-datasheets-1593.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 6 | 14 недель | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7923 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Другие транзисторы | S-XDSO-C6 | 10 нс | 12нс | 28 нс | 38 нс | 6,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 4,3А | 0,047Ом | -30В | 2 P-канала (двойной) | 47 мОм при 6,4 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4,3А | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4946AEY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sq4946aeyt1ge3-datasheets-4914.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 8-СО | 60В | 4 Вт | 33мОм | 2 N-канала (двойной) | 750пФ при 25В | 40 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 7А | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4936ADY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-si4936adyt1e3-datasheets-5150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 36мОм | 8 | Нет | 3,12 Вт | СИ4936 | 2 | Двойной | 1,1 Вт | 2 | 8-СО | 220пФ | 6 нс | 14 нс | 14 нс | 30 нс | 5,9А | 20 В | 30В | 1,1 Вт | 36мОм | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1 В | 36 мОм при 5,9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4,4А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 65 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMN2A04DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-zxmn2a04dn8ta-datasheets-5158.pdf | 20 В | 6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 25мОм | 8 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 2,1 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 7,9 нс | 14,8 нс | 30,6 нс | 50,5 нс | 7,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 Вт | 5,9А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1880пФ при 10В | 25 мОм при 5,9 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА (мин) | 5,9А | 22,1 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5К446НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nvmfd5c446nt1g-datasheets-5140.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,2 Вт Та 89 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 2450пФ при 25В | 2,9 мОм при 30 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 24А Та 127А Ц | 38 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М5ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-sh8m5tb1-datasheets-5057.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 40 недель | 8 | 2 Вт | *М5 | 2 Вт | 8-СОП | 520пФ | 7А | 30В | 2 Вт | 33мОм | 30В | N и P-канал | 520пФ при 10В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 6А 7А | 7,2 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87351ZQ5D | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerLDFN | 5 мм | 1,5 мм | 6 мм | Содержит свинец | 16 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1,5 мм | EAR99 | Золото | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 12 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD87351 | НЕ УКАЗАН | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 10 нс | 4,2 нс | 32А | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1255пФ при 15В | 2,1 В @ 250 мкА | 7,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C462NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c462nlt1g-datasheets-5481.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ПЛОСКИЙ | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 50 Вт | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт Та 50 Вт Тс | 311А | 0,0077Ом | 174 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1300пФ при 25В | 4,7 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 40 мкА | 18А Та 84А Ц | 11 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5К668НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2018 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c668nlt1g-datasheets-5009.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 60В | 3 Вт Та 57,5 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 1440пФ при 25В | 6,5 мОм при 20 А, 10 В | 2 В при 50 мкА | 15,5 А Та 68 А Тс | 21,3 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS8DN3LLH5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | STripFET™ V | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts8dn3llh5-datasheets-4935.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 14 недель | 19МОм | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,7 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС8ДН | 8 | Двойной | 30 | 2,7 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 4 нс | 4,2 нс | 3,5 нс | 21,1 нс | 10А | 22В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 724 пФ при 25 В | 19 мОм при 5 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 5,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS4DNF60L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts4dnf60l-datasheets-4947.pdf | 60В | 4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,25 мм | 4,05 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 55мОм | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС4Д | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 15 нс | 28нс | 10 нс | 45 нс | 4А | 15 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 В | 4А | 16А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 1030пФ при 25В | 55 мОм при 2 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC2320TG-G | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-tc2320tgg-datasheets-4940.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,65 мм | 3,9 мм | 8 | 3 недели | 84,99187мг | 8 | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | 40 | 2 | 10 нс | 15нс | 15 нс | 20 нс | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7Ом | 200В | N и P-канал | 110пФ при 25В | 7 Ом при 1 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sq4920eyt1ge3-datasheets-4927.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 12 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 17,5 мОм | 8 | Нет | 4,4 Вт | 2 | Двойной | 4,4 Вт | 2 | 8-СО | 1,465 нФ | 7 нс | 10 нс | 8 нс | 25 нс | 8А | 20 В | 30В | 2В | 4,4 Вт | 14,5 мОм | 2 N-канала (двойной) | 1465пФ при 15В | 14,5 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 14,5 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SH8J31GZETB | РОМ Полупроводник | $4,12 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | EAR99 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 4,5 А | 18А | 0,085Ом | 14 мДж | 2 P-канала (двойной) | 2500пФ при 10В | 70 мОм при 4,5 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 4,5 А | 40 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5853НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5853nlt1g-datasheets-4982.pdf | 8-PowerTDFN | 6,1 мм | 1,05 мм | 5,1 мм | Без свинца | 6 | 13 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 3 Вт | ПЛОСКИЙ | 8 | Двойной | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 10 нс | 22 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 34А | 165А | 0,015 Ом | 40 мДж | 40В | 2 N-канала (двойной) | 1100пФ при 25В | 10 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4202DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4202dyt1ge3-datasheets-4992.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 14МОм | 8 | Нет | 75А | 30В | 3,7 Вт | 2 | Двойной | 2,4 Вт | 2 | 8-СО | 710пФ | 8 нс | 12,1А | 20 В | 30В | 1В | 3,7 Вт | 17мОм | 30В | 2 N-канала (двойной) | 710пФ при 15 В | 14 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12,1А | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 14 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4900DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4900dyt1e3-datasheets-5430.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4900 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 15 нс | 65нс | 10 нс | 15 нс | 5,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 3,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 665пФ при 15В | 58 мОм при 4,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMC4559DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-zxmc4559dn8tc-datasheets-1836.pdf | 4,7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 105мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3,5 нс | 4,1 нс | 10 нс | 35 нс | 4,7А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 1,25 Вт | 3,6А | 60В | N и P-канал | 1063пФ при 30 В | 1 В | 55 мОм при 4,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 3,6 А 2,6 А | 20,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТХ4007СПДК-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmth4007spdq13-datasheets-4851.pdf | 8-PowerTDFN | 23 недели | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,6 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 14,2А | 40В | 2,6 Вт | 2 N-канала (двойной) | 2026пФ при 30 В | 8,6 мОм при 17 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 41,9 НК при 10 В | Стандартный |
