Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Расстояние между строками | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Время восстановления | Управление выходного тока | Напряжение питания1-мин. | Напряжение питания1-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7501TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-irf7501trpbf-datasheets-5385.pdf | 20 В | 2,4А | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 860 мкм | 3 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 135 мОм | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7501PBF | Двойной | 1,25 Вт | 2 | 5,7 нс | 24 нс | 16 нс | 15 нс | 2,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВ | 19А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 260пФ при 15В | 700 мВ | 135 мОм при 1,7 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7301TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7301trpbf-datasheets-5527.pdf | 20 В | 5,2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 50мОм | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7301PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | 9 нс | 42нс | 51 нс | 32 нс | 5,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | 700мВ | 44 нс | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 15 В | 700 мВ | 50 мОм при 2,6 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7343QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirf7343qtr-datasheets-5535.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 26 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 4,7А | 0,05 Ом | 55В | N и P-канал | 740пФ при 25В | 1 В | 50 мОм при 4,7 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4,7 А 3,4 А | 36 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7504TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7504trpbf-datasheets-5353.pdf | -20В | -1,7А | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 860 мкм | 3 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 270мОм | 8 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7504PBF | Двойной | 1,25 Вт | 2 | 9,1 нс | 35 нс | 43 нс | 38 нс | -1,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -700мВ | 9,6А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 240пФ при 15В | 270 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 1,7 А | 8,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7379TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7379trpbf-datasheets-5371.pdf | 5,8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 8 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7379PBF | 2,5 Вт | 2 | 5,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 46А | 0,045 Ом | 30 В | N и P-канал | 520пФ при 25В | 45 мОм при 5,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 5,8 А 4,3 А | 25 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО200Н03 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-bso4804huma2-datasheets-2930.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | ПГ-ДСО-8 | 30 В | 1,4 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1010пФ при 15В | 20 мОм при 7,9 А, 10 В | 2 В @ 13 мкА | 6,6А | 8 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6894A | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-fds6894a-datasheets-5397.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900мВт | 8А | 32А | 0,017Ом | 2 N-канала (двойной) | 1676пФ при 10 В | 17 мОм при 8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 8А | 24 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsl316ch6327xtsa1-datasheets-5342.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | 1,5 А | 20 В | -30В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 1,4 А | 7 пФ | Дополняющие N и P-каналы | 282пФ при 15 В | 160 мОм при 1,4 А, 10 В | 2 В при 3,7 мкА | 1,4 А 1,5 А | 0,6 нк при 5 В | Ворота логического уровня, привод 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8915PBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irf8915pbf-datasheets-5414.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 20 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 540пФ при 10В | 18,3 мОм при 8,9 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8,9А | 7,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7530TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7530trpbf-datasheets-5416.pdf | 20 В | 5,4А | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 860 мкм | 3 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 30мОм | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7530PBF | Двойной | 1,3 Вт | 2 | 8,5 нс | 11нс | 16 нс | 36 нс | 5,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 40А | 33 мДж | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1310пФ при 15В | 1,2 В | 30 мОм при 5,4 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 26 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9953TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf9953trpbf-datasheets-5399.pdf | -30В | -2,3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | 250мОм | 8 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF9953PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | 9,7 нс | 14 нс | 6,9 нс | 20 нс | 2,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10А | 57 мДж | -30В | 2 P-канала (двойной) | 190пФ при 15В | 250 мОм при 1 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 12 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7309TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/infineontechnologies-irf7309trpbf-datasheets-5452.pdf | 4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 4,05 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 50мОм | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7309PBF | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | 25 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | 1В | 4А | 16А | 30 В | N и P-канал | 520пФ при 15В | 1 В | 50 мОм при 2,4 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4А 3А | 25 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMD63P03XTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmd63p03xta-datasheets-5270.pdf | -30В | -1,7А | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,1 мм | 950 мкм | 3,1 мм | Содержит свинец | 8 | 16 недель | 139,989945мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,04 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 1,25 Вт | 2 | 2,6 нс | 4,8 нс | 4,8 нс | 13,1 нс | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 2 P-канала (двойной) | 270пФ при 25В | 185 мОм при 1,2 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 7 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLA5212 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/sanken-sla5212-datasheets-5478.pdf | 15-SIP Открытая вкладка, сформированные выводы | Без свинца | 12 недель | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8А | 35В | 3 Н и 3 П-канала (3-фазный мост) | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7509TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/infineontechnologies-irf7509trpbf-datasheets-5480.pdf | 2,7А | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,048 мм | 1,11 мм | 3,048 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 200мОм | 8 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7509PBF | 2 | Двойной | 1,25 Вт | 2 | 150°С | 12нс | 9,3 нс | 19 нс | 2,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 30 В | N и P-канал | 210пФ при 25В | 1 В | 110 мОм при 1,7 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 2,7 А 2 А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9910PBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irf9910pbf-datasheets-5489.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 20 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 900пФ при 10 В | 13,4 мОм при 10 А, 10 В | 2,55 В @ 250 мкА | 10А 12А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL316CL6327HTSA1 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-bsl316cl6327htsa1-datasheets-5340.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | ПГ-ЦОП-6-6 | 30 В | 500мВт | N и P-канал | 94пФ при 15В | 160 мОм при 1,4 А, 10 В | 2 В @ 3,7 мкА | 1,4 А 1,5 А | 0,6 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM18SCG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptc60am18scg-datasheets-5348.pdf | СП6 | Без свинца | 7 | 16 недель | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 833 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 833 Вт | 2 | Р-XUFM-X7 | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 143А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,018Ом | 1800 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 28000пФ при 25В | 18 мОм при 71,5 А, 10 В | 3,9 В при 4 мА | 1036 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMA5133 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/sanken-sma5133-datasheets-5351.pdf | 12-СИП | Без свинца | 12 | 12 недель | да | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 6 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т12 | 2,5 А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2Ом | 3 Н и 3 П-канала (3-фазный мост) | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMQ8403 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GreenBridge™ PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-fdmq8403-datasheets-5230.pdf | 12-WDFN Открытая площадка | 5 мм | 750 мкм | 4,5 мм | Без свинца | 12 | 8 недель | 242,3 мг | 12 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 1,9 Вт | ДВОЙНОЙ | 1,9 Вт | 4 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 4,1 нс | 1,2 нс | 1,8 нс | 7,2 нс | 3,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 0,11 Ом | 100 В | 4 N-канала (H-мост) | 215пФ при 15В | 110 мОм при 3 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПС1120Д | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-tps1120d-datasheets-4207.pdf | -15В | -1,7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 1,58 мм | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 840мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ТПС1120 | 8 | 840мВт | 2 | Другие транзисторы | -15В | 4,5 нс | 10 нс | 10 нс | 13 нс | 1,17А | 2В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,25 В | 0,4 Ом | 15 В | 2 P-канала (двойной) | 180 мОм при 1,5 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5,45 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8J5TB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8j5tb-datasheets-5220.pdf | -30В | -7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *J5 | 8 | 10 | 2 | Другие транзисторы | 20 нс | 50 нс | 70 нс | 110 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 2 P-канала (двойной) | 2600пФ при 10 В | 28 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 25 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS3992 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fds3992-datasheets-5060.pdf | 100 В | 4,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 11 недель | 187 мг | Нет СВХК | 62МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 8 нс | 23нс | 26 нс | 28 нс | 4,5 А | 20 В | 100 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4В | 167 мДж | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 750пФ при 25В | 4 В | 62 мОм при 4,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 15 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF11MR12W1M1B11BOMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | Непригодный | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-df11mr12w1m1b11boma1-datasheets-5293.pdf | Модуль | 21 | EAR99 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-XUFM-X21 | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1200В 1,2кВ | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20мВт | 55А | 100А | 2 N-канала (двойной) | 3950пФ при 800В | 23 мОм при 50 А, 15 В | 5,5 В при 20 мА | 50А | 125 НК при 5 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМК120АМ25CT3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptmc120am25ct3ag-datasheets-5296.pdf | SP3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 500 Вт | 105А | 1200В 1,2кВ | 2 Н-канала (полумост) | 3800пФ при 1000В | 25 мОм при 80 А, 20 В | 2,2 В при 4 мА (тип.) | 113А Тк | 197 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD88599Q5DCT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-csd88599q5dct-datasheets-4230.pdf | 22-PowerTFDFN | 6 мм | 5 мм | 22 | 6 недель | 22 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 850 мкм | не_совместимо | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | CSD88599 | 54В | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 60В | 12 Вт | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 4,5 В | 16 В | 2 Н-канала (полумост) | 4840пФ при 30В | 2,1 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 27 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMA5117 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-sma5117-datasheets-5317.pdf | 12-СИП | 12 | 12 недель | да | EAR99 | неизвестный | 8541.29.00.95 | 4 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 6 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т12 | 7А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 Вт | 7А | 15А | 0,25 Ом | 120 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 850пФ при 10 В | 250 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMA5118 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-sma5118-datasheets-5319.pdf | 12-СИП | Без свинца | 12 | 12 недель | да | неизвестный | 8541.29.00.95 | 4 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 6 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т12 | 5А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 Вт | 5А | 10А | 45 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 770пФ при 10 В | 1,4 Ом при 2,5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9952QPBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irf9952qpbf-datasheets-5326.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 30 В | 2 Вт | N и P-канал | 190пФ при 15В | 100 мОм при 2,2 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 3,5 А 2,3 А | 14 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLA5201 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/sanken-sla5201-datasheets-5328.pdf | 15-SIP Открытая вкладка, сформированные выводы | 15 | 12 недель | да | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 15 | НЕ УКАЗАН | 6 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т15 | 7А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 7А | 600В | 600В | 3 Н и 3 П-канала (3-фазный мост) | Стандартный |
