Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Расстояние между строками | Пороговое напряжение | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НДС9955 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-nds9955-datasheets-9818.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 50В | 900мВт | 2 N-канала (двойной) | 345пФ при 25В | 130 мОм при 3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3А | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS8858H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nds8858h-datasheets-9872.pdf | 4,8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 230,4 мг | 8 | Нет | 1 Вт | 2,5 Вт | 2 | 20нс | 19 нс | 40 нс | 4,8А | 20 В | 30В | N и P-канал | 720пФ при 15В | 35 мОм при 4,8 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 6,3 А 4,8 А | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС9957 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-nds9957-datasheets-9876.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 60В | 900мВт | 2 N-канала (двойной) | 200пФ при 30В | 160 мОм при 2,6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,6А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС9933 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-nds9933-datasheets-9882.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 В | 900мВт | 2 P-канала (двойной) | 870пФ при 10 В | 110 мОм при 3,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,2А | 20 НК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС8936 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nds8936-datasheets-9811.pdf | 30В | 5,3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,05 мм | 230,4 мг | Нет СВХК | 35мОм | 8 | 900мВт | Двойной | 2 Вт | 2 | 13нс | 10 нс | 29 нс | 5,3А | 20 В | 30В | 6,3 мм | 30В | 2 N-канала (двойной) | 720пФ при 15В | 1,6 В | 35 мОм при 5,3 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS9942 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 В | 900мВт | N и P-канал | 525пФ при 10 В | 125 мОм при 1 А, 10 В | 3А 2,5А | 27 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС8926 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nds8926-datasheets-9809.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 В | 900мВт | 2 N-канала (двойной) | 760пФ при 10 В | 35 мОм при 5,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5,5 А | 30 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS8947 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nds8947-datasheets-9866.pdf | -30В | -4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,05 мм | Без свинца | 8 | 230,4 мг | Нет СВХК | 65мОм | 8 | Нет | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | 9 нс | 20нс | 19 нс | 40 нс | -4А | 20 В | -30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | -1,6 В | 4А | -30В | 2 P-канала (двойной) | 690пФ при 15 В | -1,6 В | 65 мОм при 4 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 4А | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMD63P02XTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmd63p02xta-datasheets-9769.pdf | -20В | -1,7А | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,1 мм | 950 мкм | 3,1 мм | Без свинца | 8 | 139,989945мг | Нет СВХК | 270мОм | 8 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,04 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 1,25 Вт | 2 | 3,4 нс | 9,6 нс | 9,6 нс | 16,4 нс | 1,7 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -20В | 2 P-канала (двойной) | 290пФ при 15В | 270 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА (мин) | 5,25 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-3449 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 55В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 690пФ при 25 В | 105 мОм при 3,4 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 3,4А | 38 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДМ3000 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-ndm3000-datasheets-9804.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16-СОИК | 30В | 1,4 Вт | 3 Н и 3 П-канала (3-фазный мост) | 360пФ при 10В | 90 мОм при 3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7102 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/infineontechnologies-irf7102-datasheets-9820.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 50В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 120пФ при 25В | 300 мОм при 1,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2А | 6,6 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS9956A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-nds9956a-datasheets-9835.pdf | 30В | 3,7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,05 мм | Без свинца | 230,4 мг | Нет СВХК | 8 | 900мВт | Двойной | 2 Вт | 2 | 13нс | 5 нс | 21 нс | 3,7А | 20 В | 30В | 6,3 мм | 30В | 2 N-канала (двойной) | 320пФ при 10В | 1,7 В | 80 мОм при 2,2 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 27 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL65DN3LLH5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | STripFET™ V | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stl65dn3llh5-datasheets-9666.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 6 | 6,5 МОм | 8 | CAN, I2C, I2S, SPI, UART, USART, USB | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 120 МГц | е3 | Матовый олово (Sn) | 60 Вт | 260 | СТЛ65 | 8 | Двойной | 30 | 60 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 768КБ | ВСПЫШКА | РУКА | 132 КБ | 32б | 65А | 22В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | Да | 14 | 114 | 19А | 76А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1500пФ при 25В | 6,5 мОм при 9,5 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 12 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS9953A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/onsemiconductor-nds9953a-datasheets-9848.pdf | -30В | -2,9 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,05 мм | Без свинца | Нет СВХК | 8 | 900мВт | Двойной | 2 Вт | 2 | 21нс | 8 нс | 21 нс | 2,9 А | 20 В | -30В | 30В | 6,3 мм | -1,6 В | -30В | 2 P-канала (двойной) | 350пФ при 10В | -1,6 В | 130 мОм при 1 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС8958 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nds8958-datasheets-9855.pdf | 2,9 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 230,4 мг | Нет СВХК | 50мОм | 8 | 900мВт | Двойной | 2 Вт | 2 | 20нс | 19 нс | 40 нс | 4А | 20 В | 1,6 В | 30В | N и P-канал | 720пФ при 15В | 1,6 В | 35 мОм при 5,3 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 5,3А 4А | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМГД8000ЛН,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-pmgd8000ln115-datasheets-9727.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,2 Вт | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 200мВт | 0,125А | 8Ом | 2 N-канала (двойной) | 18,5 пФ при 5 В | 8 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | 125 мА | 0,35 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМК120АМ08CD3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc120am08cd3ag-datasheets-9758.pdf | Модуль Д-3 | Без свинца | 22 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 1,1 кВт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 250А | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1100 Вт | 260А | 2 Н-канала (полумост) | 9500пФ при 1000В | 10 мОм при 200 А, 20 В | 2,2 В при 10 мА (тип.) | 250А Ц | 490 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ50АМ19ФГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50am19fg-datasheets-9759.pdf | СП6 | 7 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1136 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 2 | Р-XUFM-X7 | 18 нс | 35 нс | 77 нс | 87 нс | 163А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1136 Вт | 0,019 Ом | 2 Н-канала (полумост) | 22400пФ при 25В | 22,5 мОм при 81,5 А, 10 В | 5 В при 10 мА | 492 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 203 518 филиппинских песо | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/nexperiausainc-phn203518-datasheets-9761.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 5 нс | 6нс | 11 нс | 21 нс | 6,3А | 20 В | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,03 Ом | 135 пФ | 30В | 2 N-канала (двойной) | 560пФ при 20В | 30 мОм при 7 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 14,6 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMD65P03N8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/diodesincorporated-zxmd65p03n8ta-datasheets-9773.pdf | -30В | -4,4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Содержит свинец | 73,992255мг | 8 | неизвестный | 1,75 Вт | ZXMD65P03 | 8 | 2 | 3,8 нс | 6,4 нс | 26,2 нс | 49,5 нс | 3,8А | 20 В | 30В | 1,25 Вт | -30В | 2 P-канала (двойной) | 930пФ при 25В | 55 мОм при 4,9 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 25,7 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7106 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 20 В | 2 Вт | N и P-канал | 300пФ при 15В | 125 мОм при 1 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 3А 2,5А | 25 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZDM4206NTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/diodesincorporated-zdm4206nta-datasheets-9792.pdf | 60В | 1А | 8-СМД, Крыло Чайки | 10 | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,25 Вт | 260 | ZDM4206N | 2 | 40 | 2,75 Вт | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G10 | 8 нс | 12нс | 15 нс | 12 нс | 1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1А | 1 Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 100пФ при 25В | 1 Ом при 1,5 А, 10 В | 3 В при 1 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS1DNF20 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СТС1Д | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМГД400УН,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,41 Вт | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 410мВт | 0,71 А | 0,48 Ом | 2 N-канала (двойной) | 43пФ при 25В | 480 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 710 мА | 0,89 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS3DNE60L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts3dne60l-datasheets-9681.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС3D | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 20 нс | 30 нс | 16 нс | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 0,1 Ом | 2 N-канала (двойной) | 815пФ при 25В | 80 мОм при 1,5 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 13,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL40C30H3LL | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ VI | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | Без свинца | 8 | NRND (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 60 Вт | НЕ УКАЗАН | СТЛ40 | НЕ УКАЗАН | 30А | 30В | N и P-канал | 475пФ при 24В | 21 мОм при 4 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 40А 30А | 4,6 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 225 118 филиппинских песо | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/nexperiausainc-php225118-datasheets-9708.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 16 недель | 8 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | 2,3А | 20 В | -30В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МС-012АА | -30В | 2 P-канала (двойной) | 250пФ при 20В | 250 мОм при 1 А, 10 В | 2,8 В при 1 мА | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMN2AMCTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-zxmn2amcta-datasheets-9694.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | Без свинца | 8 | 10 недель | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 Вт | 260 | 8 | 40 | 2,45 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 2,3 нс | 2,6 нс | 1,3 нс | 1,6 нс | 3,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 299пФ при 15 В | 120 мОм при 4 А, 4,5 В | 3 В при 250 мкА | 3,7А Та | 3,1 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMWD26UN,518 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nxpusainc-pmwd26un518-datasheets-9717.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | EAR99 | неизвестный | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт | МО-153АБ | 5,2А | 7800Ом | 2 N-канала (двойной) | 1366пФ при 16 В | 30 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 700 мВ @ 1 мА | 7,8А | 23,6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня |
