Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | мощность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Расстояние между строками | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Время включения-Макс (тонна) | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD88539NDT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 540,001716мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 1,58 мм | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Золото | е4 | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | CSD88539 | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | 5 нс | 9нс | 4 нс | 14 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 6,3А | 46А | 0,034Ом | 2 N-канала (двойной) | 741пФ при 30 В | 28 мОм при 5 А, 10 В | 3,6 В при 250 мкА | 9,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM680P06DPQ56 РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm680p06dpq56rlg-datasheets-5415.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 20 недель | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,5 Вт | 12А | 48А | 0,068Ом | 7,2 мДж | 2 P-канала (двойной) | 870пФ при 30В | 68 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12А Ц | 16,4 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC8200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmc8200-datasheets-5399.pdf | 8-PowerWDFN | 3 мм | 750 мкм | 3 мм | Без свинца | 8 | 23 недели | 186 мг | Нет СВХК | 20МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Золото | 900мВт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2,2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 4нс | 6 нс | 38 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖ-ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,3 В | 700 МВт 900 МВт | 8А | 40А | 30 пФ | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 15 В | 30 нс | 2,3 В | 20 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8А 12А | 10 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС9945 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-nds9945-datasheets-5496.pdf | 60В | 3,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,57 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 11 недель | 230,4 мг | Нет СВХК | 100мОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,6 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 1,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 7,5 нс | 7 нс | 20 нс | 3,5 А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 В | 900мВт | 10А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 345пФ при 25В | 1,7 В | 100 мОм при 3,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS89161LZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fds89161lz-datasheets-5440.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | 8 | 13 недель | 187 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,6 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 31 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 3,8 нс | 10 нс | 10 нс | 9,5 нс | 2,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15А | 0,105 Ом | 13 мДж | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 302пФ при 50В | 105 мОм при 2,7 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5,3 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4900DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,98 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si4900dyt1e3-datasheets-5430.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 58мОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4900 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | 10 нс | 15 нс | 10 нс | 20 нс | 5,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт | 60В | 2 N-канала (двойной) | 665пФ при 15В | 58 мОм при 4,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS89161 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fds89161-datasheets-5481.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 мм | 1,5 мм | 5 мм | Без свинца | 8 | 11 недель | 187 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 31 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 3,1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 4,2 нс | 1,3 нс | 1,9 нс | 7,3 нс | 2,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 1,6 Вт | 0,105 Ом | 5 пФ | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 210пФ при 50В | 105 мОм при 2,7 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 4,1 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7311TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7311trpbf-datasheets-5406.pdf | 20 В | 6,6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 29мОм | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7311PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | 8,1 нс | 17нс | 31 нс | 38 нс | 6,6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВ | 77 нс | 100 мДж | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 900пФ при 15В | 29 мОм при 6 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 27 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ340ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerPAIR®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-siz340dtt1ge3-datasheets-5238.pdf | 8-PowerWDFN | 3 мм | 750 мкм | 3 мм | 8 | 14 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | 31 Вт | 2 | Двойной | 2 | 13 нс | 55нс | 7 нс | 16 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,4 В | 16,7 Вт 31 Вт | 100А | 0,0095Ом | 5 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 760пФ при 15В | 9,5 мОм при 15,6 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 30А 40А | 19 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQS4901TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fqs4901tf-datasheets-5324.pdf | 400В | 450 мА | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 4 недели | 230,4 мг | Нет СВХК | 4,2 Ом | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | FQS4901 | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 20нс | 35 нс | 20 нс | 450 мА | 25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4В | 0,45 А | 400В | 2 N-канала (двойной) | 210пФ при 25В | 4,2 Ом при 225 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7,5 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJB00EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqjb00ept1ge3-datasheets-5369.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4 | 14 недель | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 48 Вт | 25А | 84А | 0,013Ом | 26,5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1700пФ при 25В | 13 мОм при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 30А Ц | 35 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К52-60Э,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-buk9k5260e115-datasheets-4894.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 4 | 12 недель | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | не_совместимо | е3 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | 32 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 20 | 32 Вт | 2 | Р-ПССО-Г4 | 6,2 нс | 10,1 нс | 9 нс | 10,7 нс | 16А | 10 В | 60В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 64А | 0,055 Ом | 11,9 мДж | 2 N-канала (двойной) | 725пФ при 25В | 49 мОм при 5 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 10 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5К680НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c680nlt1g-datasheets-5075.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 3 Вт Та 19 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 350пФ при 25В | 28 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 13 мкА | 7,5 А Та 26 А Тс | 2 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7101TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7101trpbf-datasheets-5097.pdf | 20 В | 3,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 100мОм | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7101PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 7 нс | 10 нс | 30 нс | 24 нс | 3,5 А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | 3В | 14А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 320пФ при 15В | 3 В | 100 мОм при 1,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4590DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4590dyt1ge3-datasheets-5123.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 14 недель | 183 мОм | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 2 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,4 Вт 3,4 Вт | 5,6А | N и P-канал | 360пФ при 50В | 57 мОм при 2 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 3,4 А 2,8 А | 11,5 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS9934C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fds9934c-datasheets-5125.pdf | 6,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | 187 мг | Нет СВХК | 30МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 5 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 16 нс | 9нс | 9 нс | 25 нс | 6,5 А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 900мВт | 20 В | N и P-канал | 650пФ при 10 В | 1 В | 30 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6,5А 5А | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSD62666E | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 60В | 2,5 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 755пФ при 30 В | 14,5 мОм при 9,5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 9,5А Та | 10 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMC3AMCTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-zxmc3amcta-datasheets-5179.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3,08 мм | 780 мкм | 2,075 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | Нет СВХК | 210мОм | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | 8 | 40 | 2,45 Вт | 2 | Другие транзисторы | 1,5 нс | 2,8 нс | 7,5 нс | 11,3 нс | 2,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,7А | 13А | -30В | N и P-канал | 190пФ при 25В | 120 мОм при 2,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,9 А 2,1 А | 3,9 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7307TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7307trpbf-datasheets-5044.pdf | 5,2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 50мОм | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7307PBF | 2 Вт | 2 | 26нс | 33 нс | 51 нс | 5,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВ | 20 В | N и P-канал | 660пФ при 15 В | 700 мВ | 50 мОм при 2,6 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 5,2 А 4,3 А | 20 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM6866SDCA РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm6866sdcarvg-datasheets-5135.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 18 недель | 8-ЦСОП | 20 В | 1,6 Вт | 2 N-канала (двойной) | 565пФ при 8В | 30 мОм при 6 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА | 6А Та | 5нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUD3A50PZTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntlud3a50pztag-datasheets-5173.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 2 мм | 500 мкм | 2 мм | Без свинца | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 500мВт | 6 | Двойной | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | 7 нс | 39 нс | 2,8А | 8В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,4А | 2 P-канала (двойной) | 920пФ при 15 В | 50 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 10,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5504BDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 14 недель | 84,99187мг | Неизвестный | 140мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,1 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | СИ5504 | 8 | 2 | 30 | 1,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,12 Вт 3,1 Вт | 4А | 10А | 30 В | N и P-канал | 220пФ при 15В | 1,5 В | 65 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4А 3,7А | 7 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7223DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen III | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si7223dnt1ge3-datasheets-5177.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 14 недель | PowerPAK® 1212-8 двойной | 30 В | 2,6 Вт Та 23 Вт Тс | 2 P-канала (двойной) | 1425пФ при 15В | 26,4 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 6А Тк | 40 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6990AS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fds6990as-datasheets-5222.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 22мОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 150°С | 8 нс | 8нс | 8 нс | 24 нс | 7,5 мА | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 В | 7,5 А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 550пФ при 15В | 1,7 В | 22 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 1 мА | 7,5 А | 14 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN4034SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmn4034ssd13-datasheets-4863.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMN4034SSD | 8 | Двойной | 40 | 2,14 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 2,7 нс | 2,7 нс | 6 нс | 14 нс | 4,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3А | 0,034Ом | 2 N-канала (двойной) | 453пФ при 20 В | 34 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС9948 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-nds9948-datasheets-4787.pdf | -60В | -2,3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 20 недель | 187 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6 нс | 9нс | 3 нс | 16 нс | 2,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,5 В | 900мВт | 10А | 15 мДж | -60В | 2 P-канала (двойной) | 394пФ при 30 В | -1,5 В | 250 мОм при 2,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8984 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fds8984-datasheets-4474.pdf | 30 В | 7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 23МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,6 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 1,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 9нс | 9 нс | 42 нс | 7мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 В | 7А | 30А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 635пФ при 15 В | 1,7 В | 23 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC2020USD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmc2020usd13-datasheets-4753.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 16 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2 | Другие транзисторы | 94,1 нс | 6,3А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,5 А | 33,6А | 20 В | N и P-канал | 1149пФ при 10 В | 20 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7,8 А 6,3 А | 11,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP3036SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmp3036ssd13-datasheets-4794.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 23 недели | 8 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 10,6А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 Вт | 0,02 Ом | 2 P-канала (двойной) | 1931пФ при 15В | 20 мОм при 9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9952TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf9952trpbf-datasheets-4868.pdf | 3,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 100мОм | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF9952PBF | 2 Вт | 2 | 14нс | 20 нс | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 16А | 44 мДж | 30 В | N и P-канал | 190пФ при 15В | 1 В | 100 мОм при 2,2 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 3,5 А 2,3 А | 14 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
