Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMD6N02R2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-ntmd6n02r2g-datasheets-3840.pdf | 20 В | 6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 45 недель | Нет СВХК | 35МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | ДА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTMD6N02 | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 50 нс | 80 нс | 45 нс | 6,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 730мВт | 30А | 360 мДж | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1100пФ при 16В | 900 мВ | 35 мОм при 6 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3,92А | 20 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJB68EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqjb68ept1ge3-datasheets-4051.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 1,267 мм | 12 недель | 2 | 27 Вт | 175°С | PowerPAK® SO-8 двойной | 9 нс | 15 нс | 11А | 20 В | 100 В | 27 Вт | 76,5 мОм | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 280пФ при 25В | 92 мОм при 4 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 11А Ц | 8 нк @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8K52FRATB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | EAR99 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 3А | 12А | 0,19 Ом | 2 N-канала (двойной) | 610пФ при 25 В | 170 мОм при 3 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3А Та | 8,5 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8858CZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fds8858cz-datasheets-4053.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | 187 мг | Нет СВХК | 17мОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 16 нс | 33 нс | 8,6А | 25В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | -60В | N и P-канал | 1205пФ при 15В | 1,6 В | 17 мОм при 8,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,6 А 7,3 А | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD3P03R2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nvmd3p03r2g-datasheets-6318.pdf | -30В | -3,05А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 85МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | NTMD3P03 | 8 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 16 нс | 16нс | 45 нс | 45 нс | -3,05А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 730мВт | 135 пФ | -30В | 2 P-канала (двойной) | 750пФ при 24В | -1,7 В | 85 мОм при 3,05 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 2,34А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipg20n04s4l11aatma1-datasheets-2825.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 6 | 12 недель | 8 | да | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 41 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 41 Вт | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 20А | 16 В | 40В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0116Ом | 2 N-канала (двойной) | 1990 пФ при 25 В | 11,6 мОм при 17 А, 10 В | 2,2 В @ 15 мкА | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ200EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj200ept1ge3-datasheets-4098.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | EAR99 | неизвестный | 48 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60А | 20 В | 27 Вт 48 Вт | 2 N-канала (двойной) | 975пФ при 10 В | 8,8 мОм при 16 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 20А 60А | 18 НК @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4886 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4886-datasheets-1032.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 13 недель | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 3,3А | 20 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 942пФ при 50 В | 80 мОм при 3 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS4897AC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fds4897ac-datasheets-3927.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 187 мг | Нет СВХК | 26МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 8 нс | 3нс | 3 нс | 17 нс | 5,2А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 6,1А | 40В | N и P-канал | 1055пФ при 20В | 26 мОм при 6,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,1А 5,2А | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTM684110LBF | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-mtm684110lbf-datasheets-3899.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 780 мкм | 2,4 мм | 8 | 10 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | неизвестный | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | МТМ68411 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 9 нс | 11нс | 160 нс | 270 нс | -4,8А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,032Ом | 2 P-канала (двойной) | 1400пФ при 10В | -650 мВ | 32 мОм при 1 А, 5 В | 1 В @ 1 мА | 4,8А | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5К478НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nvmfd5c478nt1g-datasheets-3956.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,1 Вт Та 23 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 325пФ при 25В | 17 мОм при 7,5 А, 10 В | 3,5 В при 20 мкА | 9,8 А Та 27 А Цс | 6,3 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К89-100ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-buk7k89100ex-datasheets-3973.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 38 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 13А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 38 Вт | 51А | 19,5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 811пФ при 25 В | 82,5 мОм при 5 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 13,6 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД210800АСКЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald210800scl-datasheets-3202.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 16 | 500мВт | 500мВт | 16-СОИК | 15пФ | 10 нс | 80 мА | 10,6 В | 500мВт | 25Ом | 10 В | 4 N-канала, согласованная пара | 15пФ @ 5В | 25Ом | 10 мВ @ 10 мкА | 80 мА | Ворота логического уровня | 25 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4501BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4501bdyt1ge3-datasheets-3768.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 14 недель | 540,001716мг | Нет СВХК | 8 | Олово | 4,5 Вт | 2 | Двойной | 2 | 8-СОИК | 805пФ | 6 нс | 12нс | 9 нс | 35 нс | 12А | 8В | 30В 8В | 800мВ | 4,5 Вт 3,1 Вт | 21мОм | N и P-каналы, общий сток | 805пФ при 15 В | 17 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 12А 8А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 17 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| US6K4TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohmsemiconductor-us6k4tr-datasheets-3651.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 16 недель | 6 | Нет | 1 Вт | *К4 | Двойной | 1 Вт | ТУМТ6 | 110пФ | 5 нс | 5нс | 3 нс | 20 нс | 1,5 А | 10 В | 20 В | 1 Вт | 130 мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 110пФ при 10В | 180 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 1,5 А | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 180 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLDM3757 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmldm3757trpbfree-datasheets-3705.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 42 недели | ДА | Другие транзисторы | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 0,35 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350мВт | 0,54 А | N и P-канал | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 540 мА 430 мА | 1,58 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC1018UPD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmc1018upd13-datasheets-3828.pdf | 8-PowerTDFN | 17 недель | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,3 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 6,9А | 12 В 20 В | N и P-канал | 1525пФ при 6В | 17 мОм при 11,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 9,5 А 6,9 А | 30,4 НК при 8 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЛУД4К26НТАГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | µCool™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ntlud4c26ntag-datasheets-3849.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | Без свинца | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 30 В | 2,63 Вт | 2 N-канала (двойной) | 460пФ при 15В | 21 мОм при 6 А, 10 В | 1,1 В @ 250 мкА | 9.1А Та | 9 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВММ650-01Ф | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/ixys-vmm65001f-datasheets-1016.pdf | Y3-Ли | Без свинца | 9 | 6 | да | EAR99 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | ВММ | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПУФМ-Х9 | 250 нс | 250 нс | 400 нс | 680А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0018Ом | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 2,2 мОм при 500 А, 10 В | 4 В при 30 мА | 1440 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA3028N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdma3028n-datasheets-3870.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 2 мм | 800 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 40мг | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,5 Вт | Двойной | 1,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5,3 нс | 3нс | 2,5 нс | 15 нс | 3,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВт | 45 пФ | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 375пФ при 15В | 68 мОм при 3,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5,2 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si6954adqt1e3-datasheets-6320.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 14 недель | 157,991892мг | Неизвестный | 8 | Нет | 830мВт | СИ6954 | 2 | Двойной | 830мВт | 2 | 8-ЦСОП | 12 нс | 10 нс | 10 нс | 23 нс | 3,4А | 20 В | 30 В | 1В | 830мВт | 53мОм | 2 N-канала (двойной) | 53 мОм при 3,4 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 3,1А | 16 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 53 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN6022SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dmn6022ssd13-datasheets-3866.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 19 недель | 60В | 1,2 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 2110пФ при 30 В | 29 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А Та 14А Ц | 32 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD4N03R2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntmd4n03r2g-datasheets-3741.pdf | 30 В | 4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 36 недель | 48МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTMD4N03 | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 7 нс | 14нс | 10 нс | 16 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 400пФ при 20В | 60 мОм при 4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2806 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 4,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 4-XDFN | 16 недель | 4 | 700мВт | 4-АльфаДФН (1,7х1,7) | 700мВт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 12,5 нК @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC3021LSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmc3021lsd13-datasheets-3634.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | 8 | 16 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMC3021 | 8 | 40 | 2,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | 50,1 нс | 8,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | N и P-канал | 767пФ при 10 В | 21 мОм при 7 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 8,5А 7А | 16,1 нк при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД110900ПАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardevicesinc-ald110900apal-datasheets-3190.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-ПДИП | 2,5 пФ | 10 нс | 12 мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 4 В | 20 мВ @ 1 мкА | Стандартный | 500 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ900ЕДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sib900edkt1ge3-datasheets-3733.pdf | PowerPAK® SC-75-6L двойной | 6 | 6 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Нет | 3,1 Вт | 260 | СИБ900 | 6 | 40 | 2 | Полномочия общего назначения FET | 20 нс | 12нс | 12 нс | 70 нс | 1,5 А | 6В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,225 Ом | 2 N-канала (двойной) | 225 мОм при 1,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA913ADJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sia913adjt1ge3-datasheets-3734.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | 6 | 14 недель | 28,009329мг | да | EAR99 | Олово | Нет | 6,5 Вт | 260 | SIA913 | 3 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Другие транзисторы | S-XDSO-N6 | 20 нс | 25нс | 25 нс | 30 нс | 4,3А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,5 А | 0,061 Ом | -12В | 2 P-канала (двойной) | 590пФ при 6В | 61 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,5 А | 20 НК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН61Д8ЛВТ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn61d8lvt7-datasheets-1664.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 17 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 820мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 630 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 820мВт | 0,63 А | 2,4 Ом | 2 N-канала (двойной) | 12,9 пФ при 12 В | 1,8 Ом при 150 мА, 5 В | 2 В при 1 мА | 0,74 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ8822УТС-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmg8822uts13-datasheets-3570.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | 20 недель | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 870мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 7,8 нс | 21,1 нс | 10,1 нс | 38,6 нс | 4,9А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 841пФ при 10 В | 25 мОм при 8,2 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 4,9А Та | 9,6 нк при 4,5 В | Стандартный |
