Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Минимальное входное напряжение | Тип выхода | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (макс.) | Выходной ток-Макс. | Выходной ток на канале | Техника управления | Конфигурация коммутатора | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Частота переключения-Макс. | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Время включения-Макс (тонна) | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АЛД1102ПАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/advancedlineardevicesinc-ald1102sal-datasheets-3509.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-ПДИП | 16 мА | -13,2 В | 10,6 В | 500мВт | 180Ом | -12В | 2 P-канальных (двойных) согласованных пар | 10пФ при 5В | 270 Ом при 5 В | 1,2 В @ 10 мкА | Стандартный | 270 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7949DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si7949dpt1e3-datasheets-8969.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,5 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7949 | 8 | Двойной | 30 | 1,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C6 | 8 нс | 9нс | 30 нс | 65 нс | -5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -3В | 0,064Ом | -60В | 2 P-канала (двойной) | 64 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,2А | 40 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТЛ15ДН4Ф5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ V | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stl15dn4f5-datasheets-5781.pdf | 8-PowerVDFN | 4,75 мм | 850 мкм | 5,75 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | Нет СВХК | 9МОм | 5 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 60 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | STL15 | 8 | Двойной | 60 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 18 нс | 45нс | 5 нс | 32 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 40В | 2 N-канала (двойной) | 1550пФ при 25В | 9 мОм при 7,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DN2625DK6-G | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microchiptechnology-dn2625dk6g-datasheets-5797.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 8 | 16 недель | 37,393021мг | 3,5 Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | 11А | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 250 В | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2 | Двойной | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н8 | 10 нс | 20нс | 20 нс | 10 нс | 1,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 1000пФ при 25В | 3,5 Ом при 1 А, 0 В | 7,04 нК @ 1,5 В | Режим истощения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5873НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5873nlt1g-datasheets-5808.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 | 13 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 3,1 Вт | ПЛОСКИЙ | 8 | Двойной | 3,1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 190А | 0,013Ом | 40 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 1560пФ при 25В | 13 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 30,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLA5085 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-sla5085-datasheets-5811.pdf | 12-СИП | 12 | 12 недель | да | EAR99 | неизвестный | 8541.29.00.95 | 5 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 5 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т12 | 10А | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 5 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5 Вт | 0,22 Ом | 30 мДж | 5 N-каналов, общий источник | 320пФ при 10В | 220 мОм при 3 А, 4 В | 2 В @ 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД1105ПБЛ | Advanced Linear Devices Inc. | $6,33 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancedlineardevicesinc-ald1105sbl-datasheets-9299.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 14 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 14-ПДИП | 2мА | 13,2 В | 10,6 В | 500мВт | 1,2 кОм | -12В | Согласованная пара из 2 N и 2 P-каналов | 3пФ @ 5В | 500 Ом при 5 В | 1 В @ 1 мкА | Стандартный | 500 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н04С408ААТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipg20n04s408aatma1-datasheets-5581.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 12 недель | 8 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 65 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20А | 40В | 40В | 2 N-канала (двойной) | 2940пФ при 25В | 7,6 мОм при 17 А, 10 В | 4 В @ 30 мкА | 36 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS2DNF30L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts2dnf30l-datasheets-5256.pdf | 30 В | 3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 50,8 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 8 | 4.535924г | Нет СВХК | 8 | NRND (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС2Д | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 19 нс | 20нс | 8 нс | 12 нс | 3А | 18В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 В | 3А | 9А | 0,15 Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 121пФ при 25В | 110 мОм при 1 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 4,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ50АМ24СГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-aptm50am24sg-datasheets-5847.pdf | СП6 | Без свинца | 7 | 16 недель | 7 | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 1,25 кВт | 2 | 10 нс | 17нс | 41 нс | 50 нс | 150А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 600А | 1300 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 19600пФ при 25В | 28 мОм при 75 А, 10 В | 5 В при 6 мА | 434 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД1107ПБЛ | Advanced Linear Devices Inc. | $5,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancedlineardevicesinc-ald1107sbl-datasheets-9190.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 | 8 недель | 14 | да | EAR99 | неизвестный | 500мВт | ДВОЙНОЙ | 500мВт | 4 | 2мА | -13,2 В | КРЕМНИЙ | ОБЩАЯ ПОДЛОЖКА, 4 ЭЛЕМЕНТА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10,6 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -12В | 4 P-канала, согласованная пара | 3пФ @ 5В | 1800 Ом при 5 В | 1 В @ 1 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД1117САЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald1107sbl-datasheets-9190.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 недель | 8 | да | EAR99 | неизвестный | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 500мВт | 2 | 2мА | -13,2 В | КРЕМНИЙ | ОБЩАЯ ПОДЛОЖКА, 2 ЭЛЕМЕНТА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10,6 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -12В | 2 P-канальных (двойных) согласованных пар | 3пФ @ 5В | 1800 Ом при 5 В | 1 В @ 1 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8958A-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-fds8958af085-datasheets-5686.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 5 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 2 Вт | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900мВт | 7А | 20А | 0,028 Ом | 54 мДж | N и P-канал | 575пФ при 15В | 28 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7А 5А | 16 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6990A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fds6990a-datasheets-5488.pdf | 30 В | 7,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,57 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 18МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 1,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 5нс | 5 нс | 28 нс | 7,5 А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1235пФ при 15В | 1,9 В | 18 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 17 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ912AEP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-sqj912aept1ge3-datasheets-5421.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | 48 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г4 | 30А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 48 Вт | 120А | 0,0093Ом | 34 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1835пФ при 20В | 9,3 мОм при 9,7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 38 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c446nlwft1g-datasheets-5767.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,5 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 3170пФ при 25 В | 2,65 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В при 90 мкА | 25А Та 145А Ц | 25 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87334Q3DT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-csd87334q3dt-datasheets-1496.pdf | 8-PowerTDFN | 3,3 мм | 3,3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 900 мкм | Золото | не_совместимо | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 6 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | CSD87334 | КОММУТАЦИОННЫЙ КОНТРОЛЛЕР | НЕ УКАЗАН | 20 мА | 30 В | 12 В | 24В | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | БАК | 1500 кГц | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1260пФ при 15В | 6 мОм при 12 А, 8 В | 1,2 В @ 250 мкА | 8,3 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н04С4Л08АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-ipg20n04s4l08atma1-datasheets-5551.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 8 | 12 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 54 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 7 нс | 3нс | 20 нс | 40 нс | 20А | 16 В | 40В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 54 Вт | 145 мДж | 2 N-канала (двойной) | 3050пФ при 25В | 8,2 мОм при 17 А, 10 В | 2,2 В @ 22 мкА | 39 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н10С4Л35АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-ipg20n10s4l35atma1-datasheets-5294.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 12 недель | 8 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 43 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 43 Вт | 2 | 3 нс | 2нс | 13 нс | 18 нс | 20А | 16 В | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 1105пФ при 25В | 35 мОм при 17 А, 10 В | 2,1 В @ 16 мкА | 17,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6968BEDQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si6968bedqt1e3-datasheets-5597.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 157,991892мг | Неизвестный | 22мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6968 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 245 нс | 330 нс | 510 нс | 860 нс | 5,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600мВ | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 600 мВ | 22 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,6 В @ 250 мкА | 18 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5908DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si5908dct1e3-datasheets-5599.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 8 | 14 недель | 84,99187мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5908 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 20 нс | 36нс | 36 нс | 30 нс | 5,9А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 4,4А | 0,04 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 40 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,4А | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87381PT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 5-ЛГА | 3 мм | 480 мкм | 2,5 мм | Без свинца | 5 | 6 недель | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 400 мкм | EAR99 | Золото | 1 | 24В | е4 | 4 Вт | НЕУКАЗАНО | НЕУКАЗАНО | 260 | CSD87381 | 2 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | Двойной | НЕ УКАЗАН | 15А | 1,3 В | -800мВ | Регулируемый | 7,9 нс | 16,3 нс | 2,9 нс | 16,8 нс | 15А | 10 В | 30 В | 1 | 12 В | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | БАК | 2 Н-канала (полумост) | 564 пФ при 15 В | 16,3 мОм при 8 А, 8 В | 1,9 В @ 250 мкА | 5нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4564DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si4564dyt1ge3-datasheets-5645.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,75 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 21мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4564 | 8 | 2 | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 42 нс | 40 нс | 15 нс | 40 нс | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВ | 3,1 Вт 3,2 Вт | 8А | N и P-канал | 855пФ при 20 В | 800 мВ | 17,5 мОм при 8 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 10А 9,2А | 31 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87381P | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 5-ЛГА | 3 мм | 480 мкм | 2,5 мм | Без свинца | 5 | 6 недель | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 400 мкм | EAR99 | Золото | 1 | е4 | 4 Вт | НЕУКАЗАНО | НЕУКАЗАНО | 260 | CSD87381 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 4 Вт | 40А | 16,3 нс | 2,9 нс | 16,8 нс | 15А | 8В | 30 В | 1 | 12 В | 24В | 15А | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | БАК | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 564 пФ при 15 В | 16,3 мОм при 8 А, 8 В | 1,9 В @ 250 мкА | 5нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4599DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si4599dyt1ge3-datasheets-5317.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 540,001716мг | Неизвестный | 45мОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 3,1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4599 | 8 | 2 | 40 | 3 Вт | 2 | 44 нс | 33нс | 13 нс | 30 нс | 6,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 В | 3 Вт 3,1 Вт | 5,6А | 40В | N и P-канал | 640пФ при 20В | 35,5 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,8 А 5,8 А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9362TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf9362trpbf-datasheets-5058.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 21МОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF9362PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 5,2 нс | 5,9 нс | 53 нс | 115 нс | -8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,8 В | 8А | 64А | 94 мДж | -30В | 2 P-канала (двойной) | 1300пФ при 25В | -1,8 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 25 мкА | 8А | 39 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87333Q3D | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 3,3 мм | 3,3 мм | Содержит свинец | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 900 мкм | EAR99 | Золото | не_совместимо | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 6 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | CSD87333 | 2 | КОММУТАЦИОННЫЙ КОНТРОЛЛЕР | НЕ УКАЗАН | 3,9 нс | 2,2 нс | 15А | 10 В | 30 В | 950 мВ | 12 В | 40А | ШИМ | БАК-БУСТ | 1500 кГц | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 662пФ при 15 В | 14,3 мОм при 4 А, 8 В | 1,2 В @ 250 мкА | 4,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC8200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmc8200-datasheets-5399.pdf | 8-PowerWDFN | 3 мм | 750 мкм | 3 мм | Без свинца | 8 | 23 недели | 186 мг | Нет СВХК | 20МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Золото | 900мВт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2,2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 4нс | 6 нс | 38 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖ-ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,3 В | 700 МВт 900 МВт | 8А | 40А | 30 пФ | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 15 В | 30 нс | 2,3 В | 20 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8А 12А | 10 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС9945 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-nds9945-datasheets-5496.pdf | 60В | 3,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,57 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 11 недель | 230,4 мг | Нет СВХК | 100мОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,6 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 1,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 7,5 нс | 7 нс | 20 нс | 3,5 А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 В | 900мВт | 10А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 345пФ при 25В | 1,7 В | 100 мОм при 3,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS89161LZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fds89161lz-datasheets-5440.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | 8 | 13 недель | 187 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,6 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 31 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 3,8 нс | 10 нс | 10 нс | 9,5 нс | 2,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15А | 0,105 Ом | 13 мДж | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 302пФ при 50В | 105 мОм при 2,7 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5,3 нк при 10 В | Стандартный |
