Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДМП3028ЛСД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmp3028lsd13-datasheets-4447.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 23 недели | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | 260 | 30 | Другие транзисторы | 6А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,3 Вт | 6А | 2 P-канала (двойной) | 1241пФ при 15В | 25 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10,9 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsl308peh6327xtsa1-datasheets-4500.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9 мм | 1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 6 | да | Без галогенов | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 5,6 нс | 7,7 нс | 2,8 нс | 15,3 нс | 2А | 20 В | -30В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 0,08 Ом | 18 пФ | 2 P-канала (двойной) | 500пФ при 15В | 80 мОм при 2 А, 10 В | 1 В @ 11 мкА | 5 нк @ 10 В | Ворота логического уровня, привод 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsl308ch6327xtsa1-datasheets-4459.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 10 недель | 6 | Без галогенов | 500мВт | ПГ-ЦОП-6-6 | 275пФ | 2А | -30В | 30 В | 500мВт | 44мОм | Дополняющие N и P-каналы | 275пФ при 15В | 57 мОм при 2,3 А, 10 В | 2 В при 11 мкА | 2,3 А 2 А | 1,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4,5 В | 57 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMT3020LFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmt3020lfdb7-datasheets-4482.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 23 недели | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 700мВт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | 7,7А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВт | 0,02 Ом | 2 N-канала (двойной) | 393пФ при 15 В | 20 мОм при 9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УС6М2ТР | РОМ Полупроводник | 0,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | 1,5 А | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | 16 недель | Нет СВХК | 340МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 1 Вт | 260 | *М2 | 6 | Двойной | 10 | 1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 25 нс | 1А | 12 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В 20В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | -20В | N и P-канал | 80пФ при 10В | 1,5 В | 240 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 1,5 А 1 А | 2,2 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC4047LSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmc4047lsd13-datasheets-4583.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | 8 | 23 недели | 73,992255мг | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,8 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | 2 | 8,7 нс | 19,6 нс | 25,5 нс | 34,9 нс | 5,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,3 Вт | 7А | 40В | N и P-канал | 1060пФ при 20В | 24 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 7А 5,1А | 19,1 нк при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4936CDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4936cdyt1ge3-datasheets-4603.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 40мОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2,3 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4936 | 8 | 30 | 2,3 Вт | 2 | 12 нс | 13нс | 13 нс | 16 нс | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 5А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 325пФ при 15В | 40 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,8А | 9 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-zxmp6a17dn8ta-datasheets-4103.pdf | -60В | -3,1А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Содержит свинец | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 125 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2,15 Вт | 2 | Другие транзисторы | 2,6 нс | 3,4 нс | 11,3 нс | 26,2 нс | 3,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,81 Вт | 11,1А | 2 P-канала (двойной) | 637пФ при 30 В | 125 мОм при 2,3 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 2,7А | 17,7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8654-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ech8654tlh-datasheets-3836.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 8 | 16 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 1,5 Вт | ECH8654 | 8 | Двойной | 1,5 Вт | 2 | 14 нс | 55нс | 68 нс | 92 нс | 5А | 10 В | КРЕМНИЙ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 40А | 2 P-канала (двойной) | 960пФ при 10 В | 38 мОм при 3 А, 4,5 В | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMHC4035LSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmhc4035lsd13-datasheets-4175.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | 23 недели | 73,992255мг | 8 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,5 Вт | 2 | 3,6 нс | 2,9 нс | 15,3 нс | 36,3 нс | 3,7А | 20 В | 40В | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 574 пФ при 20 В | 45 мОм при 3,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,5 А 3,7 А | 12,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФД4К20НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ntmfd4c20nt1g-datasheets-4111.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 24 недели | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 1,15 Вт | 8 | Двойной | Полевой транзистор общего назначения | 13,7А | 20 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,09 Вт 1,15 Вт | 27,4А | 2 N-канала (двойной) | 970пФ при 15В | 7,3 мОм при 10 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 9,1А 13,7А | 9,3 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6900AS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fds6900as-datasheets-4198.pdf | 30 В | 8,2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 3,99 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | 187 мг | Нет СВХК | 27МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 4нс | 3 нс | 23 нс | 8,2А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 В | 900мВт | 6,9А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 600пФ при 15В | 1,9 В | 27 мОм при 6,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,9 А 8,2 А | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7904BDN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7904bdnt1ge3-datasheets-7920.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 30мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 17,8 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7904 | 8 | Двойной | 30 | 2,5 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C6 | 5 нс | 15 нс | 5 нс | 25 нс | 6А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | УСИЛИТЕЛЬ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 2 N-канала (двойной) | 860пФ при 10 В | 30 мОм при 7,1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 24 НК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6898A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fds6898a-datasheets-4152.pdf | 20 В | 9,4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 14МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 10 нс | 15 нс | 16 нс | 34 нс | 9,4А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500 мВ | 900мВт | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1821пФ при 10 В | 1 В | 14 мОм при 9,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 23 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA906EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sia906edjt1ge3-datasheets-4245.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 2,05 мм | 850 мкм | 2,05 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | 46мОм | 6 | да | EAR99 | Олово | C-07431-ДВОЙНОЙ | неизвестный | е3 | 7,8 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 6 | Двойной | 40 | 1,9 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 150°С | 5 нс | 12нс | 12 нс | 15 нс | 4,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 350пФ при 10В | 46 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УС6К1ТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-us6k1tr-datasheets-4206.pdf | 30 В | 1,5 А | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | 16 недель | Нет СВХК | 340МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 Вт | 260 | *К1 | 6 | Двойной | 10 | 1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 7 нс | 9нс | 6 нс | 15 нс | 1,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 80пФ при 10В | 240 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 2,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8660-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-ech8660tlh-datasheets-4279.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 33 недели | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1,5 Вт | 8 | Двойной | 45 нс | 4,5 А | 20 В | 30 В | N и P-канал | 240пФ при 10В | 59 мОм при 2 А, 10 В | 4,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ322ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-siz322dtt1ge3-datasheets-4273.pdf | 8-PowerWDFN | 800 мкм | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 3,7 Вт | 150°С | 10 нс | 15 нс | 19А | 16,7 Вт Тс | 25В | 2 N-канала (двойной) | 950пФ при 12,5 В | 6,35 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 30А Ц | 20,1 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLHS6376TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-irlhs6376trpbf-datasheets-4321.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 | 12 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,5 Вт | IRLHS6376 | Двойной | 1,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 4,4 нс | 11нс | 9,4 нс | 11 нс | 3,6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВ | 3,4А | 0,082Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 270пФ при 25В | 800 мВ | 63 мОм при 3,4 А, 4,5 В | 1,1 В @ 10 мкА | 2,8 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5К466НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c466nlwft1g-datasheets-0963.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3 Вт Та 40 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 997пФ при 25 В | 7,4 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 30 мкА | 14А Та 52А Ц | 7 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4800Б | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-ao4800b-datasheets-1156.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 16 недель | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 70 пФ | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 15В | 27 мОм при 6,9 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8K2TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | 1,25 Вт | 260 | *К2 | 8 | 2 | 10 | 2 | 8 нс | 12нс | 13 нс | 29 нс | 3,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,077Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 285пФ при 10В | 54 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 4,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM9926DCS РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm9926dcsrlg-datasheets-3863.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8-СОП | 20 В | 1,6 Вт | 2 N-канала (двойной) | 562пФ при 8В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 600 мВ при 250 мкА | 6А Тк | 7,1 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М2ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-sh8m2tb1-datasheets-3995.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | 2 Вт | *М2 | 2 Вт | 8-СОП | 140пФ | 3,5 А | 30 В | 2 Вт | 107мОм | 30 В | N и P-канал | 140пФ при 10В | 83 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3,5 А | 3,5 НК при 5 В | Стандартный | 83 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMN3F31DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-zxmn3f31dn8ta-datasheets-3285.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 24мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 2,9 нс | 3,3 нс | 8 нс | 16 нс | 7,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5,7А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 608пФ при 15 В | 24 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,7А | 12,9 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5922DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si5922dut1ge3-datasheets-3546.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 14 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | 10,4 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 6А | 30 В | 2,2 В | 2 N-канала (двойной) | 765 пФ при 15 В | 19,2 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 6А Тк | 7,1 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5877НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nvmfd5877nlt1g-datasheets-4039.pdf | 8-PowerTDFN | 6,1 мм | 1,05 мм | 5,1 мм | Без свинца | 6 | 13 недель | Нет СВХК | 39МОм | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 3,2 Вт | ПЛОСКИЙ | 8 | Двойной | 23 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 8,1 нс | 14,5 нс | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 6А | 74А | 10,5 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 540пФ при 25В | 39 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD6N02R2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-ntmd6n02r2g-datasheets-3840.pdf | 20 В | 6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 45 недель | Нет СВХК | 35МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | ДА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTMD6N02 | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 50 нс | 80 нс | 45 нс | 6,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 730мВт | 30А | 360 мДж | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1100пФ при 16В | 900 мВ | 35 мОм при 6 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3,92А | 20 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJB68EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqjb68ept1ge3-datasheets-4051.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 1,267 мм | 12 недель | 2 | 27 Вт | 175°С | PowerPAK® SO-8 двойной | 9 нс | 15 нс | 11А | 20 В | 100 В | 27 Вт | 76,5 мОм | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 280пФ при 25В | 92 мОм при 4 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 11А Ц | 8 нк @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8K52FRATB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | EAR99 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 3А | 12А | 0,19 Ом | 2 N-канала (двойной) | 610пФ при 25 В | 170 мОм при 3 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3А Та | 8,5 НК при 5 В | Стандартный |
