Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EL4504 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el4503-datasheets-8189.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 1 | 5В | 1 | 2,5е-7 нс | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | Транзистор | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 25% при 16 мА | 60% при 16 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP130GBF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp130gbtprf-datasheets-3492.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 52 недели | 5 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2533-1-ВА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2533l1a-datasheets-6373.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 16 недель | 4 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1 | 1 | 350В | Дарлингтон | 0,08А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 100 мкс 100 мкс | 80 мА | 150 мА | 1500% при 1 мА | 6500% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-844-300E | Бродком Лимитед | 1,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 16-СМД, Крыло Чайки | 50 мА | 17 недель | ЦСА, УЛ | Нет СВХК | 16 | EAR99 | Нет | 200мВт | 4 | 200мВт | 70В | 70В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 70В | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД050Л | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fod053lr2-datasheets-0006.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 25 мА | Без свинца | 7 недель | 252 мг | 7В | -500мВ | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 7В | 7В | 8мА | 50 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 5В | 8мА | 15% при 16 мА | 50% при 16 мА | 1 мкс, 1 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛМ453Л(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-elm453tav-datasheets-8264.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 20 недель | да | 1 | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 20% при 16 мА | 50% при 16 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCED4100G | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 16 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 250 мВт | 4 | 4 | 35В | Дарлингтон | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 80 мА | 1,15 В | 300 мкс 250 мкс | 60 мА | 80 мА | 800 % | 70В | 35В | 600% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL4502M-V | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n135s1ta-datasheets-4766.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | 8 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 1 | 100мВт | 1 | 3е-8 нс | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 350 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ0452(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el0501ta-datasheets-9790.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | ВДЕ | 8 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 100мВт | 1 | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 20 В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 800 нс, 800 нс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LDA203STR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 2 | 8-СМД | 85В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 1,2 В | 1 мА | 30В | 33% при 1 мА | 1000% при 1 мА | 7 мкс, 20 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCET4100G | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-tcet4100g-datasheets-1292.pdf | 16-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 13 недель | 16 | неизвестный | 265мВт | 4 | 265мВт | 70В | 60 мА | 1,6 В | Дарлингтон | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 60 мкс 60 мкс | 10 мА | 600 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ4502С(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n135s1ta-datasheets-4766.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | ТР | 1 | 100мВт | 1 | 3е-8 нс | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 350 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2913-1-F3-K-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps29131f3ax-datasheets-6986.pdf | 4-SMD, плоские выводы | 16 недель | 1 | 4-мини-квартира | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 10 мкс 10 мкс | 50 мА | 30 мА | 120 В | 100% при 1 мА | 200% при 1 мА | 80 мкс, 50 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2701-1-F3-LA | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 40В | 40В | 5мА | Транзистор | 1А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 80 мА | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 80 мА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2533Л-1-КА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 1 | 4-СМД | Дарлингтон | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 100 мкс 100 мкс | 80 мА | 150 мА | 350В | 1500% при 1 мА | 6500% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2805-1-LA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps28051f3a-datasheets-6847.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | 1 | 4-ВССОП | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСОП95236ТР | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tsop95236tr-datasheets-8300.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 13 недель | 1 | 4-ССОП | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 6 мкс, 4 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2503Л-1-МА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,08А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 20 мкс 30 мкс | 80 мА | 30 мА | 40В | 100% при 1 мА | 200% при 1 мА | 250 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2761Б-1-ВА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2761b1vf3ka-datasheets-7081.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 4 мкс 5 мкс | 25 мА | 70В | 40 мА | 70В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LIA120STR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 9,652 мм | 3302 мм | 6,35 мм | 8 недель | 8 | 145 МВт | 1 | 8-СМД | Фотоэлектрический | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 20 мА | 1% при 5 мА | 3% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139-Х019Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-6n139x009-datasheets-1755.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | EAR99 | Нет | 100мВт | 6Н139 | 1 | 100мВт | 18В | 25 мА | Дарлингтон с базой | 25 мА | 60 мкс | 25 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,4 В | 60 мА | 2000 % | 500% при 1,6 мА | 600 нс, 1,5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИЛ755-1Х007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-il7551x007-datasheets-1296.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-СМД | 60В | 60 мА | 1,2 В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 60В | 1,2 В | 50 мкс 50 мкс | 60 мА | 60В | 750% при 2 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-844-W60E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 17 недель | 16 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | 200мВт | 4 | 200мВт | 4 | 70В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 0,000018 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н136-560Э | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 6Н136 | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD615-4X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq6151-datasheets-4795.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 400мВт | 2 | 8-СМД | 70В | 60 мА | 1,15 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 320 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ0530(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el0531tav-datasheets-8006.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8541.40.80.00 | 2 | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 1,5 мкс, 1,5 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD615-3X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq6151-datasheets-4795.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 500мВт | 2 | 500мВт | 2 | 8-СМД | 70В | 60 мА | 1,15 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛМ453(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-elm453tav-datasheets-8264.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 20 недель | 1 | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 20% при 16 мА | 50% при 16 мА | 400 нс, 350 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD74-X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq74x009-datasheets-6715.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 400мВт | 2 | 8-СМД | 20 В | 60 мА | 1,3 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 20 В | 1,3 В | 60 мА | 35 % | 20 В | 12,5% при 16 мА | 3 мкс, 3 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛМ452(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-elm453tav-datasheets-8264.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 20 недель | 1 | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 20% при 16 мА | 50% при 16 мА | 400 нс, 350 нс |
