Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Скорость передачи данных | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H11D2-X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11d1x007t-datasheets-9639.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | 1 | 300мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 300В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 300В | 100 мА | 1,1 В | 2,5 мкс 5,5 мкс | 100 мА | 20% | 20% при 10 мА | 5 мкс, 6 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11D1-X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11d1x007t-datasheets-9639.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 6 | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | 1 | 300мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 300В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 300В | 100 мА | 1,1 В | 2,5 мкс 5,5 мкс | 100 мА | 20% | 20% при 10 мА | 5 мкс, 6 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКПЛ-250Л-320Э | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl250l320e-datasheets-1201.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 17 недель | 8 | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР, ПРИЗНАН УЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 7В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 25 мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0500-500E | Бродком Лимитед | 1,97 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 мА | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 50 % | 5% при 16 мА | 200 нс, 1,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n139sta-datasheets-5432.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | 8 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 1 | 100мВт | 1 | 0,000016 нс | 1 | 18В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД | 60 мкс | 25 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,00009 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 60 мА | 1,3 В | 60 мА | 2000 % | 18В | 500% при 1,6 мА | 200 нс, 1,7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-844-W00E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 16-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 50 мА | 17 недель | 16 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | 200мВт | 4 | 200мВт | 4 | 70В | 70В | 3мА | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 0,000018 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100 нА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139СДВМ | ОН Полупроводник | 0,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n139sm-datasheets-1489.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 5 недель | 720мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 6Н139 | 1 | 1 | 100 кбит/с | 18В | Транзистор с базой | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 60 мА | 1,3 В | 20 мА | 60 мА | 500% при 1,6 мА | 240 нс, 1,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОКД207ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mocd208r2m-datasheets-5060.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 2 недели | 252 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 250 мВт | 250 мВт | 2 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 1,6 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,55 В | 400мВ | 400мВ | 150 мА | 1,25 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 150 мА | 150 мА | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICPLW50LSMT&R | ООО «Изоком Компонентс 2004» | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/isocomComponents2004ltd-icplw50lsmtr-datasheets-7797.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 1 | 6-СО Растянутый | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 20 мА | 8мА | 30 В | 90% при 3 мА | 200% при 3 мА | 300 нс, 400 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-844-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 17 недель | 16 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | 4 | 200мВт | 4 | 70В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 0,000018 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100 нА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2562Л-1-В-Ф3-КА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2562l1f3ka-datasheets-5403.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 1 | Дарлингтон | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 100 мкс 100 мкс | 80 мА | 200 мА | 40В | 2000% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM121C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 50 мА | 7 недель | 155 мг | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 80 мА | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 80 мА | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3902(ТПЛ,У,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp3902tpluf-datasheets-8069.pdf | 6-SMD (4 вывода), крыло чайки | 12 недель | 1 | Фотоэлектрический | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 50 мА | 5мкА | 7В | 600 мкс, 2 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-847-W0GE | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 16-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 17 недель | 16 | EAR99 | 200мВт | 4 | 200мВт | 70В | 20 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 130% при 5 мА | 400% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LDA201STR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | $6,94 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | 2 | 8-СМД | 30 В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 1,2 В | 1 мА | 30 В | 33% при 1 мА | 1000% при 1 мА | 7 мкс, 20 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2815-1-LA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | 1 | 4-ССОП | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD615-1X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq6151-datasheets-4795.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 400мВт | 2 | 8-СМД | 70В | 60 мА | 1,15 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-270L-000E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 500 мкА | Без свинца | 17 недель | UL | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 135 МВт | 1 | 135 МВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 7В | 7В | 20 мА | Дарлингтон | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 7В | 60 мА | 1,5 В | 60 мА | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 25 мкс, 50 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛДА100С | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 8 недель | 6 | 1 | 150 мВт | 1 | 1 | 6-СМД | 30 В | 30 В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор с базой | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 500мВ | 1,2 В | 1 мА | 300 % | 30 В | 33% при 1 мА | 7 мкс, 20 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-250L-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl250l560e-datasheets-1197.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 22 недели | 8 | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE, ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 7В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,5 В | 25 мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н135СМ | ОН Полупроводник | 0,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n136sdm-datasheets-9488.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 7 недель | 720мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | Олово | 100мВт | 6Н135 | 1 | 100мВт | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | 1,5 мкс | 1,5 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 230 нс, 450 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6135-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6136x001-datasheets-6290.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, СОВМЕСТИМ ТТЛ, ПРИЗНАН УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 25В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 16 мА | 1,6 В | 8мА | 16 % | 7% при 16 мА | 300 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2533Л-1-Ф3-КА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2533l1a-datasheets-6373.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 1 | 4-СМД | Дарлингтон | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 100 мкс 100 мкс | 80 мА | 150 мА | 350В | 1500% при 1 мА | 6500% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКПЛ-250Л-300Э | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl250l300e-datasheets-1146.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР, ПРИЗНАН УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 7В | 7В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 25 мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP291(ТП,Э) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp291tpe-datasheets-7915.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | ТР | 200мВт | 1 | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 4 мкс 7 мкс | 50 мА | 50000нА | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 7 мкс, 7 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD1-X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq1-datasheets-9848.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 8 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 2 | 250 мВт | 2 | 50В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 50В | 400 мА | 1,25 В | 1,9 мкс 1,4 мкс | 50 мА | 50нА | 20% при 10 мА | 300% при 10 мА | 700 нс, 1,4 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD1-X019T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq1-datasheets-9848.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 250 мВт | 2 | 8-СМД | 50В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 50В | 125 мА | 1,25 В | 1,9 мкс 1,4 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 50В | 20% при 10 мА | 300% при 10 мА | 700 нс, 1,4 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT6-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-mct6x007-datasheets-6234.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 8-СМД | 30 В | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 30 мА | 1,25 В | 60 мА | 30 мА | 30 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH608-4X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6083-datasheets-4582.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 55В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 55В | 50 мА | 1,1 В | 5 мкс 7 мкс | 50 мА | 200нА | 160% при 1 мА | 320% при 1 мА | 8 мкс, 7,5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н135-000Э | Бродком Лимитед | 1,67 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-6n135000e-datasheets-1154.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | Без свинца | 22 недели | UL | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 6Н135 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 8мА | 20 В | 15 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 1,5 мкс | 1,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 1,5 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 20 В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 1 Мбод | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 1,3 мкс |
