Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Опорное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ILD615-3X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq6151-datasheets-4795.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 500мВт | 2 | 500мВт | 2 | 8-СМД | 70В | 60 мА | 1,15 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛМ453(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-elm453tav-datasheets-8264.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 20 недель | 1 | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 20% при 16 мА | 50% при 16 мА | 400 нс, 350 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD74-X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq74x009-datasheets-6715.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 400мВт | 2 | 8-СМД | 20 В | 60 мА | 1,3 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 20 В | 1,3 В | 60 мА | 35 % | 20 В | 12,5% при 16 мА | 3 мкс, 3 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛМ452(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-elm453tav-datasheets-8264.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 20 недель | 1 | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 20% при 16 мА | 50% при 16 мА | 400 нс, 350 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ4503С(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el4503-datasheets-8189.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | ТР | 1 | 1 | 3е-8 нс | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 350 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-0701 | Лайт-Он Инк. | 0,82 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv0701-datasheets-7987.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 12 недель | 8 | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 8-СО | 100 кбит/с | 7В | 20 мА | 1,8 В | Дарлингтон с базой | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,8 В Макс. | 20 мА | 5В | 60 мА | 60 мА | 7В | 500% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 3 мкс, 20 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2743B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fod2743bsv-datasheets-9524.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,91 мм | 3,94 мм | 6,86 мм | Без свинца | 7 недель | 891 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 145 МВт | 145 МВт | 1 | 70В | 70В | 20 мА | Транзистор | 20 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,07 В | 50 мА | 50нА | 50% при 1 мА | 100% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561L-1-F3-A | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2581L1-HA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2581l2wa-datasheets-4487.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 16 недель | 4 | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 3 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2743BV | ОН Полупроводник | 1,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2743bsv-datasheets-9524.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,91 мм | 3,94 мм | 6,86 мм | Без свинца | 7 недель | 891 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 145 МВт | 145 МВт | 1 | 70В | 20 мА | Транзистор | 20 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,495 В | 70В | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,07 В | 50 мА | 50нА | 50% при 1 мА | 100% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ4502-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n135s1ta-datasheets-4766.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | 8 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 1 | 100мВт | 1 | 3е-8 нс | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 350 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2533L-1-V-F3-A | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 4 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1 | 300мВт | 1 | 80 мА | Дарлингтон | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 350В | 1,15 В | 100 мкс 100 мкс | 150 мА | 350В | 1500% при 1 мА | 6500% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2561-1-ВА | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | Олово | Нет | 150 мВт | 1 | 700мВт | 1 | 80В | 80В | 80 мА | 1,4 В | Транзистор | 1А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0500-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,5 В | 8мА | 2,7 % | 5% при 16 мА | 200 нс, 1,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139-Х001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-6n139x009-datasheets-1755.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ОДОБРЕНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 6Н139 | 1 | 100мВт | 1 | 0,1 Мбит/с | 18В | 25 мА | Дарлингтон с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 60 мкс | 25 мкс | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,4 В | 60 мА | 2000 % | 500% при 1,6 мА | 600 нс, 1,5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11D2-X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11d1x007t-datasheets-9639.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | 1 | 300мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 300В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 300В | 100 мА | 1,1 В | 2,5 мкс 5,5 мкс | 100 мА | 20% | 20% при 10 мА | 5 мкс, 6 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11D1-X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11d1x007t-datasheets-9639.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 6 | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | 1 | 300мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 300В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 300В | 100 мА | 1,1 В | 2,5 мкс 5,5 мкс | 100 мА | 20% | 20% при 10 мА | 5 мкс, 6 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ0453(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el0453tav-datasheets-8165.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 1 | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 800 нс, 800 нс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АГ1СМ | ОН Полупроводник | 1,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1m-datasheets-6735.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 2 недели | 810мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 260мВт | 1 | 260мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,25 В | 50 мА | 300% | 100% при 1 мА | 5 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3902(TPR,U,F) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp3902tpluf-datasheets-8069.pdf | 6-SMD (4 вывода), крыло чайки | 12 недель | 4 | неизвестный | 1 | 7В | 50 мА | Фотоэлектрический | 50 мА | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 5 мкА | 5 мкА | 600 мкс, 2 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД2743BS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fod2743bsv-datasheets-9524.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 9,91 мм | 3,94 мм | 6,86 мм | Без свинца | 7 недель | 720мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 145 МВт | 145 МВт | 1 | 70В | 20 мА | Транзистор | 20 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,495 В | 70В | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,07 В | 50 мА | 50нА | 50% при 1 мА | 100% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2503L-1-LA | Ренесас Электроникс Америка | 1,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,08А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 20 мкс 30 мкс | 80 мА | 30 мА | 40В | 150% при 1 мА | 300% при 1 мА | 250 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2743BTV | ОН Полупроводник | 1,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2743btv-datasheets-8185.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 7 недель | 900мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 145 МВт | 145 МВт | 1 | 70В | 70В | 20 мА | Транзистор | 20 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,07 В | 50 мА | 50нА | 50% при 1 мА | 100% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD2-X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq1-datasheets-9848.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 8 | Нет | 250 мВт | 2 | 250 мВт | 2 | 8-ДИП | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 400 мА | 1,25 В | 2,6 мкс 2,2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 1,2 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL4503 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el4503-datasheets-8189.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 1 | 1 | 3е-8 нс | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 350 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИЛД615-1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq6151-datasheets-4795.pdf | 1,15 В | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | 6 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 500мВт | 2 | 8-ДИП | 70В | 60 мА | 1,3 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD74-X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq74x009-datasheets-6715.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 8-СМД | 20 В | 1,3 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 20 В | 1,3 В | 60 мА | 35 % | 20 В | 12,5% при 16 мА | 3 мкс, 3 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP109(V4,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp109igmtpre-datasheets-9709.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | 12 недель | да | неизвестный | 100мВт | 1 | 20 В | Транзистор | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,64 В | 8мА | 20 В | 20% при 16 мА | 800 нс, 800 нс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD2-X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq1-datasheets-9848.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 8 | Нет | 250 мВт | 2 | 250 мВт | 2 | 8-ДИП | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 400 мА | 1,25 В | 2,6 мкс 2,2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 1,2 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКПЛ-250Л-520Э | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl250l520e-datasheets-1214.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 17 недель | 8 | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР, ПРИЗНАН УЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 7В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 25 мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс |
